Ultraviolet and blue photoluminescence from sputter deposited Ge nanocrystals embedded in SiO2 matrix

Journal of Applied Physics

Volumn 103, Issue 10, 2008, Pages

  Giri, P K ^a   Bhattacharyya, S ^a   Kumari, Satchi ^a   Das, Kaustuv ^b   Ray, S K ^b   Panigrahi, B K ^c   Nair, K G M ^c  

^a INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY GUWAHATI   (India)

^b INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (India)

^c INDIRA GANDHI CENTRE FOR ATOMIC RESEARCH   (India)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EMBEDDED SYSTEMS; NANOCRYSTALS; PHOTOLUMINESCENCE; SILICA;

BLUE PHOTOLUMINESCENCE; POSTDEPOSITION ANNEALING;

SPUTTERING;

EID: 44649085626     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2930877     Document Type: Article

References (45)

1. K. S. Min, K. V. Shcheglov, C. M. Yang, H. A. Atwater, M. L. Brongersma, and A. Polman, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.115838 68, 2511 (1996).
2. X. L. Wu, T. Gao, G. G. Siu, S. Tong, and X. M. Bao, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.123867 74, 2420 (1999).
3. Y. Maeda, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.51.1658 51, 1658 (1995); Y. Kanemitsu, H. Uto, Y. Masumoto, and Y. Maeda, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.108290 61, 2187 (1992).
4. M. Zacharias and P. M. Fauchet, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.119543 71, 380 (1997).
5. G. Kartopu, S. C. Bayliss, R. E. Hummel, and Y. Ekinci, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1650919 95, 3466 (2004).
6. L. Rebohle, J. von Borany, R. A. Yankov, W. Skorupa, I. E. Tyschenko, H. Fröb, and K. Leo, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.120143 71, 2809 (1997).
7. P. K. Sahoo, S. Dhar, S. Gasiorek, and K. P. Lieb, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1767973 96, 1392 (2004).
8. L. S. Liao, X. M. Bao, X. Q. Zheng, N. S. Li, and N. B. Min, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.116554 68, 850 (1996).
9. A. Singha, A. Roy, D. Kabiraj, and D. Kanjilal, Semicond. Sci. Technol. 0268-1242 10.1088/0268-1242/21/12/032 21, 1691 (2006).
10. S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi, and K. Yamamoto, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.58.7921 58, 7921 (1998).
11. Y. H. Niquet, G. Allan, C. Delerue, and M. Lannoo, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1289659 77, 1182 (2000).
12. X. Ma, W. Shi, and B. Li, Semicond. Sci. Technol. 0268-1242 10.1088/0268-1242/21/5/026 21, 713 (2006).
13. E. W. H. Kan, W. K. Chim, C. H. Lee, W. K. Choi, and T. H. Ng, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1793348 85, 2349 (2004).
14. S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi, and K. Y. Yamamoto, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.123615 74, 1558 (1999).
15. J. Y. Zhang, Y. H. Ye, X. L. Tan, and X. M. Bao, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.371665 86, 6139 (1999).
16. S. H. Choi, S. C. Han, and S. Hwang, Thin Solid Films 413, 177 (2002).
17. L. Rebohle, J. von Borany, H. Frob, T. Gebel, M. Helm, and W. Skorupa, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 0168-583X 10.1016/S0168-583X(01)01004-7 188, 28 (2002).
18. F. Meinardi and A. Paleari, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.58. 3511 58, 3511 (1998).
19. M. Avella, A. C. Prieto, J. Jimenez, A. Rodriguez, J. Sangrador, and T. Rodriguez, Solid State Commun. 136, 224 (2005). 0038-1098
20. R. Salh, L. Fitting, E. V. Kolesnikova, A. A. Sitnikova, M. V. Zamoryanskaya, B. Schmidt, and H. -J. Fitting, Semiconductors 1063-7826 10.1134/S1063782607040033 41, 381 (2007).
