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Volumn 5, Issue 1, 2013, Pages

Optimizing emitter-buffer layer stack thickness for p-type silicon heterojunction solar cells

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AMORPHOUS LAYER; DOPING CONCENTRATION; GAS PHASE DOPING CONCENTRATION; INTERFACE RECOMBINATION; JUNCTION POTENTIAL; LAYER STACKS; P-TYPE SILICON; SILICON HETEROJUNCTIONS;

EID: 84874844476     PISSN: 19417012     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4792510     Document Type: Conference Paper
Times cited : (9)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.