True-blue nitride laser diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Applied Physics Express

Volumn 5, Issue 11, 2012, Pages

  Skierbiszewski, Czeslaw ^a,b   Siekacz, Marcin ^a,b   Turski, Henryk ^a   Muziol, Grzegorz ^a   Sawicka, Marta ^a   Wolny, Pawel ^a   Cywiński, Grzegorz ^a   Marona, Lucja ^a   Perlin, Piotr ^a,b   Wiśniewski, Przemyslaw ^a,b   Albrecht, Martin ^c   Wasilewski, Zbigniew R ^d   Porowski, Sylwester ^a  

^a INSTITUTE OF HIGH PRESSURE PHYSICS   (Poland)

^b TOPGAN LTD   (Poland)

^c LEIBNIZ INSTITUTE FOR CRYSTAL GROWTH   (Germany)

^d UNIVERSITY OF WATERLOO   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONTINUOUS WAVE MODES; GAN SUBSTRATE; HIGH-NITROGEN; INGAN QUANTUM WELLS; KEY ELEMENTS; OPTICAL POWER; PLASMA-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEPARATE CONFINEMENT HETEROSTRUCTURES;

EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM NITRIDE; LASERS;

MOLECULAR BEAM EPITAXY;

EID: 84869200612     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.5.112103     Document Type: Article

References (21)

1. S. Nakamura et al.: The Blue Laser Diode: The Complete Story (Springer, New York, 2000) 2nd ed.
2. T. Jang et al.: Proc. SPIE 6473 (2007) 64730X.
3. A. Tyagi et al.: Appl. Phys. Express 3 (2010) 011002.
4. T. Miyoshi et al.: Appl. Phys. Express 2 (2009) 062201.
5. M. Ueno et al.: J. Cryst. Growth 315 (2011) 258.
6. M. Kauer et al.: Electron. Lett. 41 (2005) 739.
7. C. Skierbiszewski et al.: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 011114.
8. C. Skierbiszewski et al.: J. Cryst. Growth 311 (2009) 1632.
9. C. R. Elsass et al.: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 3528.
10. B. Heying et al.: J. Appl. Phys. 88 (2000) 1855.
11. J. Neugebauer et al.: Phys. Rev. Lett. 90 (2003) 056101.
12. J. E. Northrup et al.: Phys. Rev. B 61 (2000) 9932.
13. H. Riechert et al.: MRS Proc. 449 (1996) 149.
14. C. Skierbiszewski et al.: Appl. Phys. Express 5 (2012) 022104.
15. C. Skierbiszewski et al.: J. Vac. Sci. Technol. B 30 (2012) 02B102.
16. R. Dwiliński et al.: J. Cryst. Growth 310 (2008) 3911.
17. M. J. Bergmann and H. C. Casey, Jr.: J. Appl. Phys. 84 (1998) 1196.
18. L. Marona et al.: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 201111.
19. M. Siekacz et al.: J. Appl. Phys. 110 (2011) 063110.
20. H. Turski et al.: J. Vac. Sci. Technol. B 29 (2011) 03C136.
21. M. H. Xie et al.: Phys. Rev. Lett. 82 (1999) 2749.