A high- k Y2 O3 charge trapping layer for nonvolatile memory application

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 17, 2008, Pages

  Pan, Tung Ming ^a   Yeh, Wen Wei ^a  

^a CHANG GUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CHARGE TRAPPING; HOT ELECTRONS; OXIDE FILMS; SILICON; THRESHOLD VOLTAGE; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

BAND TO BAND HOT HOLE; DATA RETENTION; HOT ELECTRON INJECTION; VOLTAGE SHIFTING;

NONVOLATILE STORAGE;

EID: 43049147053     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2919086     Document Type: Article

References (15)

1. X. Wang, J. Liu, W. Bai, and D. L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices 51, 597 (2004).
2. J. H. Kim and J. B. Choi, IEEE Trans. Electron Devices 51, 2048 (2004).
3. Y. M. Niquet, G. Allan, C. Delerue, and M. Lannoo, Appl. Phys. Lett. 77, 1182 (2000).
4. J. J. Welser, S. Tiwari, S. Rishton, K. Y. Lee, and Y. Lee, IEEE Electron Device Lett. 18, 278 (1997).
5. C. G. Ahn, K. Im, J. H. Yang, I. B. Baek, S. Lee, and K. S. Lim, Appl. Phys. Lett. 88, 223502 (2006).
6. J. H. Chen, W. J. Yoo, D. S. H. Chan, and L. J. Tang, Appl. Phys. Lett. 86, 073114 (2005).
7. M. L. Ostraat, J. W. De Blauwe, M. L. Green, L. D. Bell, M. L. Brongersma, J. Casperson, R. C. Flagan, and H. A. Atwater, Appl. Phys. Lett. 79, 433 (2001).
8. T. S. Chen, K. H. Wu, H. Chung, and C. H. Kao, IEEE Electron Device Lett. 25, 205 (2004).
9. H. C. You, T. H. Hsu, F. H. Ko, J. W. Huang, W. L. Yang, and T. F. Lei, IEEE Electron Device Lett. 27, 653 (2006).
10. Y. N. Tan, W. K. Chim, B. J. Cho, and W. K. Choi, IEEE Trans. Electron Devices 51, 1143 (2004).
11. X. Wang and D. L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices 53, 78 (2006).
12. M. H. Cho, D. H. Ko, K. Jeong, S. W. Whangbo, C. N. Whang, S. C. Choi, and S. J. Cho, J. Appl. Phys. 85, 2909 (1999).
13. J. F. Moulder, W. F. Stickle, P. E. Sobol, and K. D. Bomben, Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy (Perkin-Elmer, Eden Prairie, MN, 1992).
14. C. Durand, C. Dubourdieu, C. Vallee, E. Gautier, F. Ducroquet, D. Jalabert, H. Roussel, M. Bonvalot, and O. Joubert, J. Electrochem. Soc. 152, F217 (2005).
15. W. J. Zhu, T. P. Ma, T. Tamagawa, J. Kim, and Y. Di, IEEE Electron Device Lett. 23, 97 (2002).