GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors with the ZrO2 insulating layer

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 50, Issue 4 PART 2, 2011, Pages

  Chen, Chin Hsiang ^a   Tsai, Yu Hsuan ^a   Tsai, Sung Yi ^a   Cheng, Chung Fu ^a  

^a CHENG SHIU UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

APPLIED BIAS; BARRIER HEIGHTS; CONTRAST RATIO; DETECTIVITY; GAN METAL-SEMICONDUCTOR-METAL; INSULATING LAYERS; METAL SEMICONDUCTOR METAL; NOISE EQUIVALENT POWER; REJECTION RATIOS; ULTRA-VIOLET; ULTRA-VIOLET PHOTODETECTORS;

GALLIUM NITRIDE; METALS; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTODETECTORS; ZIRCONIUM ALLOYS;

INSULATING MATERIALS;

EID: 79955458440     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.50.04DG19     Document Type: Article

References (27)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimuto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 211.
2. E. F. Schubert and J. K. Kim: Science 308 (2005) 1274.
3. Y. K. Su, S. J. Chang, Y. D. Jhou, S. L. Wu, and C. H. Liu: IEEE Sens. J. 8 (2008) 1693.
4. Y. Z. Chiou: Semicond. Sci. Technol. 24 (2009) 055004.
5. S. J. Chang, T. K. Ko, J. K. Sheu, S. C. Shei, W. C. Lai, Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, C. S. Chang, W. S. Chen, and C. F. Shen: Sens. Actuators A 135 (2007) 502.
6. C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, C. S. Chang, Y. Z. Chiou, C. H. Kuo, T. K. Lin, T. K. Ko, and J. J. Tang: Mater. Sci. Eng. B 112 (2004) 25.
7. S. V. Averine, P. I. Kuznetzov, V. A. Zhitov, and N. V. Alkeev: Solid-State Electron. 52 (2008) 618.
8. X. Kong, C. Liu, W. Dong, X. Zhang, C. Tao, L. Shen, J. Zhou, Y. Fei, and S. Ruana: Appl. Phys. Lett. 94 (2009) 123502.
9. E. Monroy, E. Muňoz, F. J. Sánchez, F. Calley, E. Calleja, B. Beaumont, P. Gibart, J. A. Muňoz, and F. Cussó : Semicond. Sci. Technol. 13 (1998) 1042.
10. N. Biyikli, I. Kimukin, O. Aytur, and E. Ozbay: IEEE Photonics Technol. Lett. 16 (2004) 1718.
11. S. J. Chang, K. H. Lee, P. C. Chang, Y. C. Wang, C. L. Yu, C. H. Kuo, and S. L. Wu: IEEE J. Quantum Electron. 44 (2008) 916.
12. W. Y. Weng, S. J. Chang, W. C. Lai, T. J. Hsueh, S. C. Shei, X. F. Zeng, S. L. Wu, and S. C. Hung: IEEE Photonics Technol. Lett. 21 (2009) 504.
13. Y. K. Su, S. J. Chang, C. H. Chen, J. F. Chen, G. C. Chi, J. K. Sheu, W. C. Lai, and J. M. Tsai: IEEE Sens. J. 2 (2002) 366.
14. S. J. Chang, M. L. Lee, J. K. Sheu, W. C. Lai, Y. K. Su, C. S. Chang, C. J. Kao, G. C. Chi, and J. M. Tsai: IEEE Electron Device Lett. 24 (2003) 212.
15. C. H. Chen: Opt. Rev. 16 (2009) 371.
16. T. K. Lin, S. J. Chang, Y. Z. Chiou, C. K. Wang, S. P. Chang, K. T. Lam, Y. S. Sun, and B. R. Huang: Solid-State Electron. 50 (2006) 750.
17. F. Zhang, W. Yang, H. Huang, X. Chen, Z. Wu, H. Zhu, H. Qi, J. Yao, Z. Fan, and J. Shao: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 251102.
18. K. J. Hubbard and D. G. Schlom: J. Mater. Res. 11 (1996) 2757.
19. J. Robertson: J. Vac. Sci. Technol. B 18 (2000) 1785.
20. M. Balog, M. Schieber, M. Michman, and S. Patai: J. Electrochem. Soc. 126 (1979) 1203.
21. J. P. Chang, Y. S. Lin, and K. Chu: J. Vac. Sci. Technol. B 19 (2001) 1782.
22. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu, and J. F. Chen: IEEE Photonics Technol. Lett. 13 (2001) 848.
23. C. H. Chen, K. R. Wang, S. Y. Tsai, H. J. Chien, and S. L. Wu: Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 04DG06.
24. C. H. Chen, S. J. Chang, M. H. Wu, S. Y. Tsai, and H. J. Chien: Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 04DG05.
25. C. L. Yu, C. H. Chen, S. J. Chang, and P. C. Chang: J. Electrochem. Soc. 154 (2007) J71.
26. B. H. Leung, W. K. Fong, and C. Surya: Opt. Mater. 23 (2003) 203.
27. S. R. Morrison: J. Appl. Phys. 72 (1992) 4104.