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Volumn 16, Issue 3, 2009, Pages 371-374

AlInGaN 310 nm ultraviolet metal-insulator-semiconductor sensors with photo-chemical-vapor-deposition SiO2 cap layers

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AlGaN; MIS; Sensor; Ultraviolet

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EID: 67149097688     PISSN: 13406000     EISSN: 13499432     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s10043-009-0070-z     Document Type: Article
Times cited : (9)

References (25)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.