Covalent attachment of organic monolayers to silicon carbide surfaces

Langmuir

Volumn 24, Issue 8, 2008, Pages 4007-4012

  Rosso, Michel ^a   Arafat, Ahmed ^a   Schroën, Karin ^a   Giesbers, Marcel ^a   Roper, Christopher S ^b   Maboudian, Roya ^b   Zuilhof, Han ^a  

^a WAGENINGEN UNIVERSITY   (Netherlands)

^b University of California   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

INFRARED REFLECTION ABSORPTION SPECTROSCOPY; NATIVE OXIDE LAYERS; ORGANIC MONOLAYERS; THERMAL REACTION;

ABSORPTION SPECTROSCOPY; COVALENT BONDS; SILICON CARBIDE; SURFACES;

MONOLAYERS;

ALKENE; INORGANIC COMPOUND; ORGANOSILICON DERIVATIVE; SILICON CARBIDE; SILICON DERIVATIVE; WATER;

ALKYLATION; ARTICLE; CHEMISTRY; SPECTROPHOTOMETRY; SURFACE PROPERTY;

ALKENES; ALKYLATION; CARBON COMPOUNDS, INORGANIC; ORGANOSILICON COMPOUNDS; SILICON COMPOUNDS; SPECTROPHOTOMETRY; SURFACE PROPERTIES; WATER;

EID: 42449141952     PISSN: 07437463     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/la704002y     Document Type: Article

References (59)

