Defect related issues in the "current roll-off" in InGaN based light emitting diodes

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 18, 2007, Pages

  Monemar, B ^a   Sernelius, B E ^a  

^a LINKÖPING UNIVERSITY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRONS; PHONONS; QUANTUM EFFICIENCY; SCREENING; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

CURRENT ROLL-OFF; LOCALIZATION POTENTIALS; PARASITIC TUNNELING CURRENT; THREADING DISLOCATIONS;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 35648955103     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2801704     Document Type: Article

References (26)

1. Y. Narukawa, J. Narita, T. Sakamoto, T. Yamada, H. Narimatsu, M. Sano, and T. Mukai, Phys. Status Solidi A 204, 2087 (2007).
2. S. F. Chichibu, A. Shikanai, T. Deguchi, A. Setohuchi, R. Nakai, H. Nakanishi, K. Wada, S. P. DenBaars, T. Sota, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 2417 (2000).
3. X. A. Cao, S. F. LeBoeuf, M. P. Dvelyn, S. D. Arthur, J. Kretchmer, C. H. Yan, and Z. H. Yang, Appl. Phys. Lett. 84, 4313 (2004).
4. K. A. Bulashevich, V. F. Mymrin, S. Yu. Karpov, I. A. Zhmakin, and A. I. Zhmakin, J. Comput. Phys. 213, 214 (2006).
5. I. V. Rozhansky and D. A. Zakhiem, Semiconductors 40, 839 (2006).
6. K.-C. Kim, M. C. Schmidt, H. Sato, F. Wu, N. Fellows, M. Saito, K. Fujito, J. S. Speck, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, Phys. Status Solidi A 1, 125 (2007).
7. B. Monemar, J. P. Bergman, J. Dalfors, G. Pozina, B. E. Sernelius, P. O. Holtz, H. Amano, and I. Akasaki, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.5 (1999).
8. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
9. S. W. Lee, D. C. Oh, H. Goto, J. S. Ha, H. J. Lee, T. Hanada, M. W. Cho, T. Yao, S. K. Hong, H. Y. Lee, S. R. Cho, J. W. Choi, J. H. Choi, J. H. Jang, J. E. Shin, and J. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 89, 132117 (2006).
10. B. Monemar, P. P. Paskov, G. Pozina, T. Paskova, J. P. Bergman, M. Iwaya, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Status Solidi B 228, 157 (2001).
11. T. M. Smeeton, M. J. Kappers, J. S. Barnard, M. E. Vickers, and C. J. Humphreys, Appl. Phys. Lett. 83, 5419 (2003).
12. B. Monemar, P. P. Paskov, J. P. Bergman, G. Pozina, V. Darakchieva, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 7, 7 (2002).
13. D. M. Graham, A. Soltani-Vala, P. Dawson, M. J. Godfrey, T. M. Smeeton, J. S. Barnard, M. J. Kappers, C. J. Humphreys, and E. J. Thrush, J. Appl. Phys. 97, 103508 (2005).
14. P. R. C. Kent and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 79, 1977 (2001).
15. S. F. Chichibu, A. Uedono, T. Onuma, B. A. Haskell, A. Chakraborty, T. Koyama, P. T. Fini, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. Nakamura, S. Yamaguchi, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, J. Han, and T. Sota, Nat. Mater. 5, 810 (2006).
16. T. Ando, A. B. Fowler, and F. Stern, Rev. Mod. Phys. 54, 437 (1982).
17. E. G. Brazel, M. A. Chin, and V. Narayanamurti, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.123853 74, 2367 (1999); J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, S. Richter, S. N. G. Chu, A. M. Sergent, R. N. Kleiman, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1356450 78, 1685 (2001); E. J. Miller, D. M. Schaadt, E. T. Yu, C. Poblenz, C. Elsass, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 91, 9821 (2002).
18. E. G. Brazel, M. A. Chin, and V. Narayanamurti, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.123853 74, 2367 (1999); J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, S. Richter, S. N. G. Chu, A. M. Sergent, R. N. Kleiman, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1356450 78, 1685 (2001); E. J. Miller, D. M. Schaadt, E. T. Yu, C. Poblenz, C. Elsass, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 91, 9821 (2002).
19. E. G. Brazel, M. A. Chin, and V. Narayanamurti, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.123853 74, 2367 (1999); J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, S. Richter, S. N. G. Chu, A. M. Sergent, R. N. Kleiman, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1356450 78, 1685 (2001); E. J. Miller, D. M. Schaadt, E. T. Yu, C. Poblenz, C. Elsass, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 91, 9821 (2002).
20. A. M. Frens, M. T. Bennebroek, A. Zakrzewski, J. Schmidt, W. M. Chen, E. Janźn, J. L. Lindström, and B. Monemar, Phys. Rev. Lett. 72, 2939 (1994).
21. J. E. Northrup, Phys. Rev. B 66, 045204 (2002).
22. E. Müller, D. Gerthsen, P. Brückner, F. Scholz, Th. Gruber, and A. Waag, Phys. Rev. B 73, 245316 (2006).
23. D. Cherns, C. G. Jiao, H. Mokhtari, J. Cai, and F. A. Ponce, Phys. Status Solidi B 234, 924 (2002).
24. T. Miyakawa and D. L. Dexter, Phys. Rev. B 1, 2961 (1970). This paper includes a description of excitation transfer involving electrons at ions in solids, analogous to the case with deep levels in semiconductors.
25. X. A. Cao, J. M. Teetsov, S. F. LeBoeuf, S. D. Arthur, and J. Kretchmer, Materials Research Conference Proceeding, 2005, Paper No. E10.7, Vol. 831.
26. T. Holstein, S. K. Lyo, and R. Orbach, in Topics in Applied Physics, Laser Spectroscopy of Solids Vol. 49, Edited by, W. M. Yen, and, P. M. Selzer, (Springer-Verlag, Heidelberg, 1981), pp 39-82.