Electronically driven amorphization in phase-change In 2Se 3 nanowires

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 116, Issue 42, 2012, Pages 22539-22544

  Mafi, Elham ^a   Soudi, Afsoon ^a   Gu, Yi ^a  

^a WASHINGTON STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHIZATION PROCESS; ATOMIC BONDS; CRYSTALLINE PHASE; DATA STORAGE; ELECTRONIC EFFECTS; ENERGY EFFICIENT; FINITE ELEMENT SIMULATIONS; HIGH MELTING POINT; IN-SITU; MELT-QUENCH; MEMORY APPLICATIONS; MEMORY SWITCHING; NON-EQUILIBRIUM ELECTRONS; PHASE CHANGES; SCANNING KELVIN PROBE MICROSCOPY; THERMAL MELTING; TRANSITION PROCESS;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MELTING POINT; NANOWIRES; PHASE CHANGE MEMORY; PHOTOEXCITATION; RAMAN SPECTROSCOPY; SEMICONDUCTING SELENIUM COMPOUNDS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

AMORPHIZATION;

EID: 84867879008     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp305696w     Document Type: Article

References (42)

1. Hamann, H. F.; OBoyle, M.; Martin, Y. C.; Rooks, M.; Wickramasinghe, K. Nat. Mater. 2006, 5, 383-387
2. Raoux, S.; Shelby, R. M.; Jordan-Sweet, J.; Munoz, B.; Salinga, M.; Chen, Y. C.; Shih, Y. H.; Lai, E. K.; Lee, M. H. Microelectron. Eng. 2008, 85, 2330-2333
3. Lankhorst, M. H. R.; Ketelaars, B. W. S. M. M.; Wolters, R. A. M. Nat. Mater. 2005, 4, 347-352
4. Kang, S.; Cho, W. Y.; Cho, B. H.; Lee, K. J.; Lee, C. S.; Oh, H. R.; Choi, B. G.; Wang, Q.; Kim, H. J.; Park, M. H.; Ro, Y. H.; Kim, S.; Ha, C. D.; Kim, K. S.; Kim, Y. R.; Kim, D. E.; Kwak, C. K.; Byun, H. G.; Jeong, G.; Jeong, H.; Kim, K.; Shin, Y. IEEE J. Solid-State Circuits 2007, 42, 210-218
5. Bedeschi, F.; Bez, R.; Boffino, C.; Bonizzoni, E.; Buda, E. C.; Casagrande, G.; Costa, L.; Ferraro, M.; Gastaldi, R. O.; Khouri, S.; Ottogalli, F.; Pellizzer, F.; Pirovano, A.; Resta, C.; Torelli, G.; Tosi, M. IEEE J. Solid-State Circuits 2005, 40, 1557-1565
6. Rodgers, J.; Maimon, J.; Storey, T.; Lee, D.; Graziano, M.; Rockett, L.; Hunt, K. A 4-Mb non-volatile chalcogenide random access memory designed for space applications: Project status update. In Non-Volatile Memory Technology Symposium; Piscataway, NJ, 2008; p 64.
7. Jeong, C. W.; Ahn, S. J.; Hwang, Y. N.; Song, Y. J.; Oh, J. H.; Lee, S. Y.; Lee, S. H.; Ryoo, K. C.; Park, J. H.; Park, J. H.; Shin, J. M.; Yeung, F.; Jeong, W. C.; Kim, J. I.; Koh, G. H.; Jeong, G. T.; Jeong, H. S.; Kim, K. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 3233-3237
8. Lee, S. H.; Ko, D. K.; Jung, Y.; Agarwal, R. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 223116
9. Park, H.; Yu, D.; Brittman, S.; Lee, J. S.; Falk, A. L. Nano Lett. 2008, 8, 3429-3433
10. Cui, Y.; Meister, S.; Peng, H. L.; McIlwrath, K.; Jarausch, K.; Zhang, X. F. Nano Lett. 2006, 6, 1514-1517
11. Fons, P.; Osawa, H.; Kolobov, A. V.; Fukaya, T.; Suzuki, M.; Uruga, T.; Kawamura, N.; Tanida, H.; Tominaga, J. Phys. Rev. B 2010, 82, 041203
12. Li, X. B.; Liu, X. Q.; Liu, X.; Han, D.; Zhang, Z.; Han, X. D.; Sun, H. B.; Zhang, S. B. Phys. Rev. Lett. 2011, 107, 015501
13. K., A.; Kolobov, A. V.; Krbal, M.; Fons, P.; Tominaga, J.; Uruga, T. Nature Chem. 2011, 3, 311-316
