Atomic layer deposition of high-κ dielectric layers on Ge and III-V MOS channels

ECS Transactions

Volumn 16, Issue 10, 2009, Pages 671-685

  Delabie, A ^a   Alian, A ^a   Bellenger, F ^a   Brammertz, G ^a   Brunco, D P ^a   Caymax, M ^a   Conard, T ^a   Franquet, A ^a   Houssa, M ^a   Sioncke, S ^a   Van Elshocht, S ^a   Van Hemmen, J L ^b   Keuning, W ^b   Kessels, W M M ^b   Afanas'ev, V V ^c   Stesmans, A ^c   Heyns, M M ^a   Meuris, M ^a  

^a IMEC   (Belgium)

^b EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

^c UNIVERSITY OF LEUVEN   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; GALLIUM ARSENIDE; GERMANIUM OXIDES; III-V SEMICONDUCTORS; OXIDATION; PASSIVATION; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTING GERMANIUM; SUBSTRATES;

CHANNEL MATERIALS; CMOS DEVICES; DEVICE PERFORMANCE; DIELECTRIC LAYER; GAAS SUBSTRATES; GATE STACK FORMATION; OXIDATION STATE; PASSIVATION LAYER;

SI-GE ALLOYS;

EID: 62549150639     PISSN: 19385862     EISSN: 19386737     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1149/1.2986824     Document Type: Conference Paper

References (38)

