A growth and morphology study of organic vapor phase deposited perylene diimide thin films for transistor applications

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 114, Issue 6, 2010, Pages 2730-2737

  Vasseur, Karolien ^a,b   Rolin, Cédric ^a   Vandezande, Stijn ^c   Temst, Kristiaan ^c   Froyen, Ludo ^b   Heremans, Paul ^a,d  

^a IMEC   (Belgium)

^b UNIVERSITY OF LEUVEN   (Belgium)

^c KU LEUVEN   (Belgium)

^d Katholieke Universiteit Leuven   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHAMBER PRESSURE; DEPOSITION FLUXES; DEPOSITION TECHNIQUE; ELECTRICAL PROPERTY; ELECTRICAL QUALITY; HIGH-THROUGHPUT; INDEPENDENT CONTROL; METHYLSTYRENE; MORPHOLOGY TRANSITIONS; N-TYPE ORGANIC SEMICONDUCTOR; N-TYPE SEMICONDUCTORS; ORGANIC VAPOR PHASE DEPOSITION; ORGANIC VAPORS; PERYLENEDIIMIDES; PERYLENETETRACARBOXYLIC DIIMIDES; PRESSURE SHIFT; STRANSKI-KRASTANOV GROWTH; SUBSTRATE TEMPERATURE; X-RAY REFLECTIVITY MEASUREMENTS;

ELECTRIC PROPERTIES; ELECTRON MOBILITY; ELECTRON TRANSITIONS; HIGH PRESSURE EFFECTS; MORPHOLOGY; ORGANIC POLYMERS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SILICON COMPOUNDS; THERMAL EVAPORATION; THIN FILMS; VAPOR PHASE EPITAXY; VAPORS;

DEPOSITION;

EID: 77249140734     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp909242n     Document Type: Article

References (52)