14. Raoux, S.; Wuttig, M. Phase Change Materials: Science and Applications; Springer: NewYork, 2008.
15. Lee, H.; Kim, Y. K.; Kim, D.; Kang, D. H. IEEE Trans. Magn. 2005, 41, 1034-1036
16. Lee, H.; Kang, D. H.; Tran, L. Mater. Sci. Eng. B-Solid 2005, 119, 196-201
17. Julien, C.; Eddrief, M.; Balkanski, M.; Hatzikraniotis, E.; Kambas, K. Phys. Status Solidi A 1985, 88, 687-695
18. Julien, C.; Eddrief, M.; Kambas, K.; Balkanski, M. Thin Solid Films 1986, 137, 27-37
19. Deblasi, C.; Drigo, A. V.; Micocci, G.; Tepore, A.; Mancini, A. M. J. Cryst. Growth 1989, 94, 455-458
20. Pfitzner, A.; Lutz, H. D. J. Solid State Chem. 1996, 124, 305-308
21. Marsillac, S.; CombotMarie, A. M.; Bernede, J. C.; Conan, A. Thin Solid Films 1996, 288, 14-20
22. Lu, C. Y.; Shamberger, P. J.; Yitamben, E. N.; Beck, K. M.; Joly, A. G.; Olmstead, M. A.; Ohuchi, F. S. Appl. Phys. A - Mater. 2008, 93, 93-98
23. Jasinski, J.; Swider, W.; Washburn, J.; Liliental-Weber, Z.; Chaiken, A.; Nauka, K.; Gibson, G. A.; Yang, C. C. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 4356-4358
24. de Groot, C. H.; Moodera, J. S. J. Appl. Phys. 2001, 89, 4336-4340
25. Kambas, K.; Julien, C. Mater. Res. Bull. 1982, 17, 1573
26. Lee, J. Y.; Sun, K.; Li, B. Y.; Xie, Y. H.; Wei, X. Y.; Russell, T. P. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 092114
27. Peng, H. L.; Schoen, D. T.; Meister, S.; Zhang, X. F.; Cui, Y. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 34-35
28. Sun, X. H.; Yu, B.; Ng, G.; Nguyen, T. D.; Meyyappan, M. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 233121
29. Zhai, T. Y.; Fang, X. S.; Liao, M. Y.; Xu, X. J.; Li, L.; Liu, B. D.; Koide, Y.; Ma, Y.; Yao, J. N. A.; Bando, Y.; Golberg, D. ACS Nano 2010, 4, 1596-1602
30. Lai, K. J.; Peng, H. L.; Kundhikanjana, W.; Schoen, D. T.; Xie, C.; Meister, S.; Cui, Y.; Kelly, M. A.; Shen, Z. X. Nano Lett. 2009, 9, 1265-1269
31. Sun, X. H.; Li, Y.; Gao, J.; Li, Q. L.; Peng, M. F.; Li, Y. Y.; Yuan, G.; Wen, W.; Meyyappan, M. J. Mater. Chem. 2011, 21, 6944-6947
32. Kambas, K.; Julien, C.; Jouanne, M.; Likforman, A.; Guittard, M. Phys. Status Solidi B 1984, 124, K105-K108
33. Lewandowska, R.; Bacewicz, R.; Filipowicz, J.; Paszkowicz, W. Mater. Res. Bull. 2001, 36, 2577-2583
34. Becla, P.; Gumienny, Z.; Misiewicz, J.; Pawlikowski, J. M. Opt. Appl. 1982, 12, 143-149
35. Kohary, K.; Burlakov, V.; D. Nguyen-Manh; Pettifor, D. Modeling In-Se amorphous alloys. European Phase Change and Ovonics Symposium; England, 2005.
36. Weszka, J.; Daniel, P.; Burian, A.; Burian, A. M.; Nguyen, A. T. J. Non-Cryst. Solids 2000, 265, 98-104
37. Poborchii, V. V.; Kolobov, A. V.; Tanaka, K. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 215-217
38. Sundaram, S. K.; Mazur, E. Nat. Mater. 2002, 1, 217-224
39. Shportko, K.; Kremers, S.; Woda, M.; Lencer, D.; Robertson, J.; Wuttig, M. Nat. Mater. 2008, 7, 653-658
40. Semiletov, S. A. Sov. Phys. Crystallogr. 1961, 5, 673
41. Joannopoulos, J. D.; Schlüter, M.; Cohen, M. L. Phys. Rev. B 1975, 11, 2186-2199
42. Soudi, A.; Aivazian, G.; Shi, S. F.; Xu, X. D.; Gu, Y. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 033115