Impact of soft annealing on the performance of solution-processed amorphous zinc tin oxide thin-film transistors

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 5, Issue 9, 2013, Pages 3587-3590

  Nayak, Pradipta K ^a   Hedhili, Mohamed N ^a   Cha, Dongkyu ^a   Alshareef, H N ^a  

^a KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Saudi Arabia)

Author keywords

amorphous oxide semiconductor; field effect; soft annealing; solution process; thin film transistor; zinc tin oxide

Indexed keywords

AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR (AOS); FIELD-EFFECT; SOFT ANNEALING; SOLUTION PROCESS; ZINC TIN OXIDE;

FIELD EFFECT TRANSISTORS; OXIDE FILMS; THIN FILM TRANSISTORS; TIN; TIN OXIDES;

ZINC;

EID: 84877354724     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am303235z     Document Type: Article

References (27)

1. Martins, R.; Fortunato, E.; Barquinha, P.; Pereira, L. Transparent Oxide Electronics: From Materials to Devices; Wiley: Chichester, U.K., 2012.
2. Zhang, L.; Li, J.; Zhang, X. W.; Jiang, X. Y.; Zhang, Z. L. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 072112
3. Chiang, H. Q.; Wager, J. F.; Hoffman, R. L.; Jeong, J.; Keszler, D. A. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 013503
4. Yaglioglu, B.; Yeom, H. Y.; Beresford, R.; Paine, D. C. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 062103
5. Liu, J.; Buchholz, D. B.; Chang, R. P. H.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Adv. Mater. 2010, 22, 2333
6. Chiu, C. J.; Chang, S. P.; Chang, S. J. IEEE Electron Device Lett. 2010, 31, 1245
7. Ong, B. S.; Li, C. S.; Li, Y. N.; Wu, Y. L.; Loutfy, R. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 2750
8. Nayak, P. K.; Jang, J.; Lee, C.; Hong, Y. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 193503
9. Kim, H. S.; Byrne, P. D.; Facchetti, A.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12580
10. Banger, K. K.; Yamashita, Y.; Mori, K.; Peterson, R. L.; Leedham, T.; Rickard, J.; Sirringhaus, H. Nat. Mater. 2011, 10, 45
11. Kim, M. G.; Kanatzidis, M. G.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Nat. Mater. 2011, 10, 382
12. Nayak, P. K.; Pinto, J. V.; Goncalves, G.; Martins, R.; Fortunato, E. J. Disp. Technol. 2011, 7, 640
13. Avis, C.; Jang, J. J. Mater. Chem. 2011, 21, 10649
14. Kim, M. G.; Kim, H. S.; Ha, Y. G.; He, J. Q.; Kanatzidis, M. G.; Facchetti, A.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 10352
15. Lim, J. H.; Shim, J. H.; Choi, J. H.; Joo, J.; Park, K.; Jeon, H.; Moon, M. R.; Jung, D.; Kim, H.; Lee, H. J. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 012108
16. Nayak, P. K.; Busani, T.; Elamurugu, E.; Barquinha, P.; Martins, R.; Hong, Y.; Fortunato, E. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 183504
17. Nayak, P. K.; Hedhili, M. N.; Cha, D. K.; Alshareef, H. N. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 202106
18. Bong, H.; Lee, W. H.; Lee, D. Y.; Kim, B. J.; Cho, J. H.; Cho, K. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 192115
19. Wang, M. R.; Wang, J.; Chen, W.; Cui, Y.; Wang, L. D. Mater. Chem. Phys. 2006, 97, 219
20. Nomura, K.; Ohta, H.; Takagi, A.; Kamiya, T.; Hirano, M.; Hosono, H. Nature 2004, 432, 488
21. Nayak, P. K.; Jang, J.; Lee, C.; Hong, Y. J. Soc. Inf. Display 2010, 18, 552
22. Fewster, P. F. Rep. Prog. Phys. 1996, 59, 1339
23. Rim, Y. S.; Kim, D. L.; Jeong, W. H.; Kim, H. J. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 233502
24. Choi, J. Y.; Kim, S. S.; Lee, S. Y. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 022109
25. Jimenez-Gonzalez, A. E.; Urueta, J. A. S.; Suarez-Parra, R. J. Cryst. Growth 1998, 192, 430
26. Guo, E. J.; Guo, H. Z.; Lu, H. B.; Jin, K. J.; He, M.; Yang, G. Z. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 011905
27. Schoenes, J.; Kanazawa, K.; Kay, E. J. Appl. Phys. 1977, 48, 2537