Effects of ambient gas pressure on the resistance switching properties of the NiO thin films grown by radio frequency magnetron sputtering

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 49, Issue 12, 2010, Pages

  Seong, Tae Geun ^a   Kim, Jin Seong ^a   Cho, Kyung Hoon ^a   Yang, Min Kyu ^b   Kim, Woong ^a   Lee, Jeon Kook ^b   Moon, Ji Won ^c   Roh, Jaesung ^c   Nahm, Sahm ^a  

^a Korea University   (South Korea)

^b Korea Institute of Science and Technology   (South Korea)

^c Hynix Semiconductor Inc   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMBIENT GAS PRESSURE; CERAMIC TARGET; FILM DEPOSITION; NIO FILMS; NIO THIN FILM; OXYGEN PARTIAL PRESSURE; PREFERRED ORIENTATIONS; RADIO FREQUENCY MAGNETRON SPUTTERING; RESISTANCE SWITCHING; SWITCHING VOLTAGES;

ANNEALING; ARGON; MAGNETRON SPUTTERING; OXYGEN; PLATINUM; RADIO; RADIO WAVES; SWITCHING;

FILM GROWTH;

EID: 79551635697     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.49.121103     Document Type: Article

References (30)

1. C.-Y. Lin, C.-Y. Wu, C.-Y. Wu, C. Hu, and T.-Y. Tseng: J. Electrochem. Soc. 154 (2007) G189.
2. H.-Y. Lee, P.-S. Chen, C.-C. Wang, S. Maikap, P.-J. Tzeng, C.-H. Lin, L.-S. Lee, and M.-J. Tsai: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 2175.
3. J. F. Gibbons and W. E. Beadle: Solid-State Electron. 7 (1964) 785.
4. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J.-S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 5655.
5. R. Jung, M.-J. Lee, S. Seo, D. C. Kim, G.-S. Park, K. H. Kim, S. E. Ahn, Y. S. Park, I.-K. Yoo, J.-S. Kim, and B. H. Park: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 022112.
6. S. R. Lee, K. Char, D. C. Kim, R. Jung, S. Seo, X. S. Li, G.-S. Park, and I. K. Yoo: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 202115.
7. K. Oka, T. Yanagida, K. Nagashima, H. Tanaka, and T. Kawai: J. Appl. Phys. 104 (2008) 013711.
8. D. C. Kim, M. J. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. C. Park, I. K. Yoo, I. G. Baek, H. J. Kim, E. K. Yim, J. E. Lee, S. O. Park, H. S. Kim, U.-I. Chung, J. T. Moon, and B. I. Ryu: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 232106.
9. M. J. Lee, S. Seo, D. C. Kim, S. E. Ahn, D. H. Seo, I. K. Yoo, I. G. Baek, D.-S. Kim, I.-S. Byun, S.-H. Kim, I.-R. Hwang, J.-S. Kim, S.-H. Jeon, and B. H. Park: Adv. Mater. 19 (2007) 73.
10. J.-W. Park, J.-W. Park, D.-Y. Kim, and J.-K. Lee: J. Vac. Sci. Technol. A 23 (2005) 1309.
11. J.-W. Park, J.-W. Park, K. H. Jung, M. K. Yang, and J.-K. Lee: J. Vac. Sci. Technol. B 24 (2006) 2205.
12. K. H. Jung, H. W. Seo, Y. M. Kim, H. S. Im, J. P. Hong, J.-W. Park, and J.-K. Lee: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 052104.
13. K. H. Jung, J. H. Choi, Y. M. Kim, H. S. Im, S. Seo, R. Jung, D. C. Kim, J.-S. Kim, B. H. Park, and J. P. Hong: J. Appl. Phys. 103 (2008) 034504.
14. F. Argall: Solid-State Electron. 11 (1968) 535.
15. M. Fujimoto, H. Koyama, M. Konagai, Y. Hosoi, K. Ishihara, S. Ohnishi, and N. Awaya: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 223509.
16. S. C. Chae, J. S. Lee, W. S. Choi, S. B. Lee, S. H. Chang, H. Shin, B. Kahng, and T. W. Noh: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 093508.
17. Y. H. Do, J. S. Kwak, T. C. Bae, J. H. Lee, Y. M. Kim, H. S. Im, and J. P. Hong: Curr. Appl. Phys. 10 (2010) e71.
18. W. R. Hiatt and T. W. Hickmott: Appl. Phys. Lett. 6 (1965) 106.
19. M. K. Yang, J.-W. Park, T. K. Ko, and J.-K. Lee: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 042105.
20. W.-Y. Yang and S.-W. Rhee: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 232907.
21. C. H. Kim, Y. H. Jang, H. J. Hwang, Z. H. Sun, H. B. Moon, and J. H. Cho: Appl. Phys. Lett. 94 (2009) 102107.
22. A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, and T. Tokura: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 4073.
23. S.-L. Li, Z. L. Liao, L. Li, J. L. Gang, and D. N. Zheng: J. Phys. D 42 (2009) 045411.
24. R. Dong, W. F. Xiang, D. S. Lee, S. J. Oh, D. J. Seong, S. H. Heo, H. J. Choi, M. J. Kwon, M. Chang, M. Jo, M. Hasan, and H. S. Hwang: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 182118.
25. D. H. Choi, D. S. Lee, H. J. Sim, M. Chang, and H. S. Hwang: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 082904.
26. W. Xiang, R. Dong, D. S. Lee, S. J. Oh, D. J. Seong, and H. S. Hwang: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 052110.
27. D.-J. Seong, M. S. Jo, D. S. Lee, and H. S. Hwang: Electrochem. Solid- State Lett. 10 (2007) H168.
28. D.-J. Seong, D. S. Lee, M. B. Pyun, J. S. Yoon, and H. S. Hwang: Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 8749.
29. A. Beck, J. G. Bednorz, Ch. Gerber, C. Rossel, and D. Widmer: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 139.
30. W. Shen, R. Dittmann, U. Breuer, and R. Waser: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 222102.