Large-area silicon nanowires from silicon monoxide for solar cell applications

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 10, Issue 12, 2010, Pages 8271-8277

  Zhang, Ming Liang ^a   Mahmood, Iram ^a   Fan, Xia ^a   Xu, Gang ^a   Wong, Ning Bew ^a  

^a CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

Chemical vapor deposition; Galvanisation; Silicon nanowires; Solar cell

Indexed keywords

AU NANOPARTICLE; GALVANISATION; GOLD NANOPARTICLE; GROWTH DIRECTIONS; HIGH VACUUM; HOT-FILAMENT CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; IN-SITU; ORGANIC-INORGANIC HYBRID; REACTION CONDITIONS; SI SOURCES; SI SUBSTRATES; SILICON MONOXIDE; SILICON NANOWIRES; SINGLE-CRYSTALLINE; SOLAR-CELL APPLICATIONS;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CHLORINE COMPOUNDS; GALVANIZING; GOLD; GOLD DEPOSITS; NANOPARTICLES; NANOWIRES; SILICON COMPOUNDS; SILICON OXIDES; SOLAR CELLS; SUBSTRATES;

SILICON;

EID: 79955528871     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2010.2658     Document Type: Article

References (42)

1. S. Koo, Q. Li, M. D. Edelstein, C. A. Richter, and E. M. Vogel, Nano Lett. 5, 2519 (2005).
2. Z. Li, Y. Chen, X. Li, T. I. Kamins, K. Nauka, and R. S. Williams, Nano Lett. 2, 245 (2004).
3. J. Hahm and C. M. Lieber, Nano Lett. 4, 51 (2004).
4. Y. Cui, Q. Q. Wei, H. K. Park, and C. M. Lieber, Science 293, 1289 (2001).
5. Y. Huang, X. Duan, Y. Cui, L. J. Lauhon, K. Kim, and C. M. Lieber, Science 294, 1313 (2001).
6. A. M. Morales and C. M. Lieber, Science 279, 208 (1998).
7. Y. F. Zhang, Y. H. Tang, N. Wang, D. P. Yu, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 72, 1835 (1998).
8. H. Wang, X. H. Zhang, C. S. Lee, K. Zou, W. S. Shi, S. K. Wu, J. Chang, and S. T. Lee, Chem. Mater. 19, 5598 (2007).
9. C. P. Li, B. K. Teo, X. H. Sun, N. B. Wong, and S. T. Lee, Chem. Mater. 17, 5780 (2005).
10. V. Sivakova, F. Heyrothc, F. Falkb, G. Andrab, and S. Christiansen, J. Crystal Growth 300, 288 (2007).
11. E. C. Garnett, W. Liang, and P. D. Yang, Adv. Mater. 19, 2946 (2007).
12. Y. Yao and S. Fan, Mater. Lett. 61, 177 (2007).
13. J. B. Hannon, S. Kodambaka, F. M. Ross, and R. M. Tromp, Nature 440, 69 (2006).
14. Y. Wang, V. Schmidt, S. Senz, and U. Gösele, Nature Nanotech. 1, 186 (2006).
15. S. Kodambaka, J. B. Hannon, R. M. Tromp, and F. M. Ross, Nano Lett. 6, 1292 (2006).
16. I. Lombardi, A. I. Hochbaum, P. D. Yang, C. Carraro, and R. Maboudian, Chem. Mater. 18, 988 (2006).
17. H. Jagannathana, Y. Nishi, M. Reuter, M. Copel, E. Tutuc, S. Guhab, and R. P. Pezzia, Appl. Phys. Lett. 88, 103113 (2006).
18. V. Schmidt, S. Senz, and U. Gösele, Nano Lett. 5, 931 (2005).
19. D. Gao, R. He, C. Carraro, R. T. Howe, P. D. Yang, and R. Maboudian, J. Am. Chem. Soc. 127, 4574 (2005).
20. S. Sharma, T. I. Kamins, and R. S. Williams, Appl. Phys. A 80, 1225 (2005).
21. Y. Wu, Y. Cui, L. Huynh, C. J. Barrelet, D. C. Bell, and C. M. Lieber, Nano Lett. 4, 433 (2004).
22. Y. Shan, A. K. Kalkan, C. Y. Peng, and S. J. Fonash, Nano Lett. 4, 2085 (2004).
23. B. Fuhrmann, H. S. Leipner, H. Höche, L. Schubert, P. Werner, and U. Gösele, Nano Lett. 5, 2524 (2005).
24. M. L. Zhang, K. Q. Peng, X. Fan, J. S. Jie, R. Q. Zhang, S. T. Lee, and N. B. Wong, J. Phys. Chem. C 112, 4444 (2008).
25. H. Y. Tuan and B. A. Korgel, Chem. Mater. 20, 1239 (2008).
26. H. Y. Tuan, A. Ghezelbash, and B. A. Korgel, Chem. Mater. 20, 2306 (2008).
27. H. Y. Tuan, D. C. Lee, T. Hanrath, and B. A. Korgel, Nano Lett. 5, 681 (2005).
28. J. D. Holmes, K. P. Johnston, R. C. Doty, and B. A. Korgel, Science 287, 1471 (2000).
29. A. Chaudhry, V. Ramamurthi, E. Fong, and M. S. Islam, Nano Lett. 7, 1536 (2007).
30. R. He, D. Gao, R. Fan, A. I. Hochbaum, C. Carraro, R. Maboudian, and P. D. Yang, Adv. Mater. 17, 2098 (2005).
31. M. S. Islam, S. Sharma, T. I. Kamins, and R. S. Williams, Appl. Phys. A 80, 1133 (2005).
32. M. S. Islam, S. Sharma, T. I. Kamins, and R. S. Williams, Nanotechnology 15, L5 (2004).
33. A. I. Hochbaum, R. Fan, R. R. He, and P. D. Yang, Nano Lett. 5, 457 (2005).
34. S. T. Lee, Y. F. Zhang, N. Wang, Y. H. Tang, I. Bello, and C. S. Lee, J. Mater. Res. 14, 4503 (1999).
35. S. T. Lee, N. Wang, Y. F. Zhang, and Y. H. Tang, MRS Bull. 24, 36 (1999).
36. R. Q. Zhang, Y. Lifshitz, and S. T. Lee, Adv. Mater. 15, 635 (2003).
37. Y. Yao, F. H. Li, and S. T. Lee, Chem. Phys. Lett. 406, 381 (2005).
38. R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
39. S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3rd edn., John Wiley and Sons, New Jersey (2007).
40. I. A. Levitsky, W. B. Euler, N. Tokranova, B. Xu, and J. Castracane, Appl. Phys. Lett. 85, 6245 (2004).
41. B. Tian, X. Zheng, T. J. Kempal, Y. Fang, N. Yu, G. Yu, J. Huang, and C. M. Lieber, Nature 449, 885 (2007).
42. E. C. Garnett and P. D. Yang, J. Am. Chem. Soc. 130, 9224 (2008).