Investigations on the highly-stable thermal characteristics of a dilute Al0.3Ga0.7As/In0.3Ga0.7As 0.99N0.01/GaAs heterostructure field effect transistor (HFET)

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 53, Issue 6, 2008, Pages 3328-3333

  Lee, Ching Sung ^a   Chou, Bo I ^a   Hsu, Wei Chou ^b   Su, Ke Hua ^b  

^a FENG CHIA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

HFET; Ingaasn; Temperature dependent; Thermal stability

Indexed keywords

EID: 58249103862     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.53.3328     Document Type: Article

References (31)

1. M. W. Ha, S. C. Lee, J. H. Park, K. S. Seo and M. K. Han, J. Korean Phys. Soc. 47, 568 (2005).
2. C. S. Lee, H. H. Chen, J. C. Huang, W. C. Hsu and Y. J. Chen, J. Korean Phys. Soc. 47, 1046 (2005).
3. C. S. Lee, W. L. Yang, H. H. Chen, W. C. Hsu, Y. J. Chen and J. C. Huang, J. Korean Phys. Soc. 45, 513 (2004).
4. C. S. Lee, W. C. Hsu, K. H. Su, J. C. Huang, D. H. Huang and Y. J. Chen, J. Korean Phys. Soc. 48, 653 (2006).
5. G. M. Metze, J. F. Bass, T. T. Lee, A. B. Cornfield, J. L. Singer, H. L. Hung, H. C. Huang and K. P. Pande, IEEE Electron Device Lett. 11, 24 (1990).
6. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999).
7. K. Kim and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 86, 2609 (2001).
8. M. Kondow, S.A. Nakatsuka, T. Kitatani, Y. Yazawa and M. Oh, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 5711 (1996).
9. K. D. Choquette, J. F. Klem, A. J. Fischer, O. Blum, A. A. Allerman, I. J. Fritz, S. R. Kurtz, W. G. Breiland, R. Sieg, K. M. Geib, J. W. Scott and R. L. Naone, Electron. Lett. 36, 1388 (2000).
10. G. Steinle, F. Medere, M. Kicherer, R. Michalzik, G. Kristen, A. Y. Egorov, H. Riechert, H. D. Wolf and K. J. Ebeling, Electron. Lett. 37, 632 (2001).
11. R. S. Hsiao, J. S. Wang, K. F. Lin, L. Wei, H. Y. Liu, C. Y. Liang, C. M. Lai, A. R. Kovsh, N. A. Maleev, J. Y Chi and J. F. Chen, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L1555 (2004).
12. P. C. Chang, A. G. Baca, N. Y. Li, X. Xie, H. Q. Hou and E. Armour, Appl. Phys. Lett. 76, 2262 (2000).
13. P. C. Chang, N. Y. Li, C. Monier, A. G. Baca, J. R. LaRoche, H. Q. Hou, F. Ren and S. J. Pearton, IEEE Electron Device Lett. 22, 113 (2001).
14. C. Monier, A. G. Baca, P. C. Chang, N. Li, H. Q. Hou, F. Ren and S.J . Pearton, Electron. Lett. 37, 198 (2001).
15. J. S. Wang, A. R. Kovsh, R. S. Hsiao, L. P. Chen, J. F. Chen, T. S. Lay and J. Y. Chi, J. Cryst. Growth 84, 262 (2004).
16. A. R. Kovsh, J. S. Wang, L. Wei, R. S. Shiao, J. Y. Chi, B. V. Volovik, A. F. Tsatsul'nikov and V. M. Ustinov, J. Vac. Sci. & Technol. B 20, 1158 (2002).
17. S. Niki, C. L. Lin, W. S. C. Chang and H. H. Wieder, Appl. Phys. Lett. 55, 1339 (1989).
18. H. Carrère, X. Marie, J. Barrau and T. Amand, Appl. Phys. Lett. 86, 071116-1 (2005).
19. H. P. Xina and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 72, 2442 (1998).
20. W. C. Liu, K. H. Yu, R. C. Liu, K. W. Lin, C. C. Cheng, K. P. Lin, C. H. Yen and C. Z. Wu, Appl. Phys. Lett. 79, 967 (2001).
21. K. H. Yu, K. W. Lin, K. P. Lin, C. H. Yen, C. K. Wang, W. C Liu, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1096 (2002).
22. W. C. Liu, K. H. Yu, R. C. Liu, K. W. Lin, K. P. Lin, C. H. Yen, C. C. Cheng and K. B. Thei, IEEE Trans. Electron Devices 48, 2677 (2001).
23. W. C. Liu, W. L. Chang, W. S. Lour, S. Y. Cheng, Y. H. Shie, J. Y. Chen, W. C. Wang and H. J. Pan, IEEE Electron Device Lett. 20, 274 (1999).
24. S. M. Sze Semiconductor Devices: Physics and Technology, 2nd ed. (Wiley, New York, 2001), p. 36.
25. S. J. Yu, W. C. Hsu, Y. J. Li and Y. J. Chen, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 5942 (2004).
26. H. C. Chiu, S. C. Yang, F. T. Chien and Y. J. Chan, IEEE Electron Device Lett. 23, 1 (2002).
27. P. H. Lai, H. M. Chuang, S. F. Tsai, C. I. Kao, H. R. Chen, C. Y. Chen and W. C. Liu, Semicond. Sci. Technol. 19, 912 (2004).
28. J. Y. Duboz, J. A. Gupta, M. Byloss, G. C. Aers, H. C. Liu and Z. R. Wasilewski, Appl. Phys. Lett. 81, 1836 (2002).
29. Z. Pan, L. H. Li, Y. W. Lin, B. Q. Sun and D. S. Jiang, Appl. Phys. Lett. 78, 2217 (2001).
30. Y. J. Li, W. C. Hsu and S. Y. Wang, J. Vac. Sci. Tech. B 21, 760 (2003).
31. P. H. Lai, S. I. Fu, Y. Y. Tsai, C. H. Yen, H. M. Chuang, S. Y. Cheng and W. C. Liu, IEEE Trans. Device Mater. Rel. 6, 52 (2006).