Properties of zinc oxide films cosputtered with aluminum at room temperature

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 47, Issue 4 PART 2, 2008, Pages 3056-3062

  Liu, Day Shan ^a   Tsai, Fu Chun ^a   Lee, Ching Ting ^b   Sheu, Cheng Wei ^a  

^a NATIONAL FORMOSA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

Al O chemical bond; Cosputtered Al ZnO film; Metallic Zn and Al; N type degenerated semiconductor; Rf magnetron cosputtering system

Indexed keywords

ABSORPTION; ALUMINA; ALUMINUM; ATOMIC SPECTROSCOPY; BIOACTIVITY; BOND STRENGTH (CHEMICAL); CARRIER CONCENTRATION; CARRIER MOBILITY; CHEMICAL BONDS; CIVIL AVIATION; CONCENTRATION (PROCESS); CRYSTAL IMPURITIES; CRYSTAL ORIENTATION; ELECTRIC CONDUCTIVITY; FILM GROWTH; GALVANOMAGNETIC EFFECTS; GRAIN GROWTH; HALL EFFECT; HALL MOBILITY; MAGNETIC FIELD EFFECTS; MAGNETRONS; METALLIC FILMS; OPTICAL MATERIALS; OPTICAL PROPERTIES; OXIDE FILMS; PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SEMICONDUCTOR MATERIALS; WEAR RESISTANCE; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; ZINC; ZINC ALLOYS; ZINC OXIDE;

AL-O CHEMICAL BOND; COSPUTTERED AL-ZNO FILM; METALLIC ZN AND AL; N-TYPE DEGENERATED SEMICONDUCTOR; RF MAGNETRON COSPUTTERING SYSTEM;

OPTICAL FILMS;

EID: 54249104977     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.47.3056     Document Type: Article

References (41)

1. H. Kim, A. Pique, J. S. Horwitz, H. Mattoussi, H. Murata, Z. H. Kafafi, and D. B. Chrisey: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 3444.
2. Y. K. Su, S. J. Chang, C. H. Chen, J. F. Chen, G. C. Chi, J. K. Sheu, W. C. Lai, and J. M. Tsai: IEEE Sens. J. 2 (2002) 366.
3. J. S. Christensen, A. G. Ulyashin, K. Maknys, A. Y. Kuznetsov, and B. G. Svensson: Thin Solid Films 511 (2006) 93.
4. H. Han, J. W. Mayer, and T. L. Alford: J. Appl. Phys. 99 (2006) 123711.
5. H. Kim, C. M. Gilmore, J. S. Horwitz, A. Piqué, H. Murata, G. P. Kushto, R. Schlaf, Z. H. Kafafi, and D. B. Chrisey: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 259.
6. M. Chen and X. Wang: Appl. Surf. Sci. 158 (2000) 134.
7. B. Y. Oh, M. C. Jeong, W. Lee, and J. M. Myoung: J. Cryst. Growth 274 (2005) 453.
8. M. Kumar, R. M. Mehra, A. Wakahara, M. Ishida, and A. Yoshida: J. Appl. Phys. 93 (2003) 3837.
9. Th. Agne, Z. Guan, X. M. Li, H. Wolf, Th. Wiehert, H. Natter, and R. Hempelmann: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 1204.
10. D. J. Cohen, K. C. Ruthe, and S. A. Barnett: J. Appl. Phys. 96 (2004) 459.
11. T. Makino, Y. Segawa, S. Yoshida, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, and M. Kawasaki: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 759.
12. B. Yaglioglu, H. Y. Yeom, and D. C. Paine: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 261908.
13. F. O. Adurodija, H. Izumi, T. Ishihara, H. Yoshioka, H. Matsui, and M. Motoyama: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 2710.
14. D. H. Zhang, T. L. Yang, and J. Ma: Appl. Surf. Sci. 158 (2000) 43.
15. J. Springer, B. Rech, W. Reetz, J. Müller, and M. Vanecek: Sol. Energy Mater. Sol. Cells 85 (2005) 1.
16. K. M. Lin and P. J. Tsai: Mater. Sci. Eng., B 139 (2007) 81.
17. K. H. Kim, K. C. Park, and D. Y. Ma: J. Appl. Phys. 81 (1997) 7764.
18. S. H. Jeong, J. W. Lee, S. B. Lee, and J. H. Boo: Thin Solid Films 435 (2003) 78.
19. J. H. Lee and B. O. Park: Mater. Sci. Eng., B 106 (2004) 242.
20. A. V. Singh, R. M. Mehra, A. Yoshida, and A. Wakahara: J. Appl. Phys. 95 (2004) 3640.
21. K. Prabakar, C. Kim, and C. Lee: Cryst. Res. Technol. 40 (2005) 1150.
22. S. N. Bai and T. Y. Tseng: Thin Solid Films 515 (2006) 872.
23. H. M. Zhou, D. Q. Yi, Z. M. Yu, L. R. Xiao, and J. Li: Thin Solid Films 515 (2007) 6909.
24. Z. L. Pei, C. Sun, M. H. Tan, J. Q. Xiao, D. H. Guan, R. F. Huang, and L. S. Wen: J. Appl. Phys. 90 (2001) 3432.
25. J. G. Lu, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, L. P. Zhu, L. Wang, J. Yuan, B. H. Zhao, and Q. L. Liang: J. Appl. Phys. 100 (2006) 073714.
26. C. J. Tun, J. K. Sheu, M. L. Lee, C. C. Hu, C. K. Hsieh, and G. C. Chi: J. Electrochem. Soc. 153 (2006) G296.
27. K. Tominaga, M. Kataoka, H. Manabe, T. Ueda, and I. Mori: Thin Solid Films 290-291 (1996) 84.
28. X. T. Hao, L. W. Tan, K. S. Ong, and F. Zhu: J. Cryst. Growth 287 (2006) 44.
29. C. S. Moon, Y. M. Chung, W. S. Jung, and J. G. Han: Surf. Coat. Technol. 201 (2007) 5035.
30. D. S. Liu, C. C. Wu, and C. T. Lee: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 5119.
31. D. S. Liu, C. H. Lin, B. W. Huang, and C. C. Wu: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 3526.
32. D. S. Liu, C. S. Sheu, and C. T. Lee: J. Appl. Phys. 102 (2007)033516.
33. N. Fujimura, T. Nishihara, S. Goto, J. Xu, and T. Ito: J. Cryst. Growth 130 (1993) 269.
34. E. Burstein: Phys. Rev. 93 (1954) 632.
35. M. N. Islam, T. B. Ghosh, K. L. Chopra, and H. N. Acharya: Thin Solid Films 280 (1996) 20.
36. S.-S. Lin, J.-L. Huang, and P. Šajgalik: Surf. Coat. Technol. 190 (2005) 39.
37. Y. M. Chung, C. S. Moon, M. J. Jung, and J. G. Han: Surf. Coat. Technol. 200 (2005) 936.
38. S. Fujihara, C. Sasaki, and T. Kimura: Appl. Surf. Sci. 180 (2001) 341.
39. K. Kotsis and V. Staemmler; Phys. Chem. Chem. Phys. 8 (2006) 1490.
40. S. W. King, J. P. Barnak, M. D. Bremser, K. M. Tracy, C. Ronning, R. F. Davis, and R. J. Nemanich: J. Appl. Phys. 84 (1998) 5248.
41. J. F. Silvain, J. C. Bihr, M. Alnot, J. Lambert, and J. J. Ehrhardt: J. Vac. Sci. Technol., A 13 (1995) 1893.