Gate-last TiN/HfO 2 band edge effective work functions using low-temperature anneals and selective cladding to control interface composition

Applied Physics Letters

Volumn 100, Issue 15, 2012, Pages

  Hinkle, C L ^a   Galatage, R V ^a   Chapman, R A ^a   Vogel, E M ^a   Alshareef, H N ^b   Freeman, C ^c   Christensen, M ^c   Wimmer, E ^c   Niimi, H ^d   Li Fatou, A ^d   Shaw, J B ^d   Chambers, J J ^d  

^a The University of Texas at Dallas   (United States)

^b KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Saudi Arabia)

^c Materials Design Inc   (United States)

^d TEXAS INSTRUMENTS   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND EDGE; CLADDING LAYER; CONTROL INTERFACES; EFFECTIVE WORK FUNCTION; FORMING GAS; GATE-LAST; LOW TEMPERATURES; LOW THRESHOLD VOLTAGE; MATERIALS AND PROCESS;

DIELECTRIC DEVICES; TEMPERATURE; TITANIUM NITRIDE; WORK FUNCTION;

PHASE INTERFACES;

EID: 84859797073     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3701165     Document Type: Article

References (16)

1. H. J. Li and M. I. Gardner, IEEE Electron Device Lett. 26, 441 (2005). 10.1109/LED.2005.851093
2. J. K. Schaeffer, L. R. C. Fonseca, S. B. Samavedam, Y. Liang, P. J. Tobin, and B. E. White, Appl. Phys. Lett. 85, 1826 (2004). 10.1063/1.1786656
3. E. Cartier, F. R. McFeely, V. Narayanan, P. Jamison, B. P. Linder, M. Copel, V. K. Paruchuri, V. S. Basker, R. Haight, D. Lim, R. Carruthers, T. Shaw, M. Steen, J. Sleight, J. Rubino, H. Deligianni, S. Guha, R. Jammy, and G. Shahidi, Dig. Tech. Pap. - Symp. VLSI Technol. 2005, 230. 10.1109/.2005.1469279
4. B. Chen, R. Jha, H. Lazar, N. Biswas, J. Lee, B. Lee, L. Wielunski, E. Garfunkel, and V. Misra, IEEE Electron Device Lett. 27, 228 (2006). 10.1109/LED.2006.871184
5. J. Lee, H. Park, H. Choi, M. Hasan, M. Jo, M. Chang, B. H. Lee, C. S. Park, C. Y. Kang, and H. Hwang, Appl. Phys. Lett. 92, 263505 (2008). 10.1063/1.2953192
6. E. Cartier, M. Steen, B. P. Linder, T. Ando, R. Iijima, M. Frank, J. S. Newbury, Y. H. Kim, F. R. McFeely, M. Copel, R. Haight, C. Choi, A. Callegari, V. K. Paruchuri, and V. Narayanan, Dig. Tech. Pap. - Symp. VLSI Technol. 2009, 42.
7. W. Mizubayashi, K. Akiyama, W. Wang, M. Ikeda, K. Iwamoto, Y. Kamimuta, A. Hirano, H. Ota, T. Nabatame, and A. Toriumi, Dig. Tech. Pap. - Symp. VLSI Technol. 2008, 42. 10.1016/j.apsusc.2008.02.159
8. E. Cartier, M. Hopstaken, and M. Copel, Appl. Phys. Lett. 95, 042901 (2009). 10.1063/1.3186075
9. M. Chudzik, B. Doris, R. Mo, J. Sleight, E. Cartier, C. Dewan, D. Park, H. Bu, W. Natzle, W. Yan, C. Ouyang, K. Henson, D. Boyd, S. Callegari, R. Carter, D. Casarotto, M. Gribelyuk, M. Hargrove, W. He, Y. Kim, B. Linder, N. Moumen, V. K. Paruchuri, J. Stathis, M. Steen, A. Vayshenker, X. Wang, S. Zafar, T. Ando, R. Iijima, M. Takayanagi, V. Narayanan, R. Wise, Y. Zhang, R. Divakaruni, M. Khare, and T. C. Chen, Dig. Tech. Pap. - Symp. VLSI Technol. 2007, 194. 10.1109/VLSIT.2007.4339689