1. Sirringhaus, H. Proc. IEEE 2009, 97, 1570-1579.
2. Yagi, I.; Hirai, N.; Noda, M.; Imaoka, A.; Yasuda, R.; Yoneya, N.; Nomoto, K.; Kashara, J.; Yumoto, A.; Urabe, T. Proc. Soc. Inf. Display (SID) 2007, Long Beach, CA, 1753-1756.
3. Someya, T.; Kato, Y.; Sekitani, T.; Iba, S.; Noguchi, Y.; Murase, Y.; Kawaguchi, H.; Sakurai, T. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2005, 102, 12321-12325.
4. Forrest, S. R. Nature 2004, 428, 911-918.
5. Yang, F.; Shtein, M.; Forrest, S. R. J. Appl. Phys. 2005, 98, 014906.
6. OVPD is a technology by UDC exclusively licensed to AIXTRON for equipment manufacturing. The term OVPD is a trademark of AIXTRON.
7. Baldo, M.; Deutsch, M.; Burrows, P.; Gossenberger, H.; Gerstenberg, M.; Ban, V.; Forrest, S. R. Adv. Mater. 1998, 10, 1505-1514.
8. Schwambera, M. Proc. ASID 2006; Oct. 8-12, New Dehli.
9. Shtein, M.; Peumans, P.; Benziger, J. B.; Forrest, S. R. Adv. Mater. 2004, 16, 1615-1620.
10. Rolin, C.; Steudel, S.; Vicca, P.; Genoe, J.; Heremans, P. Appl. Phys. Express 2009, 2, 086503.
11. Yang, F.; Shtein, M.; Forrest, S. R. Nat. Mater. 2005, 4, 37-41.
12. Rusu, M.; Gasiorowski, J.; Wiesner, S.; Meyer, N.; Heuken, M.; Fostiropoulos, K.; Lux-Steiner, M. Ch. Thin Solid Films 2008, 516, 7160-7166.
13. Bode, D.; Rolin, C.; Schols, S.; Debucquoy, M.; Steudel, S.; Gelinck, G. H.; Genoe, J.; Heremans, P. IEEE Trans. Electron Devices 2010, 57, 201-208.
14. Chesterfield, R. J.; McKeen, J. C.; Newman, C. R.; Ewbank, P. C.; da Silva Filho, D. A.; Brédas, J.-L.; Miller, L. L.; Mann, K. R.; Frisbie, C. D. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 19281-19292.
15. Chesterfield, R. J.; McKeen, J. C.; Newman, C. R.; Frisbie, C. D.; Ewbank, P. C.; Mann, K. R.; Miller, L. L. J. Appl. Phys. 2004, 95, 6396-6405.
16. Jones, B. A.; Facchetti, A.; Wasielewski, M. R.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 15259-15278.
17. Hosoi, Y.; Furukawa, Y. Mol. Cryst. Liq. Cryst. 2007, 462, 37-43.
18. Malenfant, P. R. L.; Dimitrakopoulos, C. D.; Gelorme, J. D.; Kosbar, L. L.; Graham, T. O.; Curioni, A.; Andreoni, W. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2517-2519.
19. Puigdollers, J.; Pirriera, M. D.; Marsal, A.; Orpella, A.; Cheylan, S.; Voz, C.; Alcubilla, R. Thin Solid Films 2009, 517, 6271-6274.
20. Gundlach, D. J.; Pernstich, K. P.; Wilckens, G.; Grüter, M.; Haas, S.; Batlogg, B. J. Appl. Phys. 2005, 98, 064502.
21. Tatemichi, S.; Ichikawa, M.; Koyama, T.; Taniguchi, Y. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 112108.
22. Rolin, C.; Vasseur, K.; Schols, S.; Jouk, M.; Duhoux, G.; Müller, R.; Genoe, J.; Heremans, P. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 033305.
23. Kitamura, M.; Arakawa, Y. J. Phys.: Condens. Matter 2008, 20, 184011.
24. Kelley, T. W.; Muyres, D. V.; Baude, P. F.; Smith, T. P.; Jones, T. D. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2003, 771, 199.
25. Nunes, G., Jr.; Zane, S. G.; Meth, J. S. J. Appl. Phys. 2005, 98, 104503.
26. Rolin, C.; Steudel, S.; Myny, K.; Cheyns, D.; Verlaak, S.; Genoe, J.; Heremans, P. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 203502.
27. Jones, B. A.; Facchetti, A.; Wasielewski, M. R.; Marks, T. J. Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 1329-1339.
28. Fullerton, E. E.; Schuller, I. K.; Vanderstraeten, H.; Bruynseraede, Y. Phys. Rev. B 1992, 45, 9292-9310.
29. Vanderstraeten, H.; Neerinck, D.; Temst, K.; Bruynseraede, Y.; Fullerton, E. E.; Schuller, I. K. J. Appl. Crystallogr. 1991, 24, 571-575.
30. Venables, J. A.; Spiller, G. D. T.; Hanbücken, M. Rep. Prog. Phys. 1984, 47, 399-459.
31. Rolin, C.; Vasseur, K.; Genoe, J.; Heremans, P. Org. Electron. 2010, 11, 100-108.
32. Petit, M.; Hayakawa, R.; Wakayama, Y.; Chikyow, T. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 12747-12751.
33. Hayakawa, R.; Petit, M.; Wakayama, Y.; Chikyow, T. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 18703-18707.
34. Hayakawa, R.; Zhang, X. N.; Dosch, H.; Hiroshiba, N.; Chikyow, T.; Wakayama, Y. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 2197-2199.
35. Zhang, X. N.; Barrena, E.; de Oteyza, D. G.; Dosch, H. Surf. Sci. 2007, 601, 2420-2425.
36. Zhang, X. N.; Barrena, E.; Goswami, D.; de Oteyza, D. G.; Weis, C.; Dosch, H. Phys. Rev. Lett. 2009, 103, 136101.
37. de Oteyza, D. G.; Krauss, T. N.; Barrena, E.; Sellner, S.; Dosch, H. Appl. Phys. Lett. 2007, 30, 243104.
38. Fenter, P.; Schreiber, F.; Zhou, L.; Eisenberger, P.; Forrest, S. R. Phys. Rev. B 1997, 56, 3046-3053.
39. Ruiz, R.; Choudhary, D.; Nickel, B.; Toccoli, T.; Chang, K.-C.; Mayer, A. C.; Clancy, P.; Blakely, J. M.; Headrick, R. L.; Iannotta, S.; Malliaras, G. G. Chem. Mater. 2004, 16, 4497-4508.
40. Lunt, R.; Benziger, J. B.; Forrest, S. R. Adv. Mater. 2007, 19, 4229-4233.
41. Krauss, T. N.; Barrena, E.; Zhang, X. N.; de Oteyza, D. G.; Major, J.; Dehm, V.; Würthner, F.; Cavalcanti, L. P.; Dosch, H. Langmuir 2008, 24, 12742-12744.
42. Verlaak, S.; Steudel, S.; Heremans, P.; Janssen, D.; Deleuze, M. S. Phys. Rev. B 2003, 68, 195409.
43. Struijk, C. W.; Sieval, A. B.; Dakhorst, J. E. J.; van Dijk, M.; Kimkes, P.; Koehorst, R. B. M.; Donker, H.; Schaafsma, T.; Picken, S. J.; van de Craats, A. M.; Warman, J. M.; Zuilhof, H.; Sudhölter, E. J. R. J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 11057-11066.
44. Balakrishnan, K.; Datar, A.; Naddo, T.; Huang, J.; Oitker, R.; Yen, M.; Zhao, J.; Zang, L. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 7390-7398.
45. Hädicke, E.; Graser, F. Acta Crystallogr. 1986, C42, 189-195.
46. Klebe, G.; Graser, F.; Hädicke, E.; Berndt, J. Acta Crystallogr. 1989, B45, 69-77.
47. Liu, S. G.; Sui, G.; Cormier, R. A.; Leblanc, R. M.; Gregg, B. A. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 1307-1315.
48. Katz, H. E.; Bao, Z. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 671-678.
49. Krauss, N. K.; Barrena, E.; de Oteyza, D. G.; Zhang, X. N.; Major, J.; Dehm, V.; Würthner, F.; Dosch, H. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 4502-4506.
50. Verlaak, S.; Heremans, P. Phys. Rev. B 2007, 75, 115127.
51. Podzorov, V.; Menard, E.; Borissov, A.; Kiryukhin, V.; Rogers, J. A.; Gershenson, M. E. Phys. Rev. Lett. 2004, 93, 086602.
52. Kim, C.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Science 2007, 318, 76-80.