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Volumn 4, Issue 7, 2007, Pages 2720-2723

Characterization of AlGaN/GaN MOSHFETs with Al2O3 as gate oxide

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ALGAN/GAN; METAL-OXIDE SEMICONDUCTORS; NITRIDE SEMICONDUCTORS;

EID: 42749089232     PISSN: 18626351     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssc.200674828     Document Type: Conference Paper
Times cited : (12)

References (16)
  • 6
    • 26244456541 scopus 로고    scopus 로고
    • C. J. Kao et al., J. Appl. Phys. 98, 064506 (2005).
    • (2005) J. Appl. Phys , vol.98 , pp. 064506
    • Kao, C.J.1
  • 13
    • 85165535641 scopus 로고    scopus 로고
    • Y. Q. Wu et al., Mater. Sci. Eng. B (2006), doi:10.1016/j.mseb.2006.08. 020
    • Y. Q. Wu et al., Mater. Sci. Eng. B (2006), doi:10.1016/j.mseb.2006.08. 020


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.