GaN Metal-Semiconductor-Metal Ultraviolet Photodetectors with IrPt Contact Electrodes

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 154, Issue 2, 2007, Pages

  Yu, C L ^a   Chen, C H ^b   Chang, S J ^a   Chang, P C ^c  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b CHENG SHIU UNIVERSITY   (Taiwan)

^c NAN JEON INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRODES; GALLIUM NITRIDE; IRIDIUM COMPOUNDS; PHOTOCURRENTS; SCHOTTKY BARRIER DIODES;

CONTACT ELECTRODES; DARK CURRENT CONTRAST; MEASURED RESPONSIVITY; SCHOTTKY ELECTRODES;

PHOTODETECTORS;

EID: 33846195078     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2402126     Document Type: Article

References (24)

1. S. Nakamura, N. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 34, L797 (1995).
2. D. S. Wuu, W. K. Wang, W. C. Shih, R. H. Horng, C. E. Lee, W. Y. Lin, and J. S. Fang, IEEE Photon. Technol. Lett., 17, 288 (2005).
3. S. Nakamura, Semicond. Sci. Technol., 14, R27 (1999).
4. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode, 1st ed., Springer-Verlag, Berlin (1997).
5. M. Razeghi and A. Rogalski, J. Appl. Phys., 79, 7433 (1996).
6. E. Monroy, E. Munoz, F. J. Sanchez, F. Calle, E. Calleja, B. Beaumont, P. Gibart, J. A. Munoz, and F. Cusso, Semicond. Sci. Technol., 13, 1042 (1998).
7. E. Monroy, M. Hamilton, D. Walker, P. Kung, F. J. Sanchez, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett., 74, 1171 (1999).
8. S. L. Rumyantsev, N. Pala, M. S. Shur, R. Gaska, M. E. Levinshtein, V. Divarahan, J. Yang, G. Simin, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett., 79, 866 (2001).
9. Y. K. Su, S. J. Chang, C. H. Chen, J. F. Chen, G. C. Chi, J. K. Sheu, W. C. Lai, and J. M. Tsai, IEEE Sens. J., 2, 366 (2002).
10. D. L. Rogers, J. Lightwave Technol., 9, 1635 (1991).
11. S. N. Mohammad, Z. Fan, A. E. Botchkarev, W. Kim, O. Aktas, and A. Salvador, Electron. Lett., 32, 598 (1996).
12. J. D. Guo, F. M. Pan, M. S. Feng, R. J. Guo, P. F. Chou, and C. Y. Chang, J. Appl. Phys., 80, 1623 (1996).
13. A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida, Electron. Lett., 32, 1832 (1996).
14. L. C. Chen, F. R. Chen, J. J. Kai, L. Chang, J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, C. Y. Chen, and K. K. Shih, J. Appl. Phys., 86, 3826 (1999).
15. C. M. Jeon, H. W. Jang, and J. L. Lee, Appl. Phys. Lett., 82, 391 (2003).
16. J. K. Kim, H. W. Jang, C. M. Jeon, and J. L. Lee, Appl. Phys. Lett., 81, 4655 (2002).
17. H. Jiang, T. Egawa, H. Ishikawa, Y. B. Dou, C. L. Shao, and T. Jimbo, Electron. Lett., 39, 1604 (2003).
18. C. H. Chen, S. J. Chang, and Y. K. Su, J. Vac. Sci. Technol. A, 22, 1020 (2004).
19. S. J. Chang, T. K. Ko, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, S. C. Shei, J. K. Sheu, W. C. Lai, Y. C. Lin, W. S. Chen, and C. F. Shen, IEEE Sens. J., 6, 406 (2006).
20. K. M. Tracy, P. J. Hartlieb, S. Einfeldt, R. F. Davis, E. H. Hurt, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys., 94, 3939 (2003).
21. E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal-Semiconductor Contacts, 2nd ed., Oxford University Press, New York (1988).
22. T. U. Kampen and W. Monch, Appl. Surf. Sci., 117/118, 388 (1997).
23. L. S. Yu, Q. Z. Liu, Q. J. Xing, D. J. Qiao, and S. S. Lau, J. Appl. Phys., 84, 2099 (1998).
24. S. Oyama, T. Hashizume, and H. Hasegawa, Appl. Surf. Sci., 190, 322 (2002).