Gate-induced fermi level tuning in InP nanowires at efficiency close to the thermal limit

Nano Letters

Volumn 11, Issue 3, 2011, Pages 1127-1130

  Storm, Kristian ^a   Nylund, Gustav ^a   Borgström, Magnus ^a   Wallentin, Jesper ^a   Fasth, Carina ^a   Thelander, Claes ^a   Samuelson, Lars ^a  

^a LUND UNIVERSITY   (Sweden)

Author keywords

ambipolar; Fermi level tuning; InP; nanowire; wrap gate

Indexed keywords

AMBIPOLAR; AMBIPOLAR DEVICES; BAND GAPS; CHANNEL MATERIALS; DOPING LEVELS; DOWN-SCALING; IMPURITY CONCENTRATION; INP; METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR; P-TYPE CONDUCTION; PROCESS PARAMETERS; SUBTHRESHOLD SLOPE; SURFACE PINNING; SURFACE-TO-VOLUME RATIO; THERMAL LIMITS; WRAP GATE;

FIELD EFFECT TRANSISTORS; HAFNIUM COMPOUNDS; MOSFET DEVICES; NANOWIRES; SEMICONDUCTOR DEVICES; SEMICONDUCTOR DOPING; SEMICONDUCTOR GROWTH;

FERMI LEVEL;

EID: 79952612982     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl104032s     Document Type: Article

References (26)

1. Björk, M. T.; Ohlsson, B. J.; Sass, T.; Persson, A. I.; Thelander, C.; Magnusson, M. H.; Deppert, K.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. Nano Lett. 2002, 2, 87-89
2. Tang, X.; De, V. K.; Meindl, J. D. IEEE Trans. Very Large Scale Integr. (VLSI) Syst. 1997, 5, 369-376
3. Seoane, N.; Martinez, A.; Brown, A. R.; Barker, J. R.; Asenov, A. IEEE Trans. Electron Devices 2009, 56, 1388-1395
4. Diarra, M.; Niquet, Y.-M.; Delerue, C.; Allan, G. Phys. Rev. B 2007, 75 045301
5. Hasegawa, H.; Akazawa, M.; Domanowska, A.; Adamowicz, B. Appl. Surf. Sci. 2010, 256, 5698-5707
6. Lind, E.; Persson, M. P.; Niquet, Y. M.; Wernersson, L. E. IEEE Trans. Electron Devices 2009, 56, 201-205
7. Tanaka, T.; Tomioka, K.; Hara, S.; Motohisa, J.; Sano, E.; Fukui, T. Appl. Phys. Express 2008, 3 025003
8. Egard, M.; Johansson, S.; Johansson, A. C.; Persson, K. M.; Dey, A. W.; Borg, B. M.; Thelander, C.; Wernersson, L. E.; Lind, E. Nano Lett. 2010, 10, 809-812
9. Thelander, C.; Rehnstedt, C.; Fröberg, L. E.; Lind, E.; Märtensson, T.; Caroff, P.; Löwgren, T.; Ohlsson, B. J.; Samuelson, L.; Wernersson, L. E. IEEE Trans. Electron Devices 2008, 55, 3030-3036
10. Björk, M. T.; Hayden, O.; Schmid, H.; Riel, H.; Riess, W. Appl. Phys. Lett. 2007, 90 142110
11. Bosnick, K.; Gabor, N.; McEuen, P. Appl. Phys. Lett. 2006, 89 163121
12. Zhou, C.; Kong, J.; Yenilmez, E.; Dai, H. Science 2000, 290, 1552
13. Jiang, X. C.; Xiong, Q. H.; Nam, S.; Qian, F.; Li, Y.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2007, 7, 3214-3218
14. van Tilburg, J. W. W.; Algra, R. E.; Immink, W. G. G.; Verheijen, M.; Bakkers, E. P. A. M.; Kouwenhoven, L. P. Semicond. Sci. Technol. 2010, 25 024011
15. Wallentin, J.; Persson, J. M.; Wagner, J. B.; Samuelson, L.; Deppert, K.; Borgström, M. T. Nano Lett. 2010, 10, 974-979
16. Borgström, M. T.; Norberg, E.; Wickert, P.; Nilsson, H. A.; Trägårdh, J.; Dick, K. A.; Statkute, G.; Ramvall, P.; Deppert, K.; Samuelson, L. Nanotechnology 2008, 19 445602
17. Messing, M. E.; Dick, K. A.; Wallenberg, L. R.; Deppert, K. Gold Bull. 2009, 42, 20-26
18. Borgström, M. T.; Wallentin, J.; Trägårdh, J.; Ramvall, P.; Ek, M.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L.; Deppert, K. Nano Res. 2010, 3, 264-270
19. Ivey, D. G.; Jian, P.; Wan, L.; Bruce, R.; Eicher, S.; Blaauw, C. J. Electron. Mater. 1991, 20, 237-246
20. Ho, T.; Wang, Y.; Eichfeld, S.; Lew, K. K.; Liu, B.; Mohney, S. E.; Redwing, J. M.; Mayer, T. S. Nano Lett. 2008, 8, 4359-4364
21. Lin, Y. M.; Appenzeller, J.; Knoch, J.; Avouris, P. IEEE Trans. Nanotechnol. 2005, 4, 481-489
22. Pisana, S.; Zhang, C.; Ducati, C.; Hofmann, S.; Robertson, J. IEEE Trans. Nanotechnol. 2008, 7, 458-462
23. Thelander, C.; Fröberg, L.; Rehnstedt, C.; Samuelson, L.; Wernersson, L.-E. IEEE Electron Device Lett. 2008, 29, 206-208
24. Sze, S. In Physics of semiconductor devices; Wiley: New York, 1981.
25. Khanal, D. R.; Wu, J. Nano Lett. 2007, 7, 2778-2783
26. Bao, J.; Bell, D. C.; Capasso, F.; Wagner, J. B.; Märtensson, T.; Trägärdh, J.; Samuelson, L. Nano Lett. 2008, 8, 836-841