Evolution of quaterrylene thin films on a silicon dioxide surface using an ultraslow deposition technique

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 111, Issue 50, 2007, Pages 18703-18707

  Hayakawa, Ryoma ^a   Petit, Matthieu ^a   Wakayama, Yutaka ^a,b   Chikyow, Toyohiro ^a  

^a NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

^b Japan Science and Technology Agency   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CRYSTAL LATTICES; FILM THICKNESS; SILICA; VACUUM DEPOSITION; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

GROWTH PARAMETERS; ULTRALOW FLUX RATE; ULTRASLOW DEPOSITION TECHNIQUE;

THIN FILMS;

EID: 38149048146     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp076308v     Document Type: Article

References (24)

1. Forrest, S. R. Nature 2005, 428, 911.
2. Witte, G.; Woll, C. J. Mater. Res. 2004, 19, 1889.
3. Heutz, S.; Cloots, R.; Jones, T. S. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 3938.
4. Kelley, T. W.; Baude, P. F.; Gerlanch, C.; Ender, D. E.; Muyres, D.; Haase, M. A.; Voge, D. E.; Theiss, S. D. Chem. Mater. 2004, 16, 4413.
5. Podzorov, V.; Sysoev, S. E.; Loginova, E.; Pudalov, V. M.; Gershenson, M. E. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3504.
6. Sirringhaus, H.; Friend, R. H.; Li, X. C.; Moratti, S. C.; Holmes, A. B.; Feeder, N. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 3871.
7. Knipp, D.; Street, R. A.; Volkel, A.; Ho, J. J. Appl. Phys. 2003, 93, 347.
8. Klauk, H.; Halik, M.; Zschieschaang, U.; Schmid, G.; Radlik, W.; Weber, W. J. Appl. Phys. 2002, 92, 5259.
9. Knipp, D.; Street, R. A.; Krusor, B.; Apte, R.; Ho, J. Non-Cryst. Solids 2002, 299, 1042.
10. Maeda, T.; Kobayashi, T.; Nemot, T.; Isoda, S. Philos. Mag. B 2001, 81, 1659.
11. Franke, R.; Franke, S.; Wagner, C.; Dienel, T.; Fritz, T.; Mannsfeld, S. C. B. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 161907.
12. Luis, J. P.; Minoia, A.; Ujii, H.; Rovira, C.; Cornil, J.; Feyter, S. D.; Lazzaroni, R.; Amabilino, D. B. J. Am. Chem. 2006, 128, 12602.
13. Sasaki, H.; Wakayama, Y.; Chikyow, T.; Barrena, E.; Dosh, H.; Kobayashi, K. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 08197.
14. Yanagisawa, H.; Tamaki, T.; Nakamura, M.; Kudo, K. Thin Solid Films 2004, 464-465, 398.
15. Durr, A. C.; Koch, N.; Kelsch, M.; Ruhm, A.; Ghijsen, J.; Johnson, R. L.; Pireaux, J. J.; Schwartz, J.; Schreiber, F.; Dosch, H.; Kahn, A. Phys. Rev. B 2003, 68, 115428.
16. Yang, S. Y.; Shin, K.; Kim, S. H.; Jeon, H.; Kang, J. H.; Yang, H.; Park, C. E. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 20302.
17. Ishizaka, A.; Shiraki, Y. J. Electrochem. Soc. 1986, 133, 666.
18. Biscarini, F.; Zamboni, R.; Samori, P.; Ostoja, P.; Taliani, C. Phys. Rev. B 1995, 52, 14868.
19. Luo, Y.; Wang, G.; Theobald, J. A.; Beton, P. H. Surf. Sci. 2003, 537, 241.
20. Durr, A. C.; Nickel, B.; Sharma, V.; Taffner, U.; Dosch, H. Thin Solid Films 2006, 503, 127.
21. Biscarini, F.; Zamboni, R.; Samori, P.; Ostoja, P.; Taliani, C. Phys. Rev. B 1995, 52, 14868.
22. Wang, S. D.; Dong, X.; Lee, C. S.; Lee, S. T. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 9892.
23. Ruiz, R.; Choudhary, D.; Nickel, B.; Toccoli, T.; Chang, K. C.; Mayer, A. C.; Clancy, P.; Blakely, J. M.; Headrick, R.; Iannotta, S.; Malliaras, G. G. Chem. Mater. 2004, 16, 4497.
24. Collet, J.; Tharaud, O.; Chapoton, A.; Vuillaume, D. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1941.