Structural and electrical characterization of AuPtAlTi Ohmic contacts to AlGaNGaN with varying annealing temperature and Al content

Journal of Applied Physics

Volumn 103, Issue 7, 2008, Pages

  Fay, M W ^a   Han, Y ^a,c   Brown, P D ^a   Harrison, I ^a   Hilton, K P ^b   Munday, A ^b   Wallis, D ^b   Balmer, R S ^b   Uren, M J ^b   Martin, T ^b  

^a UNIVERSITY OF NOTTINGHAM   (United Kingdom)

^b QINETIQ   (United Kingdom)

^c UNIVERSITY OF SHEFFIELD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ELECTRIC RESISTANCE; MICROSTRUCTURE; THERMAL EFFECTS;

ANNEALING TEMPERATURE; ELECTRICAL CHARACTERIZATION;

OHMIC CONTACTS;

EID: 42149135408     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2890978     Document Type: Article

References (31)

1. M. Rosker, Proceedings of the 20th International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology, 2005, New Orleans, LA, United States of America,.
2. Y. Takada, H. Sakurai, K. Matsushita, K. Masuda, S. Takatsuka, M. Kuraguchi, T. Suzuki, T. Suzuki, M. Hirose, H. Kawasaki, K. Takagi, and K. Tsuda, SSDM2005, September 13-15, Kobe, Japan,.
3. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. F. Fan, L. H. Allen, and H. Morko̧, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994).
4. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, K. J. Duxstad, Z. F. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, A. E. Botchkarev, and H. Morko̧, Appl. Phys. Lett. 69, 1556 (1996).
5. J. S. Kwak, S. E. Mohney, J.-Y. Lin, and R. S. Kern, Semicond. Sci. Technol. 15, 756 (2000).
6. M. W. Cole and P. C. Joshi, in III-V Nitride Semiconductors: Application and Devices, edited by, E. T. Yu, and, M. O. Manasreh, (Taylor and Francis, New York, 2003), pp. 1-66.
7. J. K. Kim, H. W. Jang, and J. L. Lee, J. Appl. Phys. 91, 9214 (2002).
8. C. J. Lu, A. V. Davydov, D. Josell, and L. A. Bendersky, J. Appl. Phys. 94, 245 (2003).
9. Y. J. Lin, Y. M. Chen, T. J. Cheng, and Q. Ker, J. Appl. Phys. 95, 571 (2004).
10. C. T. Lee and H. W. Kao, Appl. Phys. Lett. 76, 2364 (2000).
11. Z. F. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, O. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morko̧, Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996).
12. S. J. Cai, R. Li, Y. L. Chen, L. Wong, W. G. Wu, S. G. Thomas, and K. L. Wang, Electron. Lett. 34, 2354 (1998).
13. S. N. Mohammad, Z. F. Fan, A. Salvador, O. Aktas, A. E. Botchkarev, W. Kim, and H. Morko̧, Appl. Phys. Lett. 69, 1420 (1996).
14. E. F. Chor, D. Zhang, H. Gong, G. L. Chen, and T. Y. F. Liew, J. Appl. Phys. 90, 1242 (2001).
15. D. Selvanathan, L. Zhou, V. Kumar, and I. Adesida, Phys. Status Solidi A 194, 583 (2002).
16. A. N. Bright, P. J. Thomas, M. Weyland, D. M. Tricker, C. J. Humphreys, and R. Davies, J. Appl. Phys. 89, 3143 (2001).
17. M. W. Fay, G. Moldovan, P. D. Brown, I. Harrison, J. C. Birbeck, B. T. Hughes, M. J. Uren, and T. Martin, J. Appl. Phys. 92, 94 (2002).
18. M. W. Fay, G. Moldovan, N. J. Weston, P. D. Brown, I. Harrison, K. P. Hilton, A. Masterton, D. Wallis, R. S. Balmer, M. J. Uren, and T. Martin, J. Appl. Phys. 96, 5588 (2004).
19. L. Wang, F. M. Mohammed, and I. Adesida, J. Appl. Phys. 98, 106105 (2005).
20. V. Desmaris, J.-Y. Shiu, C.-Y. Lu, N. Rorsman, H. Zirath, and E.-Y. Chang, J. Appl. Phys. 100, 034904 (2006).
21. Z. Fan, S. N. Noor, W. Kim, O. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996).
22. S. J. Cai, R. Li, Y. L. Chen, L. Wong, W. G. Wu, S. G. Thomas, and K. L. Wang, Electron. Lett. 34, 2354 (1998).
23. D. F. Wang, F. Shiwei, C. Lu, A. Motayed, M. Jah, S. N. Mohammad, K. A. Jones, and L. S. Riba, J. Appl. Phys. 89, 6214 (2001).
24. E. F. Chor, D. Zhang, H. Gong, G. L. Chen, and T. Y. F. Liew, J. Appl. Phys. 90, 1242 (2001).
25. D. F. Wang, F. Shiwei, C. Lu, A. Motayed, M. Jah, S. N. Mohammad, K. A. Jones, and L. S. Riba, J. Appl. Phys. 89, 6214 (2001).
26. A. Motayed, R. Bathe, M. C. Wood, O. S. Diouf, R. D. Vispute, and S. Noor Mohammad, J. Appl. Phys. 93, 1087 (2003).
27. S. P. Murarka, I. A. Blech, and H. J. Levinstein, J. Appl. Phys. 47, 5175 (1976).
28. B. Blanpain and L. H. Allen, Phys. Rev. B 39, 13067 (1989).
29. P. Gas, J. Labar, G. Clugnet, A. Kovacs, C. Bergman, and P. Barna, J. Appl. Phys. 90, 3899 (2001).
30. B. Jacobs, M. M. J. C. M. Kramer, E. J. Geluk, and F. Karouta, J. Cryst. Growth 241, 15 (2002).
31. T. Martin, M. J. Uren, R. S. Balmer, D. Soley, D. J. Wallis, K. P. Hilton, J. O. Maclean, A. G. Munday, A. J. Hydes, D. G. Hayes, C. H. Oxley, P. McGovern, and P. J. Tasker, Proceedings of the 13th GaAs Symposium, Paris, 2005.