Fabrication of abrupt AlN/GaN multi quantum wells by low temperature metal organic vapor phase epitaxy

Applied Physics Express

Volumn 2, Issue 5, 2009, Pages

  Yang, Jung Seung ^a   Sodabanlu, Hassanet ^a   Sugiyama, Masakazu ^a   Nakano, Yoshiaki ^a,b   Shimogaki, Yukihiro ^a  

^a UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

^b UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

INTER-DIFFUSION; LOW TEMPERATURE GROWTH; LOW TEMPERATURES; METAL-ORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; MOVPE; MULTI QUANTUM WELLS; ROOT MEAN SQUARE VALUES;

CRYSTAL GROWTH; DIFFUSION BARRIERS; ERGONOMICS; ORGANOMETALLICS; PHASE INTERFACES; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; TELECOMMUNICATION REPEATERS; VAPORS;

METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY;

EID: 66949174724     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.2.051004     Document Type: Article

References (24)

1. T. Asano, S. Yoshizawa, and S. Noda: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 4509.
2. N. Suzuki and N. Iizuka: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L363.
3. N. Suzuki and N. Iizuka: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1006.
4. K. Kishino, A. Kikuchi, H. Kanazawa, and T. Tachibana: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 1234.
5. N. Suzuki, N. Iizuka, and K. Kaneko: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 132.
6. E. Baumann, F. R. Giorgetta, D. Hofstetter, S. Golka, W. Schrenk, G. Strasser, L. Kirste, S. Nicolay, E. Feltin, J. F. Carlin, and N. Grandjean: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 041106.
7. N. Iizuka, K. Kaneko, N. Suzuki, T. Asano, S. Noda, and O. Wada: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 648.
8. J. Hamazaki, S. Matsui, H. Kunugita, K. Ema, H. Kanazawa, T. Tachibana, A. Kikuchi, and K. Kishino: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 1102.
9. P. K. Kandaswamy, F. Guillot, E. Bellet-Amalric, E. Moonroy, L. Nevou, M. Tchernycheva, A. Michon, F. H. Julien, E. Baumann, F. R. Giorgetta, D. Hofstetter, T. Remmele, M. Albrecht, S. Birner, and L. S. Dang: J. Appl. Phys. 104 (2008) 093501.
10. J. S. Yang, H. Sodabanlu, I. Waki, M. Sugiyama, Y. Nakano, and Y. Shimogaki: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L927.
11. J. S. Yang, H. Sodabanlu, I. Waki, M. Sugiyama, Y. Nakano, and Y. Shimogaki: J. Cryst. Growth 311 (2009) 383.
12. A. Thon and T. F. Kuech: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 55.
13. J. R. Creighton, G. T. Wang, W. G. Breiland, and M. E. Coltrin: J. Cryst. Growth 261 (2004) 204.
14. S. Nicolay, E. Feltin, J.-F. Carilin, M. Mosca, L. Nevou, M. Tchernycheve, F. H. Julien, M. Ilegems, and N. Grandjean: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 151902.
15. I. Waki, C. Kumtomkittikul, Y. Shimogaki, and Y. Nakano: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 4465.
16. N. Iizuka, K. Kaneko, and N. Suzuki: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 1803.
17. X. Y. Liu, J. F. Falth, T. G. Andersson, P. Holmstrom, P. Janes, U. Ekenberg, and L. Thylen: J. Cryst. Growth 278 (2005) 397.
18. Y. Ohba, H. Yoshida, and R. Sato: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1565.
19. H. Lahreche, P. Vennegues, O. Tottereau, M. Laugt, P. Lorenzini, M. Leroux, B. Beaumont, and P. Gibart: J. Cryst. Growth 217 (2000) 13.
20. S. Keller, G. Parish, P. T. Fini, S. Heikman, C. H. Chen, N. Zhang, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and Y. F. Wu: J. Appl. Phys. 86 (1999) 5850.
21. C. Kim, I. K. Robinson, J. Myoung, K.-H. Shim, and K. Kim: J. Appl. Phys. 85 (1999) 4040.
22. C. H. Seager, A. F. Wright, J. Yu, and W. Gotz: J. Appl. Phys. 92 (2002) 6553.
23. A. Armstrong, A. R. Arehart, B. Moran, S. P. Denbaars, U. K. Mishra, J. S. Speck, and S. A. Ringel: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 374.
24. P. B. Llein, S. C. Binari, K. Ikossi, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, and R. L. Henry: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 3527.