Effects of tensile and compressive strain on the luminescence properties of AllnGaN/lnGaN quantum well structures

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 6, 2000, Pages 821-823

  Aumer, M E ^a   LeBoeuf, S F ^a   Bedair, S M ^a   Smith, M ^b   Lin, J Y ^b   Jiang, H X ^b  

^a Campus Box 7908   (United States)

^b KANSAS STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000823823     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1306648     Document Type: Article

References (12)

1. S. N. Mohammad, A. A. Salvador, and H. Morkoc, Proc. IEEE 83, 1306 (1995).
2. S. Nakamura, Mater. Sci. Eng., B 50, 277 (1997).
3. L. Eastman, K. Chu, W. Schaff, M. Murphy, N. G. Weismann, and T. Eustis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 17 (1997).
4. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
5. J. P. Bergman, N. Saksulv, J. Dalfors, P. O. Holtz, B. Monemar, H. Amano, and I. Akasaki, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 631 (1998).
6. T. Deguchi, A. Shikanai, K. Torii, and T. Sota, Appl. Phys. Lett. 72, 3329 (1998).
7. C. Wetzel, S. Nitta, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 31 (1998).
8. T. Wang, D. Nakagawa, J. Wang, T. Sugahara, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 73, 3571 (1998).
9. M. E. Aumer, S. F. LeBoeuf, F. G. McIntosh, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 75, 3315 (1999).
10. C. A. Parker, J. C. Roberts, M. J. Reed, S. X. Liu, N. A. El-Masry, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 75, 2776 (1999).
11. I. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996).
12. S. F. LeBoeuf, M. E. Aumer, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 77, 97 (2000).