Fabrication of patterned sapphire substrate by wet chemical etching for maskless lateral overgrowth of GaN

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 153, Issue 3, 2006, Pages

  Wang, Jing ^a   Guo, L W ^a   Jia, H Q ^a   Wang, Y ^a   Xing, Z G ^a   Li, W ^a   Chen, H ^a   Zhou, J M ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DISLOCATIONS (CRYSTALS); EPITAXIAL GROWTH; ETCHING; MORPHOLOGY; SAPPHIRE; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY;

ETCHING TIME; LATERAL EPITAXIAL OVERGROWTH; MASKLESS LATERAL OVERGROWTH; WET CHEMICAL ETCHING;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 32044466210     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2163813     Document Type: Article

References (17)

1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser, Springer, Berlin (1997).
2. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Touoda, Appl. Phys. Lett., 48, 353 (1986).
3. T. W. Weeks, Jr., M. Bremser, K. Ailey, E. Carlson, W. Perry, E. Piner, M. El Masry, and R. F. Davis, J. Mater. Res., 11, 1011 (1996).
4. A. Strittmatter, A. Krost, J. Bläsing, and D. Bimberg, Phys. Status Solidi B, 216, 611 (1999).
5. J. S. Speck and S. J. Ronsner, Physica B, 273-274, 24 (1999).
6. D. Kapolnek, S. Keller, R. Vetury, R. D. Underwood, P. Kozodoy, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett., 71, 1204 (1997).
7. T. S. Zheleva, S. A. Smith, D. B. Thomson, T. Gehrke, K. J. Linthicum, P. Rajagopal, E. Carlson, W. M. Ashmawi, and R. R. Davis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4S1, G3.38 (1999).
8. K. Hiramatsu, K. Nishiyama, M. Onishi, H. Mizutani, M. Narukawa, A. Motogaito, H. Miyake, Y. Iyechika, and T. Maeda, J. Cryst. Growth, 221, 316 (2000).
9. T. M. Katona, M. D. Craven, P. T. Fini, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett., 79, 2907 (2001).
10. C. H. Jeong, D. W. Kim, J. W. Bae, Y. J. Sung, J. S. Kwak, Y. J. Park, and G. Y. Yeom, Mater. Sci. Eng., B, 93, 60 (2002).
11. D. W. Kim, C. H. Jeong, K. N. Kim, H. Y. Lee, H. S. Kim, Y. J. Sung, and G. Y. Yeom, Thin Solid Films, 435, 242 (2003).
12. K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Imada, M. Kato, and T. Taguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 40, L583 (2001).
13. M. Kappelt and D. Bimberg, J. Electrochem. Soc., 143, 3271 (1996).
14. J. Wang, L. W. Guo, H. Q. Jia, Z. G. Xing, Y. Wang, H. Chen, and J. M. Zhou, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 44, L982 (2005).
15. F. Dwikusuma, D. Saulys, and T. F. Kuech, J. Electrochem. Soc., 149, G603 (2002).
16. W. Kern, RCA Rev., 39, 278 (1978).
17. J. R. Mileham, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, R. J. Shul, and S. P. Kilcoyne, Appl. Phys. Lett., 67, 1119 (1995).