10. X. Chen, S. Samavedam, V. Narayanan, K. Stein, C. Hobbs, C. Baiocco, W. Li, D. Jaeger, M. Zaleski, S. Yang, N. Kim, Y. Lee, D. Zhang, L. Kang, J. Chen, H. Zhuang, A. Sheikh, J. Wallner, M. Aquilino, J. Han, Z. Jin, J. Li, G. Massey, S. Kalpat, R. Jha, N. Moumen, R. Mo, S. Kershnan, X. Wang, M. Chudzik, M. Chowdhury, D. Nair, C. Reddy, Y. W. Teh, C. Kothandaraman, D. Coolbaugh, S. Pandey, D. Tekleab, A. Thean, M. Sherony, C. Lage, J. Sudijono, R. Lindsay, J.-H. Ku, M. Khare, and A. Steegen, Dig. Tech. Pap. - Symp. VLSI Technol. 2008, 88. 10.1109/VLSIT.2008.4588573
11. H. N. Alshareef, H. R. Harris, H. C. Wen, C. S. Park, C. Huffmann, K. Choi, H. F. Luan, P. Majhi, B. H. Lee, R. Jammy, D. J. Lichtenwalner, J. S. Jur, and A. I. Kingon, Dig. Tech. Pap. - Symp. VLSI Technol. 2006, 7. 10.1109/VLSIT.2006.1705190
12. K. Tatsumura, T. Ishihara, S. Inumiya, K. Nakajima, A. Kaneko, M. Goto, S. Kawanaka, and A. Kinoshita, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2008, 25.
13. K. Mistry, C. Allen, C. Auth, B. Beattie, D. Bergstrom, M. Bost, M. Brazier, M. Buehler, A. Cappellani, R. Chau, C. H. Choi, G. Ding, K. Fischer, T. Ghani, R. Grover, W. Han, D. Hanken, M. Hattendorf, J. He, J. Hicks, R. Huessner, D. Ingerly, P. Jain, R. James, L. Jong, S. Joshi, C. Kenyon, K. Kuhn, K. Lee, H. Liu, J. Maiz, B. McIntyre, P. Moon, J. Neirynck, S. Pae, C. Parker, D. Parsons, C. Prasad, L. Pipes, M. Prince, P. Ranade, T. Reynolds, J. Sandford, L. Shifren, J. Sebastian, J. Seiple, D. Simon, S. Sivakumar, P. Smith, C. Thomas, T. Troeger, P. Vandervoorn, S. Williams, and K. Zawadzki, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2007, 247. 10.1109/IEDM.2007.4418914
14. P. Packan, S. Akbar, M. Armstrong, D. Bergstrom, M. Brazier, H. Deshpande, K. Dev, G. Ding, T. Ghani, O. Golonzka, W. Han, J. He, R. Heussner, R. James, J. Jopling, C. Kenyon, S.-H. Lee, M. Liu, S. Lodha, B. Mattis, A. Murthy, L. Neiberg, J. Neirynck, S. Pae, C. Parker, L. Pipes, J. Sebastian, J. Seiple, B. Sell, A. Sharma, S. Sivakumar, B. Song, A. St. Amour, K. Tone, T. Troeger, C. Weber, K. Zhang, Y. Luo, and S. Natarajan, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2009, 659.
15. C.-H. Jan, M. Agostinelli, M. Buehler, Z.-P. Chen, S.-J. Choi, G. Curello, H. Deshpande, S. Gannavaram, W. Hafez, U. Jalan, M. Kang, P. Kolar, K. Komeyli, N. Lazo, T. Leo, J. Lin, N. Lindert, S. Ma, L. McGill, C. Meining, A. Paliwal, J. Park, K. Phoa, I. Post, N. Pradhan, M. Prince, A. Rahman, J. Rizk, L. Rockford, G. Sacks, H. Tashiro, C. Tsai, P. Vandervoorn, J. Xu, L. Yang, J.-Y. Yeh, J. Yip, K. Zhang, and P. Bai, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2009, 647.
16. C. L. Hinkle, R. V. Galatage, R. A. Chapman, E. M. Vogel, H. N. Alshareef, C. Freeman, E. Wimmer, H. Niimi, A. Li-Fatou, J. B. Shaw, and J. J. Chambers, Appl. Phys. Lett. 96, 103501 (2010). 10.1063/1.3353993