SCOPUS 정보 검색 플랫폼

Volumn 76, Issue 9, 2000, Pages 1161-1163

Lattice and energy band engineering in AllnGaN/GaN heterostructures

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001348454 PISSN: 00036951 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1063/1.125970 Document Type: Article

Times cited : (163)

References (11)

1
- 0032668826
- S. T. Sheppard, K. Doverspike, W. L. Pribble, S. T. Allen, and J. W. Palmour, IEEE Electron Device Lett. 20, 161 (1999).
- (1999) IEEE Electron Device Lett. , vol.20 , pp. 161
- Sheppard, S.T.¹ Doverspike, K.² Pribble, W.L.³ Allen, S.T.⁴ Palmour, J.W.⁵

2
- 0031223714
- Y.-F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, J. Pusl, M. Le, N. X. Nguyen, C. Nguyen, D. Widman, S. Keller, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, Electron. Lett. 33, 1742 (1997).
- (1997) Electron. Lett. , vol.33 , pp. 1742
- Wu, Y.-F.¹ Keller, B.P.² Fini, P.³ Pusl, J.⁴ Le, M.⁵ Nguyen, N.X.⁶ Nguyen, C.⁷ Widman, D.⁸ Keller, S.⁹ Denbaars, S.P.¹⁰ Mishra, U.K.¹¹

3
- 0031258039
- R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. Asif Khan, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 18, 492 (1997).
- (1997) IEEE Electron Device Lett. , vol.18 , pp. 492
- Gaska, R.¹ Chen, Q.² Yang, J.³ Osinsky, A.⁴ Asif Khan, M.⁵ Shur, M.S.⁶

4
- 0000232109
- M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, R. Gaska, J. W. Yang, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 73, 1089 (1998).
- (1998) Appl. Phys. Lett. , vol.73 , pp. 1089
- Levinshtein, M.E.¹ Rumyantsev, S.L.² Gaska, R.³ Yang, J.W.⁴ Shur, M.S.⁵

5
- 0000461322
- R. Gaska, M. S. Shur, A. Bykhovski, A. O. Orlov, and G. L. Snider, Appl. Phys. Lett. 74, 287 (1999).
- (1999) Appl. Phys. Lett. , vol.74 , pp. 287
- Gaska, R.¹ Shur, M.S.² Bykhovski, A.³ Orlov, A.O.⁴ Snider, G.L.⁵

6
- 0031193105
- Q. Chen, J. W. Yang, M. A. Khan, A. T. Ping, and I. Adesida, Electron. Lett. 33, 1413 (1997).
- (1997) Electron. Lett. , vol.33 , pp. 1413
- Chen, Q.¹ Yang, J.W.² Khan, M.A.³ Ping, A.T.⁴ Adesida, I.⁵

7
- 0032023712
- R. Gaska, J. Yang, A. Osinsky, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 19, 89 (1998).
- (1998) IEEE Electron Device Lett. , vol.19 , pp. 89
- Gaska, R.¹ Yang, J.² Osinsky, A.³ Shur, M.S.⁴

8
- 0002423559
- F. G. McIntosh, K. S. Boutros, J. C. Roberts, S. M. Bedair, E. L. Piner, and N. A. El-Masry, Appl. Phys. Lett. 68, 40 (1996).
- (1996) Appl. Phys. Lett. , vol.68 , pp. 40
- McIntosh, F.G.¹ Boutros, K.S.² Roberts, J.C.³ Bedair, S.M.⁴ Piner, E.L.⁵ El-Masry, N.A.⁶

9
- 0010558439
- E. L. Piner, F. G. McIntosh, J. C. Roberts, M. E. Aumer, V. A. Joshkin, S. M. Bedair, and N. A. El-Masry, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 43 (1996).
- (1996) MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. , vol.1 , pp. 43
- Piner, E.L.¹ McIntosh, F.G.² Roberts, J.C.³ Aumer, M.E.⁴ Joshkin, V.A.⁵ Bedair, S.M.⁶ El-Masry, N.A.⁷

10
- 0041375881
- M. Asif Khan, J. W. Yang, G. Simin, R. Gaska, M S. Shur, and A. Bykhovsky, Appl. Phys. Lett. 75, 2806 (1999).
- (1999) Appl. Phys. Lett. , vol.75 , pp. 2806
- Asif Khan, M.¹ Yang, J.W.² Simin, G.³ Gaska, R.⁴ Shur, M.S.⁵ Bykhovsky, A.⁶

11
- 0346586797
- R. Gaska, A. D. Bykhovski, and S. Shur, Appl. Phys. Lett. 73, 3577 (1998).
- (1998) Appl. Phys. Lett. , vol.73 , pp. 3577
- Gaska, R.¹ Bykhovski, A.D.² Shur, S.³

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.