Effects of thermal annealing on Al-doped ZnO films deposited on p-type gallium nitride

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 153, Issue 4, 2006, Pages

  Tun, C J ^a   Sheu, J K ^b   Lee, M L ^c   Hu, C C ^a   Hsieh, C K ^a   Chi, G C ^a  

^a NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^c SOUTHERN TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; DEPOSITION; GALLIUM NITRIDE; LIGHT EMITTING DIODES; OHMIC CONTACTS; THERMOANALYSIS; THIN FILMS; ZINC OXIDE;

CONTACT RESISTANCE; NITROGEN AMBIENCE; RESISTIVITIES; THERMAL ANNEALING;

ANNEALING;

EID: 33644790137     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2171817     Document Type: Article

References (16)

1. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, P. L. Koh, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu, and W. C. Hung, Appl. Phys. Lett., 74, 2340 (1999).
2. T. Arai, H. Sueyoshi, Y. Koide, M. Moriyama, and M. Murakami, J. Appl. Phys., 89, 2826 (2001).
3. H. Kim, D. J. Kim, S. J. Park, and H. Hwang, J. Appl. Phys., 89, 1506 (2001).
4. T. Margalith, O. Buchinsky, D. A. Cohen, A. C. Abare, M. Hansen, S. P. DenBaars, and L. A. Coldren, Appl. Phys. Lett., 74, 3930 (1999).
5. Y. C. Lin, S. J. Chang, Y. K. Su, T. Y. Tsai, C. S. Chang, S. C. Shei, C. W. Kuo, and S. C. Chen, Solid-State Electron., 47, 849 (2003).
6. S. M. Pan, R. C. Tu, Y. M. Fan, R. C. Yeh, and, J. T. Hsu, IEEE Photonics Technol. Lett., 15, 646 (2003).
7. J. O. Song, K. K. Kim, S. J. Park, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett., 83, 479 (2003).
8. S. P. Jung, C. H. Lin, H. M. Chan, Z. Fan, J. G. Lu, and H. P. Lee, Phys. Stat. Sol., 201, 2827 (2004).
9. V. Gupta and A. Mansingh, J. Appl. Phys., 80, 1063 (1996).
10. J. K. Sheu, J. M. Tsai, S. C. Shei, W. C. Lai, T. C. Wen, C. H. Kou, Y. K. Su, S. J. Chang, and G. C. Chi, IEEE Electron Device Lett., 22, 460 (2001).
11. J. L. Lee, M. Weber, J. K. Kim, J. W. Lee, Y. J. Park, T. Kim, and K. Lynn, Appl. Phys. Lett., 74, 2289 (1999).
12. C. Huh, S. W. Kim, H. M. Kim, D. J. Kim, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett., 78, 1942 (2001).
13. L. S. Hsu, G. H. Gweon, and J. W. Allen, J. Phys. Chem. Solids, 60, 1627 (1999).
14. P. Kasai, Phys. Rev., 130, 989 (1963).
15. R. H. Horng, D. S. Wu, Y. C. Lien, and W. H. Lan, Appl. Phys. Lett., 79, 2925 (2001).
16. Y. J. Lin, Appl. Phys. Lett., 84, 2760 (2004).