Epitaxial graphene surface preparation for atomic layer deposition of Al2O3

Journal of Applied Physics

Volumn 109, Issue 12, 2011, Pages

  Garces, N Y ^a,b   Wheeler, V D ^b   Hite, J K ^b   Jernigan, G G ^b   Tedesco, J L ^b   Nepal, Neeraj ^b   Eddy, C R ^b   Gaskill, D K ^b  

^a Global Strategies Group   (United States)

^b NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM OXIDES; CAPACITANCE VOLTAGE MEASUREMENTS; DIELECTRIC DEPOSITION; EPITAXIAL GRAPHENE; EX SITU; IMPURITY CONTENT; SIMPLE WET CHEMISTRY; STOICHIOMETRIC FILMS; SURFACE CONDITIONING; SURFACE PREPARATION; SURFACE PRETREATMENT; TRIMETHYLALUMINUM; VAN DER PAUW HALL MEASUREMENTS; VOLTAGE SHIFT;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ATOMIC LAYER DEPOSITION; GALVANOMAGNETIC EFFECTS; HALL MOBILITY; PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SILICON CARBIDE; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

GRAPHENE;

EID: 79960175526     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3596761     Document Type: Article

References (32)

1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science 306, 666 (2004). 10.1126/science.1102896 (Pubitemid 39440910)
2. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, and A. A. Firsov, Nature 438, 197 (2005). 10.1038/nature04233 (Pubitemid 41599867)
3. A. K. Geim and K. S. Novoselov, Nature Mater. 6, 183 (2007). 10.1038/nmat1849 (Pubitemid 46353764)
4. C. Lee, X. D. Wei, J. W. Kysar, and J. Hone, Science 321, 385 (2008). 10.1126/science.1157996 (Pubitemid 352029970)
5. A. Konar, T. A. Fang, and D. Jena, Phys. Rev. B 82, 115452 (2010). 10.1103/PhysRevB.82.115452
6. Q. Lu, D. Park, A. Kalnitsky, C. Chang, C. C. Cheng, S. P. Tay, T. J. King, and C. M. Hu, IEEE Electron Device Lett. 19, 341 (1998). 10.1109/55.709635
7. T. Suntola, Mater. Sci. Rep. 4, 261 (1989). 10.1016/S0920-2307(89)80006-4
8. S. M. George, A. W. Ott, and J. W. Klaus, J. Phys. Chem. 100, 13121 (1996). 10.1021/jp9536763
9. R. L. Puurunen, J. Appl. Phys. 97, 121301 (2005). 10.1063/1.1940727 (Pubitemid 40940570)
10. X. R. Wang, S. M. Tabakman, and H. J. Dai, J. Am. Chem. Soc. 130, 8152 (2008). 10.1021/ja8023059 (Pubitemid 351898526)
11. L. Bongki, P. Seong-Yong, K. Hyun-Chul, C. KyeongJae, E. M. Vogel, M. J. Kim, R. M. Wallace, and K. Jiyoung, Appl. Phys. Lett. 92, 203102 (2008) 10.1063/1.2928228. (Pubitemid 351733920)
12. F. Speck, M. Ostler, J. Rohrl, K. V. Emtsev, M. Hundhausen, L. Ley, and T. Seyller, Phys. Status Solidi C 7, 398 (2010). 10.1002/pssc.200982496
13. Y. Xuan, Y. Q. Wu, T. Shen, M. Qi, M. A. Capano, J. A. Cooper, and P. D. Ye, Appl. Phys. Lett. 92, 013101 (2008). 10.1063/1.2828338
14. B. Lee, G. Mordi, T. J. Park, L. Goux, Y. J. Chabal, K. J. Cho, E. M. Vogel, M. J. Kim, L. Colombo, R. M. Wallace, and J. Kim, ECS Trans. 19, 225 (2009). 10.1149/1.3119546
15. D. B. Farmer and R. G. Gordon, Nano Lett. 6, 699 (2006). 10.1021/nl052453d
