Growth and characterization of AlGaNGaN heterostructures on semi-insulating GaN epilayers by molecular beam epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 103, Issue 9, 2008, Pages

  Mei, F ^a   Fu, Q M ^a   Peng, T ^a   Liu, C ^a   Peng, M Z ^b   Zhou, J M ^b  

^a WUHAN UNIVERSITY   (China)

^b INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; CHARGE DENSITY; EPILAYERS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SURFACE MORPHOLOGY; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

ATOMIC DEPOSITION TECHNIQUE; ROOM TEMPERATURE; SAPPHIRE SUBSTRATES; THREADING DISLOCATIONS;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 43949118459     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2909188     Document Type: Article

References (23)

1. X. L. Wang, T. S. Cheng, Z. Y. Ma, G. X. Hu, H. L. Xia, J. X. Ran, C. M. Wang, and W. J. Luo, Solid-State Electron. 51, 428 (2007).
2. M. Miyoshi, T. Egawa, and H. Ishikawa, Solid-State Electron. 50, 1515 (2006).
3. S. M. Hubbard, G. Zhao, D. Pavlidis, W. Sutton, and E. Cho, J. Cryst. Growth 284, 297 (2005).
4. H. Yu, D. Caliskan, and E. Ozbay, J. Appl. Phys. 100, 033501 (2006).
5. D. C. Look and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 70, 3377 (1997).
6. M. G. Cheong, K. S. Kim, C. S. Oh, N. W. Namgung, G. M. Yang, C. H. Hong, K. Y. Lim, E. K. Suh, K. S. Nahm, H. J. Lee, D. H. Lim, and A. Yoshikawa, Appl. Phys. Lett. 77, 2557 (2000).
7. S. Heikman, S. Keller, T. Mates, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Cryst. Growth 248, 513 (2003).
8. M. Bonnet, J. P. Duchemin, A. M. Huber, and G. Morillot, Proceedings of Semi-insulating III/V-Materials Conference, 1980 (unpublished), p. 68.
9. A. T. Macrander, J. A. Long, V. G. Riggs, A. F. Bloemeke, and W. O. Johnson, Jr., Appl. Phys. Lett. 45, 1297 (1984).
10. H. M. Hobgood, R. C. Glass, G. Augustine, R. H. Hopkins, J. Jenny, M. Skowronski, W. C. Mitchel, and M. Roth, Appl. Phys. Lett. 66, 1364 (1995).
11. J. Baur, K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, and J. Schneider, Appl. Phys. Lett. 65, 2211 (1994).
12. J. Baur, M. Kunzer, K. Maier, U. Kaufmann, and J. Schneider, Mater. Sci. Eng., B 29, 61 (1995).
13. A. Corriona, F. Wua, T. Matesa, C. S. Gallinata, C. Poblenza, and J. S. Specka, J. Cryst. Growth 289, 587 (2006).
14. M. J. Manfra, N. G. Weimann, J. W. P. Hsu, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, Appl. Phys. Lett. 81, 1456 (2002).
15. C. D. Lee, A. Sagar, R. M. Feenstra, C. K. Inoki, T. S. Kuan, W. L. Sarney, and L. Salamanca-Riba, Appl. Phys. Lett. 79, 3428 (2001).
16. E. Y. Chang, T. H. Yang, G. L. Luo, and C. Y. Chang, J. Electron. Mater. 34, 23 (2005).
17. B. Heying, X. H. Wu, S. Keller, Y. Li, D. Kapolnek, B. P. Keller, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 68, 643 (1996).
18. H. B. Yu, D. Caliskan, and E. Ozbay, J. Appl. Phys. 100, 033501 (2006).
19. J. B. Webb, H. Tang, S. Rolfe, and J. A. Bardwell, Appl. Phys. Lett. 75, 953 (1999).
20. X. L. Wang, G. X. Hu, Z. Y. Ma, J. X. Ran, C. M. Wang, H. L. Xiao, J. Tang, J. P. Li, J. X. Wang, Y. P. Zeng, J. M. Li, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 298, 835 (2007).
21. T. Aggerstam, S. Lourdudoss, H. H. Radamson, M. Sjodin, P. Lorenzini, and D. C. Look, Thin Solid Films 515, 705 (2006).
22. S. Arulkumaran, T. Egawa, and H. Ishikawa, Solid-State Electron. 49, 1632 (2005).
23. J. Lee, D. M. Liu, Z. J. Lin, W. Lu, J. S. Flynn, and G. R. Brandes, Solid-State Electron. 47, 2081 (2003).