Sub- 100 nm nanolithography and pattern transfer on compound semiconductor using sol-gel-derived TiO2 resist

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 155, Issue 5, 2008, Pages

  Liu, Boyang ^a   Ho, Seng Tiong ^a  

^a Northwestern University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ETCHING; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SOL-GEL PROCESS; TITANIUM DIOXIDE;

PATTERN TRANSFER; SEMICONDUCTOR PATTERNING;

NANOLITHOGRAPHY;

ETCHING; LITHOGRAPHY; SEMICONDUCTORS; TITANIUM DIOXIDE;

EID: 41849126058     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2883730     Document Type: Article

References (19)

1. J. K. W. Yang, V. Anant, and K. K. Berggren, J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 3157 (2006).
2. G. T. Edwards, A. Sobiesierski, D. I. Westwood, and P. M. Smowton, Semicond. Sci. Technol., 22, 1010 (2007).
3. J. P. Zhang, D. Y. Chu, S. L. Wu, W. G. Bi, R. C. Tiberio, R. M. Joseph, A. Taflove, C. W. Tu, and S. T. Ho, IEEE Photonics Technol. Lett., 8, 1041 (1996).
4. H. Cao, J. Y. Xu, W. H. Xiang, Y. Ma, S.-H. Chang, S. T. Ho, and G. S. Solomon, Appl. Phys. Lett., 76, 3519 (2000).
5. J. Daleiden, K. Eisele, R. Keller, G. Vollrath, F. Fiedler, and J. D. Ralston, Opt. Quantum Electron., 28, 527 (1996).
6. K. R. V. Subrammanian, M. S. M. Saifullah, E. Tapley, K. D. Joon, M. E. Welland, and M. Butler, Nanotechnology, 15, 158 (2004).
7. M. S. M. Saifullah, K. Kurihara, and C. J. Humphreys, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 2737 (2000).
8. M. S. M. Saifullah, K. R. V. Subramanian, E. Tapley, D.-J. Kang, M. E. Welland, and M. Butler, Nano Lett., 3, 1583 (2003).
9. I. Adesida, K. Nummila, E. Andideh, J. Hughes, C. Caneau, R. Bhat, and R. Holmstrom, J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 1357 (1990).
10. C. Youtsey, I. Adesida, J. B. D. Soole, M. R. Amersfoort, H. P. LeBlanc, N. C. Andreadakis, A. Rajhel, C. Caneau, M. A. Koza, and R. Bhat, J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 4091 (1996).
11. T. Suzuki, N. Haneji, K. Tada, Y. Shimogaki and Y. Nakano, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 41, 15 (2002).
12. S. L. Rommel, J.-H. Jang, W. Lu, G. Cueva, L. Zhou, I. Adesida, G. Pajer, R. Whaley, A. Lepore, Z. Schellanbarger, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 1327 (2002).
13. J. Etrillard, P. Ossart, G. Patriarche, M. Juhel, J. F. Bresse, and C. Daguet, J. Vac. Sci. Technol. A, 15, 626 (1997).
14. N. O. V. Plank, M. A. Blauw, E. W. J. M. van der Drift, and R. Cheung, J. Phys. D, 36, 482 (2003).
15. D. W. Kim, H. Y. Lee, S. J. Kyoung, H. S. Kim, Y. J. Sung, S. H. Chae, and G. Y. Yeom, IEEE Trans. Plasma Sci., 32, 1362 (2004).
16. E. W. Berg and S. W. Pang, J. Electrochem. Soc., 146, 775 (1999).
17. E. W. Berg and S. W. Pang, J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 3359 (1998).
18. S. N. G. Chu, C. M. Jodlauk, and W. D. Johnston, J. Electrochem. Soc., 130, 2398 (1983).
19. F. Riesz, L. Dobos, and J. Karanyi, J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 2672 (1998).