16. Y. M. Lin, K. A. Jenkins, A. Valdes-Garcia, J. P. Small, D. B. Farmer, and P. Avouris, Nano Lett. 9, 422 (2009). 10.1021/nl803316h
17. A. Pirkle, R. M. Wallace, and L. Colombo, Appl. Phys. Lett. 95 (2009). 10.1063/1.3238560
18. J. A. Robinson, M. LaBella, K. A. Trumbull, X. J. Weng, R. Cavelero, T. Daniels, Z. Hughes, M. Hollander, M. Fanton, and D. Snyder, ACS Nano 4, 2667 (2010). 10.1021/nn1003138
19. D. B. Farmer, H. Y. Chiu, Y. M. Lin, K. A. Jenkins, F. N. Xia, and P. Avouris, Nano Lett. 9, 4474 (2009). 10.1021/nl902788u
20. C. Dimitrakopoulos, Y. M. Lin, A. Grill, D. B. Farmer, M. Freitag, Y. N. Sun, S. J. Han, Z. H. Chen, K. A. Jenkins, Y. Zhu, Z. H. Liu, T. J. McArdle, J. A. Ott, R. Wisnieff, and P. Avouris, J. Vac. Science. Technol. B 28, 985 (2010). 10.1116/1.3480961
21. J. S. Moon, D. Curtis, S. Bui, M. Hu, D. K. Gaskill, J. L. Tedesco, P. Asbeck, G. G. Jernigan, B. L. VanMil, R. L. Myers-Ward, C. R. Eddy, P. M. Campbell, and X. Weng, IEEE Electron Device Lett., 31, 260 (2010) 10.1109/LED.2010.2040132.
22. J. L. Tedesco, G. G. Jernigan, J. C. Culbertson, J. K. Hite, Y. Yang, K. M. Daniels, R. L. Myers-Ward, C. R. Eddy, J. A. Robinson, K. A. Trumbull, M. T. Wetherington, P. M. Campbell, and D. K. Gaskill, Appl. Phys. Lett. 96, 222103 (2010). 10.1063/1.3442903
23. J. A. Robinson, M. Wetherington, J. L. Tedesco, P. M. Campbell, X. Weng, J. Stitt, M. A. Fanton, E. Frantz, D. Snyder, B. L. VanMil, G. G. Jernigan, R. L. Myers-Ward, C. R. Eddy, and D. K. Gaskill, Nano Lett. 9, 2873 (2009). 10.1021/nl901073g
24. E. Langereis, S. B. S. Heil, H. C. M. Knoops, W. Keuning, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, J. Phys. D 42, 073001 (2009). 10.1088/0022-3727/42/7/073001
25. O. Renault, L. G. Gosset, D. Rouchon, and A. Ermolieff, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 1867 (2002). 10.1116/1.1507330
26. M. R. Alexander, G. E. Thompson, and G. Beamson, Surf. Interface Anal. 29, 468 (2000). 10.1002/1096-9918(200007)29:7><1.0.CO;2-K
27. J. van den Brand, P. C. Snijders, W. G. Sloof, H. Terryn, and J. H. W. de Wit, J. Phys. Chem. B 108, 6017 (2004). 10.1021/jp037877f
28. G. G. Jernigan, R. E. Stahlbush, and N. S. Saks, Appl. Phys. Lett. 77, 1437 (2000). 10.1063/1.1290490
29. R. R. Nair, W. Ren, R. Jalil, I. Riaz, V. G. Kravets, L. Britnell, P. Blake, F. Schedin, A. S. Mayorov, S. Yuan, M. I. Katsnelson, H. M. Cheng, W. Strupinski, L. G. Bulusheva, A. V. Okotrub, I. V. Grigorieva, A. N. Grigorenko, K. S. Novoselov, and A. K. Geim, Small 6, 2877 (2010). 10.1002/smll.201001555
30. Y. M. Lin, C. Dimitrakopoulos, D. B. Farmer, S. J. Han, Y. Q. Wu, W. J. Zhu, D. K. Gaskill, J. L. Tedesco, R. L. Myers-Ward, C. R. Eddy, A. Grill, and P. Avouris, Appl. Phys. Lett. 97, 112107 (2010) 10.1063/1.3485671.
31. T. Lohmann, K. von Klitzing, and J. H. Smet, Nano Lett. 9, 1973 (2009). 10.1021/nl900203n
32. J. G. Champlain, private communication (2011).