Alkanethiolate self-assembled monolayers as a negative or positive resist for electron lithography

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 113, Issue 11, 2009, Pages 4543-4548

  Wu, Yi Te ^a,b,c,d   Liao, Jiunn Der ^a,b,c,d   Weng, Chih Chiang ^a,b,c,d   Hesieh, Yi Ta ^a,b,c,d   Chen, Chia Hao ^a,b,c,d   Wang, Ming Chen ^a,b,c,d   Zharnikov, Michael ^a,b,c,d  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER   (Taiwan)

^c YUANPEI UNIVERSITY   (Taiwan)

^d UNIVERSITY OF HEIDELBERG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALKANETHIOLATE; AU(1 1 1 ); ELECTRON-BEAM LITHOGRAPHIES; ELECTRON-BEAM TREATMENTS; IRRADIATION DOSE; OCTADECANETHIOL; POSITIVE RESISTS; RESIST MATERIALS; SAMS; TEST SYSTEMS;

ELECTRONS; IRRADIATION; NEGATIVE RESISTANCE;

SELF ASSEMBLED MONOLAYERS;

EID: 65249128008     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp808617y     Document Type: Article

References (29)

1. Chou, S. Y.; Krauss, P. R.; Renstrom, P. J. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 3114.
2. Xia, Y.; Whitesides, G. M. Annu. Rev. Mater. Sci. 1998, 28, 153.
3. Bender, M.; Otto, M.; Hadam, B.; Spangenberg, B.; Kurz, H. Microelectron. Eng. 2000, 53, 233.
4. Otto, M.; Bender, M.; Hadam, B.; Spangenberg, B.; Kurz, H. Microelectron. Eng. 2001, 57-58, 361.
5. Chou, S. Y.; Keimel, C.; Gu, J. Nature 2002, 417, 835.
6. Cavallini, M.; Mei, P.; Biscarini, F.; Garcia, R. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 5286.
7. Farkas, N.; Comer, J. R.; Zhang, G.; Evans, E. A.; Ramsier, R. D.; Wight, S.; Dagata, J. A. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5691.
8. Pavlovic, E.; Quist, A. P.; Nyholm, L.; Pallin, A.; Gelius, U.; Oscarsson, S. Langmuir 2003, 19, 10267.
9. Hoeppener, S.; Maoz, R.; Sagiv, J. Nano Lett. 2003, 3, 761.
10. Xia, Y.; Zhao, X. M.; Kim, E.; Whitesides, G. M. Chem. Mater. 1995, 7, 2332.
11. Gölzhäuser, A.; Geyer, W.; Stadler, V.; Eck, W.; Grunze, M.; Edinger, K.; Weimann, T.; Hinze, P. J. Vac. Sci. Technol., B 2000, 18, 3414.
12. Zharnikov, M.; Grunze, M. J. Vac. Sci. Technol., B 2002, 20, 1793.
13. Kumar, A.; Whitesides, G. M. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 2002.
14. Wu, Y. T.; Liao, J. D.; Weng, C. C.; Chen, C. H.; Wang, M. C.; Zharnikov, M. J. Vac. Sci. Technol., B 2007, 25, 1729.
15. Friebel, S.; Aizenberg, J.; Abad, S.; Wiltzius, P. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 2406.
16. Piner, R. D.; Zhu, J.; Xu, F.; Hong, S.; Mirkin, C. A. Science 1999, 283, 661.
17. Eck, W.; Stadler, V.; Geyer, W.; Zharnikov, M.; Gölzhäuser, A.; Grunze, M. Adv. Mater. 2000, 12, 805.
18. Prentiss, M.; Berggren, K. K.; Younkin, R.; Cheung, E.; Tinkham, M.; Ralph, D. C.; Black, C. T.; Whitesides, G. M.; Black, A. J. Adv. Mater. 1997, 9, 52.
19. Ballav, N.; Schlip, S.; Zharnikov, M. Ang. Chem. Int. Ed. 2008, 47, 1421.
20. Winkler, T.; Ballav, N.; Thomas, H.; Zharnikov, M.; Terfort, A. Ang. Chem. Int. Ed. 2008, 47, 7238.
21. Geyer, W.; Stadler, V.; Eck, W.; Zharnikov, M.; Gölzhäuser, A.; Grunze, M. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 2401.
22. Love, J. C.; Estroff, L. A.; Kriebel, J. K.; Nuzzo, R. G.; Whitesides, G. M. Chem. Rev. 2005, 105, 1103.
23. Ulman, A. Chem. Rev. 1996, 96, 1533.
24. Duwez, A. S. J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom. 2004, 134, 97.
25. Müller, H. U.; Zharnikov, M.; Völkel, B.; Schertel, A.; Harder, P.; Grunze, M. J. Phys. Chem. B 1998, 102, 7949.
26. Ballav, N.; Shaporenko, A.; Terfort, A.; Zharnikov, M. Adv. Mater. 2007, 19, 998.
27. Heister, K.; Johansson, L. S. O.; Grunze, M.; Zharnikov, M. Surf. Sci. 2003, 529, 36.
28. Heister, K.; Zharnikov, M.; Grunze, M.; Johansson, L. S. O. J. Phys. Chem. B 2001, 105, 4058.
29. Chen, C. H.; Huang, M. L.; Wang, S. C.; Klauser, R.; Shaporenko, A.; Zharnikov, M. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 17878.