AlInGaN metal-insulator-semiconductor photodetectors at UV-C 280 nm

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 12, Issue 10, 2009, Pages

  Lee, H C ^a   Su, Y K ^a,d   Lin, J C ^b   Cheng, Y C ^b   Wu, S L ^c   Jhou, Y D ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b CHUNG SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

^c CHENG SHIU UNIVERSITY   (Taiwan)

^d KUN SHAN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES; ALINGAN; ALUMINUM INDIUM GALLIUM NITRIDE; INSULATING LAYERS; INTERFACE STATE; METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTORS; SURFACE BARRIER;

ALUMINA; ALUMINUM GALLIUM NITRIDE; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; INSULATING MATERIALS; INSULATION; LATTICE MISMATCH; METAL INSULATOR BOUNDARIES; MIS DEVICES; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTODETECTORS; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTING INDIUM; SEMICONDUCTING SILICON;

SEMICONDUCTOR INSULATOR BOUNDARIES;

EID: 68949146659     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.3182808     Document Type: Article

References (24)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. C. Nagahama, Appl. Phys. Lett., 67, 1868 (1995). 10.1063/1.114359
2. J. C. Lin, Y. K. Su, S. J. Chang, W. H. Lan, K. C. Huang, W. R. Chen, Y. C. Cheng, and W. J. Lin, IET Optoelectron., 1, 23 (2007). 10.1049/iet-opt: 20060031 (Pubitemid 47365889)
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 36, L1059 (1997). 10.1143/JJAP.36.L1059
4. G. Mazzeo, J.-L. Reverchon, J.-Y. Duboz, and A. Dussaigne, IEEE Sens. J., 6, 957 (2006). 10.1109/JSEN.2006.877951 (Pubitemid 44192248)
5. S. J. Chang, T. K. Ko, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, S. C. Shei, J. K. Sheu, W. C. Lai, Y. C. Lin, W. S. Chen, IEEE Sens. J., 6, 406 (2006). 10.1109/JSEN.2006.870151
6. D. Walker, E. Monroy, P. Kung, J. Wu, M. Hamilton, F. J. Sanchez, J. Diaz, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett., 74, 762 (1999). 10.1063/1.123303
7. W. Saito, T. Nitta, Y. Kakiuchi, Y. Saito, K. Tsuda, I. Omura, and M. Yamaguchi, IEEE Electron Device Lett., 29, 8 (2008). 10.1109/LED.2007.910796
8. H. Xu, S. Gao, S. Heikman, S. I. Long, U. K. Mishra, and R. A. York, IEEE Microw. Wirel. Compon. Lett., 16, 22 (2006). 10.1109/LMWC.2005.861355 (Pubitemid 43068731)
9. E. Monroy, F. Calle, J. L. Pau, F. J. Sanchez, and E. Munoz, J. Appl. Phys., 88, 2081 (2000). 10.1063/1.1305838
10. S.-S. Liu, P.-W. Li, W. H. Lan, and W.-J. Lin, Mater. Sci. Eng., B, 122, 196 (2005). 10.1016/j.mseb.2005.06.009 (Pubitemid 41230813)
11. T. Li, D. J. H. Lambert, M. M. Wong, C. J. Collins, B. Yang, A. L. Beck, U. Chowdhury, R. D. Dupuis, and J. C. Campbell, IEEE J. Quantum Electron., 37, 538 (2001). 10.1109/3.914403 (Pubitemid 32400341)
12. M. F. Wu, S. Yao, A. Vantomme, S. Hogg, G. Langouche, W. Van der Stricht, K. Jacobs, I. Moerman, J. Li, and G. Y. Zhang, Mater. Sci. Eng., B, 75, 232 (2000). 10.1016/S0921-5107(00)00371-8
13. B. Monemar, J. Mater. Sci., 10, 227 (1999).
14. H. Hirayama, K. Akita, T. Kyono, T. Nakamura, and K. Ishibashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 43, L1241 (2004). 10.1143/JJAP.43.L1241
15. J. Li, K. B. Nam, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett., 78, 61 (2001). 10.1063/1.1331087 (Pubitemid 33661757)
16. T. N. Oder, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett., 77, 791 (2000). 10.1063/1.1306540
17. M. E. Aumer, S. F. LeBoeuf, S. M. Bedair, M. Smith, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett., 77, 821 (2000). 10.1063/1.1306648
18. M. A. Khan, J. W. Yang, G. Simin, R. Gaska, M. S. Shur, H. C. Loye, G. Tamulaitis, A. Zukauskas, D. J. Smith, D. Chandrasekhar, Appl. Phys. Lett., 76, 1161 (2000). 10.1063/1.125970
19. Y. D. Jhou, S. J. Chang, Y. K. Su, C. H. Chen, H. C. Lee, C. H. Liu, and Y. Y. Lee, IET Optoelectron., 2, 42 (2008). 10.1049/iet-opt:20070020 (Pubitemid 351263143)
20. J. C. Zhang, M. F. Wu, J. F. Wang, J. P. Liu, Y. T. Wang, J. Chen, R. Q. Jina, and H. Yang, J. Cryst. Growth, 270, 289 (2004). 10.1016/j.jcrysgro.2004. 06.028
21. J. J. Zhou, B. Wen, R. L. Jiang, C. X. Liu, X. L. Ji, Z. L. Xie, D. J. Chen, P. Han, R. Zhang, and Y. D. Zheng, Chin. Phys., 16, 2120 (2007). 10.1088/1009-1963/16/7/054 (Pubitemid 47160378)
22. S. M. Sze, Semiconductor Device Physics and Technology, p. 362, John Wiley & Sons, Taiwan (1983).
23. H. X. Jiang and J. Y. Lin, Opto-Electron. Rev., 10, 271 (2002).
24. T. K. Ko, S. J. Chang, J. K. Sheu, S. C. Shei, Y. Z. Chiou, M. L. Lee, C. F. Shen, S. P. Chang, and K. W. Lin, Semicond. Sci. Technol., 22, 1064 (2006). 10.1088/0268-1242/21/8/014 (Pubitemid 44458347)