1. Buriak, J. M. Chem. Rev. 2002, 102, 1271-1308.
2. Love, J. C.; Estroff, L. A.; Kriebel, J. K.; Nuzzo, R. G.; Whitesides, G. M. Chem. Rev. 2005, 105, 1103-1169.
3. Cotton, F. A.; Wilkinson, G.; Murillo, C. A.; Bochman, M. Advanced Inorganic Chemistry, 6th ed.; John Wiley & Sons: New York, 1999; p 259.
4. Boukherroub, R. Curr. Opin. Solid. State Mater. Sci. 2005, 9, 66-72.
5. Linford, M. R.; Fenter, P.; Eisenberger, P. M.; Chidsey, C. E. D. J. Am. Chem. Soc. 1995, 117, 3145-3155.
6. Shirahata, N.; Hozumi, A.; Yonezawa, T. Chem. Rec. 2005, 5, 145-159.
7. Sieval, A.B.; Linke, R.; Zuilhof. H.; Sudhölter, E. J. R. Adv. Mater. 2000, 12, 1457-1460.
8. Sun, Q.-Y.; de Smet, L. C. P. M.; van Lagen, B.; Giesbers, M.; Thune, P. C.; van Engelenburg, J.; de Wolf, F. A.; Zuilhof, H.; Sudhölter, E. J. R. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 2514-2523.
9. Sun, Q.-Y.; de Smet, L. C. P. M.; van Lagen, B.; Wright, A.; Zuilhof, H.; Sudhölter, E. J. R. Angew. Chem. Int. Ed. 2004, 43, 1352-1355.
10. Wayner, D. D. M.; Wolkow, R. A. J. Chem. Soc., Perkin Trans. 2 2002, 23-34.
11. Scheres, L.; Arafat, A.; Zuilhof, H. Langmuir 2007, in press.
12. Choi, K.; Buriak, J. M. Langmuir 2000, 16, 7737-7741.
13. Lasseter, T. L.; Clare, B. H.; Abbott, N. L.; Hamers, R. J. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 10220-10221.
14. Nichols, B. M.: Butler, J. E.; Russell, J. N.; Hamers, R. J. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 20938-20947.
15. Yang, W. S.; Auciello, O.; Butler, J. E.; Cai, W.; Carlisle, J. A.; Gerbi, J.; Gruen, D. M.; Knickerbocker, T.; Lasseter, T. L.; Russell, J. N.; Smith, L. M.; Hamers, R. J. Nat. Mater. 2003, 2, 63-63.
16. Ababou-Girard, S.; Sabbah, H.; Fabre, B.; Zellama, K.; Solal, F.; Godel, C. J. Phys. Chem. C. 2007, 111, 3099-3108.
17. Ababou-Girard, S.; Solal, F.; Fabre, B.; Alibart, F.; Godet. C. J. Non-Cryst. Solids 2006. 352, 2011-2014.
18. Devadoss, A.; Chidsey, C. E. D. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 5371-5372.
19. Nakamura, T.; Ohana, T.; Suzuki. M.; Ishihara, M.; Tanaka, A.; Koga, Y. Surf. Sci. 2005, 580, 101-106.
20. Arafat, A.; Schroën, K.; de Smet, L. C. P. M.; Sudhölter, E. J. R.; Zuilhof, H. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 8600-8601.
21. Arafat, A.; Giesbers, M.; Rosso, M.: Sudhölter, E. J. R.; Schroën, K.; White, R. G.; Yang, L.; Linford, M. R.; Zuilhof, H. Langmuir 2007, 23, 6233-6244.
22. Choyke, W. J.; Matsunami, H.; Pensl, G. Silicon Carbide. Recent Major Advances; Springer: Berlin, 2003.
23. Saddow, S. E.; Agarwal, A. Advances in Silicon Carbide: Processing and Applications; Artech House Inc.: Boston, 2004.
24. Nakamura, D.; Gunjishima, I.; Yamaguchi, S.; Ito, T.; Okamoto, A.; Kondo, H.; Onda, S.; Takatori, K. Nature 2004, 430, 1009-1012.
25. Yang, Y. T.; Callegari, X. L.; Ekinci, K. L.: Roukes, M. L. Nano Lett. 2006, 6, 583-586.
26. Cicero, G.; Catellani, A. J. Chem. Phys. 2005, 122, 214716, 1-5.
27. Kanai, Y.; Cicero, G.; Selloni, A.; Car, R.; Galli, G. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 13656-13662.
28. Sella, C.; Martin, J. C.; Lecoeur, J.; Lechanu, A.; Harmand, M. F.; Naji, A.; Davidas, J. P. Mater. Sci. Eng. A 1991, 139, 49-57.
29. Santavirta, S.; Takagi, M.; Nordsletten, L.; Anttila, A.; Lappalainen, R.; Konttinen, Y. T. Arch. Orthop. Trauma Surg. 1998, 118, 89-91.
30. Rosenbloom, A. J.; Sipe, D. M.; Shishkin, Y.; Ke, Y.; Devaty, R. P.; Choyke, W. J. Biomed. Microdev. 2004, 6, 261-267.
