Bipolar resistive switching behavior of a Pt/NiO/TiN device for nonvolatile memory applications

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 51, Issue 4 PART 1, 2012, Pages

  Seong, Tae Geun ^a   Joung, Mi Ri ^a   Sun, Jong Woo ^a   Yang, Min Kyu ^b   Lee, Jeon Kook ^b   Moon, Ji Won ^c   Roh, Jaesung ^c   Nahm, Sahn ^a  

^a Korea University   (South Korea)

^b Korea Institute of Science and Technology   (South Korea)

^c Hynix Semiconductor Inc   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONDUCTIVE FILAMENTS; LOW-RESISTANCE STATE; NON-VOLATILE MEMORY APPLICATION; OHM'S LAW; OXYGEN RESERVOIR; PT ELECTRODE; RESISTIVE SWITCHING; RESISTIVE SWITCHING BEHAVIORS; SWITCHING BEHAVIORS;

ELECTROFORMING; ELECTRON EMISSION; OXYGEN VACANCIES; PLATINUM;

SWITCHING SYSTEMS;

EID: 84860477434     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.51.041102     Document Type: Article

References (32)

1. J. W. Seo, J.-W. Park, K. S. Lim, J.-H. Yang, and S. J. Kang: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 223505.
2. W.-Y. Chang, Y.-C. Lai, T.-B. Wu, S.-F. Wang, F. Chen, and M.-J. Tsai: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 022110.
3. S. Lee, H. Kim, D.-J. Yun, S.-W. Rhee, and K. Yong: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 262113.
4. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J.-S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 5655.
5. R. Jung, M.-J. Lee, S. Seo, D. C. Kim, G.-S. Park, K. H. Kim, S. E. Ahn, Y. S. Park, I.-K. Yoo, J.-S. Kim, and B. H. Park: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 022112.
6. S. R. Lee, K. Char, D. C. Kim, R. Jung, S. Seo, X. S. Li, G.-S. Park, and I. K. Yoo: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 202115.
7. K. Oka, T. Yanagida, K. Nagashima, H. Tanaka, and T. Kawai: J. Am. Chem. Soc. 131 (2009) 3434.
8. T. Ishihara, I. Ohkubo, K. Tsubouchi, H. Kumigashira, U. S. Joshi, Y. Matsumoto, H. Koinuma, and M. Oshima: Mater. Sci. Eng. B 148 (2008) 40.
9. L. Goux, J. G. Lisoni, M. Jurczak, D. J. Wouters, L. Courtade, and Ch. Muller: J. Appl. Phys. 107 (2010) 024512.
10. M. J. Lee, S. Seo, D. C. Kim, S. E. Ahn, D. H. Seo, I. K. Yoo, I. G. Baek, D.-S. Kim, I.-S. Byun, S.-H. Kim, I.-R. Hwang, J.-S. Kim, S.-H. Jeon, and B. H. Park: Adv. Mater. 19 (2007) 73.
11. M. Fujimoto, H. Koyama, M. Konagai, Y. Hosoi, K. Ishihara, S. Ohnishi, and N. Awaya: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 223509.
12. J. S. Kwak, Y. H. Do, Y. C. Bae, H. S. Im, J. H. Yoo, M. G. Sung, Y. T. Hwang, and J. P. Hong: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 223502.
13. D. S. Jeong, H. Schroeder, U. Breuer, and R. Waser: J. Appl. Phys. 104 (2008) 123716.
14. W. R. Hiatt and T. W. Hickmott: Appl. Phys. Lett. 6 (1965) 106.
15. M. K. Yang, J.-W. Park, T. K. Ko, and J.-K. Lee: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 042105.
16. W.-Y. Yang and S.-W. Rhee: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 232907.
17. A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, and T. Tokura: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 4073.
18. S.-L. Li, Z. L. Liao, L. Li, J. L. Gang, and D. N. Zheng: J. Phys. D 42 (2009) 045411.
19. R. Dong, W. F. Xiang, D. S. Lee, S. J. Oh, D. J. Seong, S. H. Heo, H. J. Choi, M. J. Kwon, M. Chang, M. Jo, M. Hasan, and H. S. Hwang: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 182118.
20. W. Shen, R. Dittmann, U. Breuer, and R. Waser: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 222102.
21. S.-M. Yu and H.-S. Philip Wong: IEEE Trans. Electron Devices 31 (2010) 1455.
22. N. Xu, L. Liu, X. Sun, X. Liu, D. Han, Y. Wang, R. Han, J. Kang, and B. Yu: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 232112.
23. J. Wang, Z. Song, K. Xu, and M. Liu: J. Nanosci. Nanotechnol. 10 (2010) 7088.
24. W. S. Kim, J.-W. Kim, H.-H. Park, and H. N. Lee: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 7097.
25. T.-G. Seong, J.-S. Kim, K.-H. Cho, M. K. Yang, W. Kim, J.-K. Lee, J. W. Moon, J. Roh, and S. Nahm: Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 121103.
26. J. G. Simmons: in Handbook of Thin Film Technology, ed. L. I. Maissel and R. Glang (McGraw-Hill, New York, 1970) 1st ed., p. 14-1.
27. S. M. Sze: Physics of Semiconductor (Wiley, New York, 1981) p. 402.
28. R. Thomas, D. C. Dube, M. N. Kamalasanan, and N. Deepak Kumar: J. Sol-Gel Sci. Technol. 16 (1999) 101.
29. P. Ehrhart and R. Thomas: J. Appl. Phys. 99 (2006) 114108.
30. M. Ieda, G. Sawa, and S. Kato: J. Appl. Phys. 42 (1971) 3737.
31. I. H. Inoue, S. Yasuda, H. Akinaga, and H. Takagi: Phys. Rev. B 77 (2008) 035105.
32. J. S. Choi, J.-S. Kim, I. R. Hwang, S. H. Hong, S. H. Jeon, S.-O. Kang, B. H. Park, D. C. Kim, M. J. Lee, and S. Seo: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 022109.