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Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 24, Issue 2, 2006, Pages 845-851

Buffer controlled GaN nanorods growth on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy

(6) Hsiao, C L a Tu, L W a Chi, T W a Seo, H W a Chen, Q Y a Chu, W K a

a NONE

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EPITAXIAL GROWTH; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PLASMAS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SILICON;

BUFFER LAYER; NANORODS; PLASMA-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 33645520284 PISSN: 10711023 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1116/1.2186342 Document Type: Article

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