Effect of thermal annealing on nonvolatile memory structures containing a high-k la2O3 charge-trapping layer

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 58, Issue 2, 2011, Pages 264-269

  Kim, Dong Hak ^a   Park, Joon Won ^a   Kim, Chang Oh ^a   Chung, Haeyang ^a   Choi, Suk Ho ^a   Lim, D ^a  

^a Kyung Hee University   (South Korea)

Author keywords

Defect; Laser spike annealing; Nonvolatile memory; Thermal annealing

Indexed keywords

EID: 79951631350     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.58.264     Document Type: Article

References (20)

1. J. D. Blauwe, IEEE Trans. Nanotechnol. 1, 72 (2002).
2. H. I. Hanafi, S. Tiwari and I. Khan, IEEE Trans. Electron Devices 43, 1553 (1996).
3. C. J. Park, K. H. Cho, W. C. Yang, H. Y. Cho, S. H. Choi, R. G. Elliman, J. H. Han and C. Kim, Appl. Phys. Lett. 88, 071916 (2006).
4. S. K. Samanta, W. J. Yoo, G. Samudra, E. S. Tok, L. K. Bera and N. Balasubramanian, Appl. Phys. Lett. 87, 113110 (2005).
5. J. J. Lee, Y. Harada, J. W. Pyun and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 86, 103505 (2005).
6. G. Molas, D. Deleruyelle, B. De Salvo, G. Ghibaudo, M. Ǵely, L. Perniola, D. Lafond and S. Deleonibus, IEEE Trans. Electron Devices 53, 2610 (2006).
7. Y. Yang, A. Purwar and M. H. White, Solid-State Electron. 43, 2025 (1999).
8. S. H. Gu, T. Wang, W. P. Lu, Y. H. Ku and C. Y. Lu, Appl. Phys. Lett. 89, 163514 (2006).
9. T. M. Pan and J. W. Chen, Appl. Phys. Lett. 93, 183510 (2008).
10. H. C. You, T. H. Hsu, F. H. Ko, J. W. Huang, W. L. Yang and T. F. Lei, IEEE Electron Device Lett. 27, 653 (2006).
11. T. H. Hsu, H. C. You, F. H. Ko and T. F. Lei, J. Electrochem. Soc. 153, G934 (2006).
12. T. M. Pan and W. W. Yeh, Appl. Phys. Lett. 92, 173506 (2008).
13. T. M. Pan, F. H. Chen and J. S. Jung, Appl. Phys. Lett. 96, 102904 (2010).
14. J. W. Park, D. H. Kim, Y. M. Chang, H. Chung and D. Lim, J. Korean Phys. Soc. 54, 1564 (2009).
15. Y. F. Chong, K. L. Pey, A. T. S. Wee, A. See, L. Chan, Y. F. Lu, W. D. Song and L. H. Chua, Appl. Phys. Lett. 76, 3197 (2000).
16. J. A. Sharp, A. J. Smith, R. P. Webb, K. J. Kirkby, N. E. B. Cowern, D. Giubertoni, S. Gennaro, M. Bersani, M. A. Foad, P. F. Fazzini and F. Cristiano, Appl. Phys. Lett. 92, 082109 (2008).
17. D. H. Kim, J. W. Park, Y. M. Chang, H. Chung and D. Lim, Thin Solid Films 518, 2812 (2010).
18. K. Xiong and J. Robertson, Microelectron. Eng. 86, 1672 (2009).
19. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS Physics and Technolog (Wiley, New York, 1982).
20. S. H. Jo, J. S. Ha, N. K. Park, D. K. Kang and B. H. Kim, Thin Solid Films 513, 253 (2006).