31. de Carlos, A.; Borrajo, J. P.; Serra, J.; Gonzalez, P.; Leon, B. J. Mater. Sci. Mater. Med. 2006, 17, 523-529.
32. Cogan, S. F.; Edell, D. J.; Guzelian, A. A.; Liu, Y. P.; Edell, R. J. Biomed. Mater. Res. A 2003, 67A, 856-867.
33. Asanuma, H.; Noguchi, H.; Uosaki, K.; Yu, H. Z. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 4892-4899.
34. de Smet, L. C. P. M.; Pukin, A. V.; Sun, Q. Y.; Eves, B. J.; Lopinski, G. P.; Visser, G. M.; Zuilhof, H.; Sudholter, E. J. R. Appl. Surf. Sci. 2005, 252, 24-30.
35. Roper, C.S.; Radmilovic, V.; Howe, R. T.; Maboudian, R. J. Electrochem. Soc. 2006, 153, C562-C566.
36. Harris, G. L. Properties of Silicon Carbide; INSPEC: London, 1995; p 17.
37. Avila, A.; Montero, I.; Galan, L.; Ripalda, J. M.; Levy, R. J. Appl. Phys. 2001, 89, 212-216.
38. Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshikawa, M.; Yoshida, S. Appl. Surf. Sci. 2001, 184, 161-166.
39. Guy, O. J.; Chen, L.; Pope, G.; Teng, K. S.; Maffeis, T.; Wilks, S. P.; Mawby, P. A.; Jenkins, T.; Brieva, A.; Hayton, D. J. Mater. Sci. Forum 2006, 527-529, 1027-1030.
40. Muehlhoff, L.; Bozack, M. J.; Choyke, W. J.; Yates, J. T. J. Appl. Phys. 1986, 60, 2558-2563.
41. Roccaforte, F.; La Via, F.; Raineri, V.; Musumeci, P.; Calcagno, L.; Condorelli, G. G. Appl. Phys. Mater. Sci. Process. 2003, 77, 827-833.
42. Starke, U. Phys. Status Solidi B 1997, 202, 475-499.
43. vanElsbergen, V.; Janzen, O.; Monch, W. Mater. Sci. Eng. 1997, B46, 366-369.
44. Lin, M. E.; Strite, S.; Agarwal, A.; Salvador, A.; Zhou, G. L.; Teraguchi, N.; Rocken, A.; Morkoc, H. Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 702-704.
45. Losurdo, M.; Giangregorio, M. M.; Capezzuto, P.; Bruno, G.; Brown, A. S.; Kim, T. H.; Yi, C. H. J. Electron. Mater. 2005, 34, 457-465.
46. Bernhardt, J.; Schardt, J.; Starke, U.; Heinz, K. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 1084-1086.
47. Sieber, N.; Seyller, T.; Graupner, R.; Ley, L.; Mikalo, R.; Hoffmann, P.; Batchelor, D. R.; Schmeisser, D. Appl. Surf. Sci. 2001, 184, 278-283.
48. Sieval, A. B.; Demirel, A. L.; Nissink, J. W. M.; Linford, M. R.; van der Maas, J. H.; de Jeu, W. H.; Zuilhof, H.; Sudholter, E. J. R. Langmuir 1998, 14, 1759-1768.
49. Onclin, S.; Ravoo, B. J.; Reinhoudt, D. N. Angew. Chem. Int. Ed. 2005, 44, 6282-6304.
50. Mischki, T. K.; Donkers, R. L.; Eves, B. J.; Lopinski. G. P.; Wayner, D. D. M. Langmuir 2006, 22, 8359-8365.
51. Onneby, C.; Pantano, C. G. J. Vac. Sci. Technol. A 1997, 15, 1597-1602.
52. Soraru, G. D.; Modena, S.; Guadagnino, E.; Colombo, P.; Egan, J.; Pantano. C. J. Am. Ceram. Soc. 2002, 85, 1529-1536.
53. Her, R. K. The Chemistry of Silica; Wiley: New York, 1979.
54. Knickerbocker, T.; Strother, T.; Schwartz, M. P.; Russell, J. N.; Butler, J.; Smith, L. M.; Hamers, R. J. Langmuir 2003, 19, 1938-1942.
55. Lin, Z.; Strother, T.; Cai, W.; Cao, X. P.: Smith, L. M.; Hamers, R. J. Langmuir 2002, 18, 788-796.
56. Bain, C. D.; Evall, J.; Whitesides, G. M. J. Am. Chem. Soc. 1989, 111, 7155-7164.
57. Faucheux, A.; Gouget-Laemmel, A. C.; de Villeneuve, C. H.; Boukherroub, R.; Ozanam, F.; Allongue, P.; Chazalviel, J. N. Langmuir 2006, 22, 153-162.
58. Strother, T.; Cai, W.; Zhao, X. S.; Hamers, R. J.; Smith, L. M. J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 1205-1209.
59. Sieval, A. B.; Demirel, A. L.; Nissink, J. W. M.; Linford, M. R.; van der Maas, J. H.; de Jeu, W. H.; Zuilhof, H.; Sudhölter, E. J. R. Langmuir 1998, 14, 1759-1768.