Semi-insulating C-doped GaN and high-mobility AlGaN/GaN heterostructures grown by ammonia molecular beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 7, 1999, Pages 953-955

  Webb, Jim B ^a   Tang, H ^a   Rolfe, S ^a   Bardwell, J A ^a  

^a NATIONAL RESEARCH COUNCIL CANADA   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000789654     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.124252     Document Type: Article

References (17)

1. Z. Fan, C. Lu, A. Botchkarev, H. Tang, A. Salvador, O. Aktas, W. Kim, and H. Morkoç, Electron. Lett. 33, 814 (1997).
2. O. Aktas, Z. Fan, A. Botchkarev, S. N. Mohammad, M. Roth, T. Jenkins, L. Kehias, and H. Morkoç, IEEE Electron Device Lett. 18, 293 (1997).
3. M. A. Khan, Q. Chen, M. S. Shur, B. T. Dermott, J. A. Higgins, J. Burm, W. Schaff, and L. F. Eastman, Electron. Lett. 32, 357 (1996).
4. Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, N. X. Nguyen, M. Le, C. Nguyen, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 18, 438 (1997).
5. Y. F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Hehias, and S. P. Denbaars, IEEE Electron Device Lett. 19, 50 (1998).
6. J. M. Redwing, M. A. Tischler, J. S. Flynn, S. Elhamari, M. Ahoujja, R. S. Newrock, and W. C. Mitchel, Appl. Phys. Lett. 69, 963 (1996).
7. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutsmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
8. R. Gaska, J. W. Yang, A. Osinsky, Q. Chen, M. A. Khan, A. O. Orlov, G. L. Snider, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 72, 707 (1998).
9. M. J. Murphy, B. E. Foutz, K. Chu, H. Wu, W. Yeo, W. J. Scaff, O. Ambacher, L. F. Eastman, T. J. Eustis, R. Dimitrov, M. Stutzmann, and W. Rieger, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G84 (1999).
10. H. Tang and J. B. Webb, Appl. Phys. Lett. 74, 2373 (1999).
11. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Festkoerperprobleme 35, 25 (1996).
12. P. Bogusrawski and J. Bernholc, Phys. Rev. B 56, 9496 (1997).
13. R. Zhang and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 72, 1611 (1998).
14. C. R. Abernathy, J. D. Mackenzie, S. J. Pearton, and W. S. Hobson, Appl. Phys. Lett. 66, 1969 (1995).
15. U. Birkle, M. Feher, V. Kirchner, S. Einfeldt, D. Hommel, S. Strauf, P. Michler, and J. Gutowski, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G5.6 (1999).
16. L. K. Li, J. Alperin, W. I. Wang, D. C. Look, and D. C. Reynolds, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1275 (1998).
17. J. P. Zhang, D. Z. Sun, X. L. Wang, M. Y. Kong, Y. P. Zeng, J. M. Li, and L. Y. Lin, Appl. Phys. Lett. 73, 2471 (1998).