Pattern transfer of nanomasks based on diblock copolymers self-assembling through reactive ion etching

ECS Journal of Solid State Science and Technology

Volumn 1, Issue 3, 2012, Pages

  Garozzo, C ^a   Bongiorno, C ^a   La Magna, A ^a   Puglisi, R A ^a  

^a CNR   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84875836284     PISSN: 21628769     EISSN: 21628777     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/2.021203jss     Document Type: Article

References (37)

1. T. Baron, F. Mazen, J. M. Hartmann, P. Mur, R. A. Puglisi, S. Lombardo, G. Ammendola, and C. Gerardi, Solid State Electron., 48(9), 1503 (2004).
2. R. A. Puglisi, S. Lombardo, D. Corso, I. Crupi, G. Nicotra, L. Perniola, B. De Salvo, and C. Gerardi, J. Appl. Phys., 100(8), 86104 (2006).
3. A. J. Nozik, Physica E, 14, 115 (2002).
4. G. Conibeer, M. Green, E. Cho, D. Konig, Y. Cho, T. Fangsuwannarak, G. Scardera, E. Pink, Y. Huang, T. Puzzer, S. Huang, D. Song, C. Flynn, S. Park, X. Hao, and D. Mansfield, Thin Solid Films, 516, 6748 (2008).
5. S. Perraud, S. Poncet, S. No?el, M. Levis, P. Faucherand, E. Rouvière, P. Thony, C. Jaussaud, and R. Delsol, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 93, 1568 (2009).
6. A. Irrera, E. F. Pecora, and F. Priolo, Nanotechnology, 20, 135601 (2009).
7. T. Thurn-Albrecht, R. Steiner, J. De Rouchey, C. M. Stafford, E. Huang, M. Bal, M. Tuominen, C. J. Hawker, and T. P. Russell, Adv. Mater, 12(11), 787 (2000).
8. K. W. Guarini, C. T. Black, K. R.Milkove, and R. L. Sandstrom, J. Vac. Sci. Technol. B, 19(6), 2784 (2001).
9. R. A. Segalman, H. Yokoyama, and E. J. Kramer, Adv. Mater., 13, 1152 (2001).
10. J. Y. Cheng, C. A. Ross, E. L. Thomas, H. I. Smith, and G. J. Vancso, Appl. Phys. Lett., 81, 3657 (2002).
11. S. O. Kim, H. H. Solak, M. P. Stoykovich, N. J. Ferrier, J. J. De Pablo, and P. F. Nealey, Nature, 424, 411 (2003).
12. D. Sundrani, S. B. Darling, and S. J. Sibener, Nano Lett., 4(2), 273 (2004).
13. R. A. Puglisi, P. La Fata, and S. Lombardo, Appl. Phys. Lett., 91, 053104 (2007).
14. C. Garozzo, R. A. Puglisi, C. Buongiorno, S. Scalese, E. Rimini, and S. Lombardo, J. Mater. Res., 26, 240 (2011).
15. A. Andreozzi, E. Poliani, G. Seguini, and M. Perego, Nanotechnology, 22, 185304 (2011).
16. N. Grassie and N. A. Weir, J. Appl. Pol. Sci., 9(3), 975 (2003).
17. M. Park, C. Harrison, P. M. Chaikin, R. A. Register, and D. H. Adamson, Science, 276, 1401 (1997).
18. C. T. Black, K. W. Guarini, Y. Zhang, H. Kim, J. Benedict, E. Sikorski, I. V. Babich, and K. R. Milkove, IEEE Elect. Dev. Lett., 25(9), 622 (2004).
19. D. G. Choi, J. R. Jeong, K. Y. Kwon, H. T. Jung, S. C. Shin, and S. M. Yang, Nanotechnology, 15, 970 (2004).
20. J. H. Park, A. A. Khandekar, S. M. Park, L. J. Mawst, T. F. Kuech, and P. F. Nealey, J. Crys. Growth, 297, 283 (2006).
21. S. Jung, I. O. Parm, K. S. Jang, D. H. Park, B. H. Sohn, J. C. Jung, W. C. Zin, S. H. Choi, S. K. Dhungel, and J. Yi, J. Nanosci. Nanotechn., 6, 1 (2006).
22. J. N. Cha, Y. Zhang, H. S. P. Wong, S. Raoux, C. Rettner, L. Krupp, and V. Deline, Chem. Mater., 19, 839 (2007).
23. H. F. Winters, J. W. Coburn, and T. J. Chuang, J. Vac. Sci. Technol. B, 1(2), 469 (1983).
24. H. F. Winters and J. W. Coburn, J. Vac. Sci. Technol. B, 3(5), 1376 (1985).
25. H. Abe, M. Yoneda, and N. Fujiwara, Japan. J. Appl. Phys., 47(3), 1435 (2008).
26. D. J. Economou, Thin Solid Films, 365, 348 (2000).
27. K. Asakawa, T. Hiraoka, H. Hieda, M. Sakurai, Y. Kamata, and K. Naito, J. Photopolymer Sci. Techn., 15(3), 465 (2002).
28. H. Gokan, S. Esho, and Y. Ohnishi, J. Electrochem. Soc., 130, 143 (1983).
29. A. La Magna and G. Garozzo, J. Electrochem. Soc., 150(10), F178 (2003).
30. G. S. Oehrlein, K. K. Chan, M. A. Jaso, and G. W. Rubloff, J. Vac. Sci. Technol. A, 7(3), 1030 (1989).
31. G. S. Oehrlein, M. F. Doemling, B. E. E. Kastenmeier, P. J. Matsuo, N. R. Rueger, M. Schaepkens, and T. E. F. M. Standaert, IBM J. Res. Dev., 43, 1/2 (1999).
32. T. J. Chuang, H. F.Winters, and J. W. Coburn, Applications Surf. Sci., 2, 514 (1978).
33. N. R. Rueger, J. J. Beulens, M. Schaepkens, M. F. Doemling, J. M. Mirza, T. E. F. M. Standaert, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A, 15(4), 1881 (1997).
34. P. Mansky, Y. Liu, E. Huang, T. P. Russell, and C. Hawker, Science, 275, 1458 (1997).
35. S. Zimmermann, N. Ahner, F. Blaschta, M. Schaller, H. Zimmermann, H. Rulke, N. Lang, J. Ropcke, S. E. Schulz, and T. Gessner, Microelectron. Eng., 88, 671 (2011).
36. G. Kokkoris, A. Tserepi, A. G. Boudouvis, and E. Gogolides, J. Vac. Sci. Technol. A, 22, 1896 (2004)
37. V. Premachandran, Appl. Phys. Lett., 55(24), 2488 (1989).