1. M. Bohr, R. Chau, T. Ghani, and K. Mistry, IEEC Spectrum, 44, 29 (2007).
2. M. Houssa, B. De Jaeger, A. Delabie, S. Van Elshocht, V. Afanasiev, J. Autran, A. Stesmans, M. Meuris, and M. Heyns, J. Non-Crystal. Solids, 351, 1902 (2005).
3. P. Zimmerman, G. Nicholas, B. De Jaeger, B. Kaczer, L-Å Ragnarsson, D.P. Brunco, F. E. Leys, M. Caymax, G. Winderickx, K. Opsomer, M. Meuris, and M. M. Heyns, IEDM Technical Digest, Paper 26.1 (2006).
4. D. P. Brunco, B. De Jaeger, G. Eneman, J. Mitard, G. Hellings, A. Satta, V. Terzieva, L. Souriau, F. E. Leys, G. Pourtois, M. Houssa, G. Winderickx, E. Vrancken, S. Sioncke, K. Opsomer, G. Nicholas, M. Caymax, A. Stesmans, J. Van Steenbergen, P. W. Mertens, M. Meuris, and M. M. Heyns, J. Electrochem. Soc., 155, H552 (2008).
5. H. Kim, P. C. McIntyre, C. O. Chui, K. C. Saraswat, M.-H. Cho, Appl. Phys. Lett., 85, 2902 (2004).
6. M. M. Frank, S. J. Koester, M. Copel, J.A. Ott, V. K. Paruchuri, H. Shang, and R. Loesing, Appl. Phys. Lett., 89, 112905 (2006).
7. M. Caymax, S. Van Elshocht, M. Houssa, A. Delabie, T. Conard, F. Bellenger, R. Bonzom, F. Leys, D. Nelis, M, Meuris, M. Heyns, D. Brunco, P. Zimmerman, and A. Dimoulas, E-MRS IUMRS ICEM Spring Meeting, 29 May-2 June 2006; Nice, France.
8. Y. Fukuda, T. Ueno, S. Hirono, and S. Hashimoto, Jap. J. Appl. Phys., 44, 6981 (2005).
9. A. Molle, Md. N. K. Bhuiyan, G. Tallarida, and M. Fanciulli, Appl. Phys. Lett., 89, 083504 (2006).
10. Y. Wang, Y. Z. Hu, E. A. Irene, J. Vac. Sci. Thechnol. A, 12, 1309 (1994).
11. V. Craciun, Ian W. Boyd, B. Hutton and D. Williams, Appl. Phys. Lett., 75, 1261 (1999).
12. A. Delabie, F. Bellenger, M. Houssa, T. Conard, S. Van Elshocht, M. Caymax, M: Heyns, M. Meuris, Appl. Phys. Lett., 91, 082904 (2007).
13. D. Kuzum, T. Krishnamohan, A. J. Pethe, A. K. Okyay, Y. Oshima, Y. Sun, J. P. McVittie, P. A. Pianetta, P. C. McIntyre, K. C. Saraswat, IEEE Electron Dev. Lett., 29 328-330 (2008).
14. T. Sugawara, Y. Oshima, R. Sreenivasan, and P. C. McIntyre, Appl. Phys. Lett., 90, 112912 (2007).
15. D. P. Brunco, A. Dimoulas, N. Boukos, M. Houssa, T. Conard, K. Martens, C. Zhao, F. Bellenger, M. Caymax, M. Meuris, and M. M. Heyns, J. Appl. Phys., 102, 024104 (2007).
16. P. D. Ye, G. D. Wilk, B. Yang, J. Kwo, S. N. G. Chu, S. Nakahara, H.-J. L. Gossmann, J. P. Mannaerts, M. Hong, K. K. Ng, and J. Bude, Appl. Phys. Lett., 83, 180 (2007).
17. M. L. Huang, Y. C. Chang, C. H. Chang, Y. J. Lee, P. Chang, J. Kwo, T. B. Wu and M. Hong, Appl. Phys. Lett., 87, 252104 (2005).
18. S. Van Elshocht, M. Caymax, T. Conard, S. De Gendt, I. Hoflijk, M. Houssa, F. Leys, R. Bonzom, B. De Jaeger, J. Van Steenbergen, W. Vandervorst. M. Heyns, and M. Meuris, Thin Solid Films, 508, 1 (2006).
19. Polygon, EPSILON, ALCVD, and PULSAR are trademarks of ASM International, The Netherlands.
20. S. Rivillon, Y. J. Chabal, F. Amy, A. Kahn, Appl. Phys. Lett., 87, 253101 (2005).
21. J. L. van Hemmen, S. B. S. Heil, J. H. Klootwijk, F. Roozeboom, C. J. Hodson, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, J. Electrochem Soc., 154, G165 (2007).
22. J. R. Hauser et al., in Characterization and Metrology for ULSI Technology. p. 235 (1998).
23. F. Bellenger, M. Houssa, A. Delabie, V. Afanasiev, T. Conard, M. Caymax, M. Meuris, K. De Meyer, and M. M. Heyns, J. Electrochem. Soc., 155, G33 (2008).
24. T. Nishiguchi, Y. Sato, H. Nonaka, S. Ichimura, T. Noyori, Y. Morikawa, M. Kekura and Y. Nihei, Jap. J. Appl. Phys., 44, 118, 2005.
25. K. Prabhakaran, F. Maeda, Y. Watanabe, and T. Ogino, Appl. Phys. Lett., 76, 2244 (2000).
26. D. Schmeisser, R. D. Schnell, A. Bogen, F. J. Himpsel, D. Reiger, G. Landgren, and J. F. Morar, Surf. Sci., 172, 455 (1986).
27. A. Delabie, R. L. Puurunen, B. Brijs, M. Caymax, T. Conard, B. Onsia, O. Richard, W. Vandervorst, C. Zhao, M. M. Heyns, M. Meuris, M. Viitanan, H. Brongersma, M. de Ridder, L. Goncharova, E. Garfunkel, T. Gustafsson, and W. Tsai, J. Appl. Phvs., 97, 064104 (2005).
28. M. Houssa, G. Pourtoi, M. Caymax, M. Meuris, M. M. Heyns, Surf. Sci., 602, L25 (2008).
29. M. Caymax, M. Houssa, G. Pourtois, F. Bellenger, K. Martens, A. Delabie, S. Van Elshocht, Appl. Surf. Sci., In Press, Corrected Proof, Available online 18 March 2008.
30. J.F. Scott, Phys. Rev. B, 1, 3488 (1970).
31. A. Delabie, M. Caymax, B. Brijs, D. P. Brunco, T. Conard, E. Sleeckx, S. Van Elshocht, L.-Å. Ragnarsson, S. De Gendt, and M. M. Heyns, J. Electrochem. Soc., 153, F 180 (2006).
32. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys., 89, 5243 (2001).
33. R.Castagne, and A.Vapaille, Surf. Sci., 28, 157 (1971).
34. S. Spiga, C. Wiemer, G. Tallarida, G. Scarel, S. Ferrari, G. Seguini, M. Fanciulli, Appl. Phys. Lett., 87, 112904 (2005).
35. V. V. Afanas'ev, A. Stesmans, A. Delabie, F. Bellenger, M. Houssa, and M. Meuris, Appl. Phys. Lett., 92, 022109 (2008).
36. A. Delabie, L. Nyns, F. Bellenger, M. Caymax, T. Conard, A. Franquet, M. Houssa, D. Lin, M. Meuris, L.-Å. Ragnarsson, S. Sioncke, J. Swerts, Y. Fedorenko, J. W. Maes, S. Van Elshocht and S. De Gendt, ECS Trans., 11, 227 (2007).
37. th international conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2008), Bruges, Belgium.
38. G. Brammertz, K. Martens, S. Sioncke, A. Delabie, M. Caymax, M. Meuris, M. Heyns, Appl. Phys. Lett., 91, 133510, 2007.