Effect of electron leakage on efficiency droop in wide-well InGaN-based light-emitting diodes

Applied Physics Express

Volumn 4, Issue 1, 2011, Pages

  Chang, Liann Be ^a   Lai, Mu Jen ^a   Lin, Ray Ming ^a   Huang, Chou Hsiung ^a  

^a CHANG GUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DOUBLE HETEROSTRUCTURES; ELECTRON LEAKAGE; EXTERNAL QUANTUM EFFICIENCY; HOLE INJECTION; INGAN QUANTUM WELLS; MEASUREMENT RANGE; P-TYPE; START POINT; TEST STRUCTURE;

ELECTRONS; LIGHT EMISSION; LIGHT EMITTING DIODES;

QUANTUM EFFICIENCY;

EID: 79251536203     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.4.012106     Document Type: Article

References (24)

1. A. Y. Kim, W. Götz, D. A. Steigerwald, J. J. Wierer, N. F. Gardner, J. Sun, S. A. Stockman, P. S. Martin, M. R. Krames, R. S. Kern, and F. M. Steranka: Phys. Status Solidi A 188 (2001) 15.
2. A. A. Efremov, N. I. Bochkareva, R. I. Gorbunov, D. A. Larinovch, Yu. T. Rebane, D. V. Tarkhin, and Yu. G. Shreter: Semiconductors 40 (2006) 605.
3. I. V. Rozhansky and D. A. Zakheim: Phys. Status Solidi A 204 (2007) 227.
4. S. H. Han, D. Y. Lee, S. J. Lee, C. Y. Cho, M. K. Kwon, S. P. Lee, D. Y. Noh, D. J. Kim, Y. C. Kim, and S. J. Park: Appl. Phys. Lett. 94 (2007) 231123.
5. Y. C. Shen, G. O. Mueller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 141101.
6. N. F. Gardner, G. O. Mueller, Y. C. Shen, G. Chen, and S. Watanabe: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 243506.
7. M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 183507.
8. M. F. Schubert, J. Xu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, S. Yoon, S. M. Lee, C. Sone, T. Sakong, and Y. Park: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 041102.
9. I. A. Pope, P. M. Smowton, P. Blood, J. D. Thomson, M. J. Kappers, and C. J. Humphreys: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 2755.
10. B. Monemar and B. E. Sernelius: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 181103.
11. X. Ni, Q. Fan, R. Shimada, Ü. Özgür, and H. Morkoç: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 171113.
12. N. I. Bochkareva, V. V. Voronenkov, R. I. Gobunov, A. S. Zubrilov, Y. S. Lelikov, P. E. Latyshev, Y. T. Rebane, A. I. Tsyuk, and Y. G. Shreter: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 133502.
13. M. Maier, T. Passow, M. Kunzer, W. Pletschen, K. Köhler, and J. Wagner: Phys. Status Solidi C 7 (2010) 2148.
14. C. Liu, W. N. Wang, P. A. Shields, S. Denchitcharoen, F. Causa, and D. E. W. Allsopp: Proc. SPIE 7058 (2008) 70580D.
15. X. Ni, X. Li, J. Lee, S. Liu, V. Avrutin, Ü.Özgür, H. Morkoc, A. Matuilionis, T. Paskova, G. Mulholland, and K. R. Evans: Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 031110.
16. D. Zhu, A. N. Noemaun, M. F. Schubert, J. Cho, E. F. Schubert, M. H. Crawford, and D. D. Koleske: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 121110.
17. M. J. Lai, L. B. Chang, R. M. Lin, and C. S. Huang: Appl. Phys. Express 3 (2010) 072102.
18. J. Hader, J. V. Moloney, B. Pasenow, S. W. Koch, M. Sabathil, N. Linder, and S. Lutgen: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 261103.
19. M. F. Schubert, J. Xu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, S. Yoon, S. M. Lee, C. Sone, T. Sakong, and Y. Park: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 041102.
20. J. Y. Chang, M. C. Tsai, and Y. K. Kuo: Opt. Lett. 35 (2010) 1368.
21. S. Choi, H. J. Kim, S. S. Kim, J. Liu, J. Kim, J. H. Ryou, R. D. Dupuis, A. M. Fischer, and F. A. Ponce: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 221105.
22. H. J. Chung, R. J. Choi, M. H. Kim, J. W. Han, Y. M. Park, Y. S. Kim, H. S. Paek, C. Sone, Y. J. Park, J. K. Kim, and E. F. Schubert: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 241109.
23. S. H. Yen, M. C. Tsai, M. L. Tsai, Y. J. Shen, T. C. Hsu, and Y. K. Kuo: IEEE Photonic Technol. Lett. 21 (2009) 975.
24. K. J. Vampola, M. Iza, S. Keller, S. P. DenBaars, and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 94 (2009) 061116.