Impact of metal salt precursor on low-temperature annealed solution-derived Ga-doped In2O3 semiconductor for thin-film transistors

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 115, Issue 23, 2011, Pages 11773-11780

  Jeong, Sunho ^a   Lee, Ji Yoon ^a   Lee, Sun Sook ^a   Choi, Youngmin ^a   Ryu, Beyong Hwan ^a  

^a Korea Research Institute of Chemical Technology   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRICAL PERFORMANCE; FIELD-EFFECT MOBILITIES; GA-DOPED; LOW TEMPERATURES; METAL OXIDES; METAL SALT PRECURSORS; ON/OFF CURRENT RATIO; OXIDE SEMICONDUCTOR; SUBTHRESHOLD SWING;

ANNEALING; CHEMICAL ANALYSIS; GELS; METALLIC COMPOUNDS; METALS; PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; PYROLYSIS; SEMICONDUCTING ORGANIC COMPOUNDS; SOL-GEL PROCESS; SOL-GELS; SOLS; STRUCTURE (COMPOSITION); THIN FILM TRANSISTORS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

TRANSISTORS;

EID: 80054950502     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp202522s     Document Type: Article

References (41)

1. (a) Wager, J. F. Science 2003, 300, 1245.
2. (b) Hosono, H. Thin Solid Films 2007, 515, 6000.
3. (c) Subramanian, V.; Frechet, J. M. J.; Channg, P. C.; Huang, D. C.; Lee, J. B.; Molesa, S. E.; Murphy, A. R.; Redinger, D. R.; Volkman, S. K. Proc. IEEE 2005, 93, 1330.
4. (d) Gorrn, P.; Sander, M.; Meyer, J.; Kroger, M.; Becker, E.; Johannes, H.; Kowalsky, W.; Riedl, T. Adv. Mater. 2006, 18, 738.
5. (a) Carcia, P. F.; McLean, R. S.; Reilly, M. H.; Nunes, G. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1117.
6. (b) Fourtunato, E. M. C.; Barquinha, P. M. C.; Pimentel, A. C. M. B. G.; Goncalves, A. M. F. Adv. Mater. 2005, 17, 590.
7. (a) Nomura, K.; Ohta, H.; Takagi, A.; Kamiya, T.; Hirano, M.; Hosono, H. Nature 2004, 432, 488.
8. (b) Liu, J.; Buchholz, B.; Hennek, J. W.; Chang, R. P. H.; Facchetti, A.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 11934.
9. (c) Nomura, K.; Ohta, H.; Ueda, K.; Kamiya, T.; Hirano, M.; Hosono, H. Science 2003, 300, 1269.
10. Jo, J.; Seo, O.; Choi, H.; Lee, B. Appl. Phy. Exp. 2008, 1, 041202.
11. (a) Lim, S. J.; Kwon, S. J.; Kim, H. Thin Solid Films 2008, 516, 1523.
12. (b) Huby, N.; Ferrari, S.; Guziewicz, E.; Godlewski, M.; Osinniy, V. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 023502.
13. (a) Wang, L.; Yoon, M.-H.; Lu, G.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Nat. Mater. 2006, 5, 893.
14. (b) Wang, L.; Yoon, M.-H.; Lu, G.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Adv. Mater. 2007, 19, 3252.
15. (a) Li, C.-S.; Li, Y.-N.; W, Y.-L.; Ong, B.-S.; Loutfy, R.-O. J. Mater. Chem. 2009, 19, 1626.
16. (b) Ong, B. S.; Li, C. S.; Li, Y. N.; Wu, Y. L.; Loutfy, R. O. J. Am. Chem. Soc. 2006, 129, 2750.
17. (c) Norris, B. J.; Anderson, J.; Wager, J. F.; Keszler, D. A. J. Phys. D: Appl. Phys. 2003, 36, L105.
18. (a) Jeong, S.; Ha, Y.-G.; Moon, J.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Adv. Mater. 2010, 22, 1346.
19. (b) Lim, J. H.; Shim, J. H.; Choi, J. H.; Joo, J.; Park, K.; Jeon, H.; Moon, M. R.; Jung, D.; Kim, H.; Lee, H.-J. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 012108.
20. (c) Kim, D.; Koo, C. Y.; Song, K.; Jeong, Y.; Moon, J. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 103501.
21. (d) Nayak, P. K.; Busani, T.; Elamurugu, E.; Barquinha, P.; Maarins, R.; Hong, Y.; Fortunato, E. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 183504.
22. (a) Jeong, S.; Kim, D.; Moon, J. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 5245.
23. (b) Song, K.; Kim, D.; Li, X.-S.; Jun, T.; Jeong, Y.; Moon, J. J. Mater. Chem. 2009, 19, 8881.
24. (c) Chang, Y.-J.; Lee, D.-H.; Herman, G. S.; Chang, C.-H. Electrochem. Solid-State Lett. 2007, 10, H135.
25. (d) Lee, C.-G.; Dodabalapur, A. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 243501.
26. (e) Park, S. K.; Kim, Y.-H.; Kim, H.-S.; Han, J.-I. Electrochem. Solid-State Lett. 2009, 12, H256.
27. (f) Pal, B. N.; Dhar, B. M.; See, K. C.; Katz, H. E. Nat. Mater. 2009, 8, 898.
28. (a) Kim, M. G.; Kim, H. S.; Ha, Y.-G.; He, J.; Kanatzidis, M. G.; Facchetti, A.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 10352.
29. (b) Lee, D.-H.; Ham, S.-Y.; Herman, G. S.; Chang, C.-H. J. Mater. Chem. 2009, 19, 3135.
30. (a) Hosono, H. J. Non-Cryst. Solids 2006, 352, 851.
31. (b) Nomura, K.; Takagi, A.; Kamiya, T.; Ohta, H.; Hirano, M.; Hosono, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 4303.
32. (c) Nomura, K.; Kamiya, T.; Ohta, H.; Uruga, T.; Hirano, M.; Hosono, H. Phys. Rev. B 1996, 54, 11169.
33. Kim, H. S.; Byrne, P. D.; Facchetti, A.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12580.
34. (a) Kim, M.-G.; Kanatzidis, M. G.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Nat. Mater. 2011, 10, 382.
35. (b) Banger, K. K.; Yamashita, Y.; Mori, K.; Peterson, R. L.; Leedham, T.; Rickard, J.; Sirringhaus, H. Nat. Mater. 2011, 10, 45.
36. Gonc-alves, G.; Barquinha, P.; Pereira, L.; Franco, N.; Alves, E.; Marins, R.; Fortunato, E. Electrochem. Solid-State Lett. 2010, 13, H20.
37. (a) Fan, J. C. C.; Goodenough, J. B. J. Appl. Phys. 1997, 48, 3524.
38. (b) Major, S.; Kumar, S.; Bhatnagar, M.; Chopra, K. L. Appl. Phys. Lett. 1986, 49, 394.
39. (c) Ishida, T.; Kobayashi, H.; Nakato, Y. J. Appl. Phys. 1993, 73, 4344.
40. (a) Fourtunato, E. M. C.; Pereira, L. M. N.; Barquinha, P. M. C.; Bothlho do Rego, A. M.; Goncalves, G.; Vila, A.; Morante, J. R.; P. Martins, R. F. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 222103.
41. Moulder, J. F.; Stickle, W. F.; Sobol, P. E.; Bomben, K. D. Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy; Physical Electronics, Inc.: Minesota, 1995.