21. H. Z. Song, X. M. Bao, N. S. Li, and X. L. Wu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.120735 72, 356 (1998).
22. X. Yang, X. L. Wu, S. H. Li, H. Li, T. Qui, Y. M. Yang, P. K. Chu, and G. G. Siu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1931830 86, 201906 (2005).
23. X. W. Du, L. Y. Liu, P. Yao, and L. Cui, J. Appl. Phys. 100, 076102 (2006). 0021-8979
24. X. L. Wu, T. Gao, X. M. Bao, F. Yan, S. S. Jiang, and D. Feng, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.366089 82, 2704 (1997).
25. W. K. Choi, H. G. Chew, F. Zheng, W. K. Chim, Y. L. Foo, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2354012 89, 113126 (2006).
26. E. Duval, A. Boukenter, and B. Champagnon, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.56.2052 56, 2052 (1986).
27. L. Saviot, D. B. Murray, and M. C. M. Lucas, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.69.113402 69, 113402 (2004).
28. K. Das, M. N. L. Goswami, A. Dhar, B. K. Mathur, and S. K. Ray, Nanotechnology 0957-4484 10.1088/0957-4484/18/17/175301 18, 175301 (2007).
29. M. I. Alonso and K. Winer, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.39. 10056 39, 10056 (1989).
30. H. Richter, J. P. Wang, and L. Ley, Solid State Commun. 0038-1098 10.1016/0038-1098(81)90337-9 39, 625 (1981); I. H. Campbell and P. M. Fauchet, Solid State Commun. 0038-1098 10.1016/0038-1098(86)90513-2 58, 739 (1986).
31. I. D. Sharp, Q. Xu, D. O. Yi, C. W. Yuan, J. W. Beeman, K. M. Yu, J. W. Ager III, D. C. Chrzan, and E. E. Haller, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2398727 100, 114317 (2006).
32. J. M. J. Lopes, F. C. Zawislak, M. Behar, P. F. P. Fichtner, L. Rebohle, and W. Skorupa, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1616995 94, 6059 (2003).
33. E. Duval, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.46.5795 46, 5795 (1992).
34. A. Tanaka, S. Onari, and T. Arai, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.47.1237 47, 1237 (1993).
35. P. K. Giri, R. Kesavamoorthy, S. Bhattacharyya, B. K. Panigrahi, and K. G. M. Nair, Mater. Sci. Eng., B 128, 201 (2006). 0921-5107
36. M. Fujii, Y. Kanzawa, S. Hayashi, and K. Yamamoto, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.54.R8373 54, R8373 (1996).
37. R. N. Pereira, J. S. Jensen, J. Chevallier, B. B. Nielsen, and A. N. Larsen, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2769780 102, 044309 (2007).
38. K. Das, M. N. Goswami, R. Mahapatra, G. S. Kar, A. Dhar, H. N. Acharya, S. Maikap, J. -H. Lee, and S. K. Ray, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1646750 84, 1386 (2004).
39. G. D. Gilliland, Mater. Sci. Eng., R. 0927-796X 10.1016/S0927-796X(97) 80006-X 18, 99 (1997).
40. X. Jie, A. T. S. Wee, C. H. A. Huan, W. X. Sun, Z. X. Shen, and S. J. Chua, Mater. Sci. Eng., B 107, 8 (2004). 0921-5107
41. J. Linnros, N. Lalic, A. Galeckas, and V. Grivickas, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.371663 86, 6128 (1999).
42. M. I. Ortiz, A. Rodríguez, J. Sangrador, T. Rodríguez, M. Avella, J. Jiḿnez, and C. Ballesteros, Nanotechnology 0957-4484 10.1088/0957-4484/16/5/011 16, S197 (2005).
43. J. F. Tong, H. L. Hsiao, and H. L. Hwang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.123836 74, 2316 (1999).
44. K. Kim, M. S. Suh, T. S. Kim, C. J. Youn, E. K. Suh, Y. J. Shin, K. B. Lee, H. J. Lee, M. H. An, H. J. Lee, and H. Ryu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.117566 69, 3908 (1996).
45. I. D. Sharp, Q. Xu, C. Y. Liao, D. O. Yi, J. W. Beeman, Z. Liliental-Weber, K. M. Yu, D. N. Zakharov, J. W. Ager III, D. C. Chrzan, and E. E. Haller, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1942629 97, 124316 (2005).