Anisotropic etching of InP with low sidewall and surface induced damage in inductively coupled plasma etching using SiCl4

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 15, Issue 3, 1997, Pages 626-632

  Etrillard, J ^a   Ossart, P ^a   Patriarche, G ^a   Juhel, M ^a   Bresse, J F ^a   Daguet, C ^a  

^a ORANGE LABS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000947263     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.580695     Document Type: Article

References (18)

1. J. S. Pearton, U. K. Chakrabarti, and F. A. Baiocchi, Appl. Phys. Lett. 55, 1633 (1989).
2. D. L. Green, E. L. Hu, P. M. Petroff, V. Liberman, M. Mooney, and R. Martin, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2249 (1993).
3. K. L. Seaward, N. J. Moll, and W. F. Stickle, J. Electron. Mater. 19, 385 (1990).
4. D. A. Buchanan and G. Fortune-Wiltshire, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 804 (1990).
5. T. Tsukada, H. Nogami, J. Hayashi, K. Kawaguchi, and T. Hara, J. Appl. Phys. 74, 5402 (1993).
6. J. Pearton, C. R. Abernathy, R. F. Kopft, F. Ren, and W. S. Hobson J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1333 (1994).
7. S. J. Pearton, F. Ren, C. R. Abernathy, W. S. Hobson, T. R. Fullowan, R. Esagui, and J. R. Lothian, Appl. Phys. Lett. 61, 586 (1992).
8. D. Lootens, P. Van Daele, P. Demeester, and P. Clauws, J. Appl. Phys. 70, 221 (1991).
9. Y. H. Lee, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 1318 (1992).
10. K. L. Seaward and N. J. Moll, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 46 (1992).
11. J. J. Etrillard, J. M. Francou, A. Isnard, and D. Henry, Jpn. J. Appl. Phys. 1 33, 6005 (1994).
12. S. K. Murad, C. D. W. Wilkinson, P. D. Wang, W. Parkes, C. M. Sotomayor-Torres, and N. Cameron, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 223 (1993).
13. A. J. Watts and W. J. Varhue, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 1313 (1991).
14. T. R. Hayes, U. K. Chakrabarti, F. A. Baiocchi, and A. B. Emerson, J. Appl. Phys. 68, 785 (1990).
15. T. R. Hayes, W. C. Dautremont-Smith, H. S. Luftman, and J. W. Lee, Appl. Phys. Lett. 55, 56 (1989).
16. J. J. Etrillard, F. Heliot, P. Ossart, M. Juhel, G. Patriarche, F. Carcenac, C. Vieu, M. Puech, and P. Maquin, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 105 (1996).
17. J. J. Etrillard, P. Ossart, G. Patriarche, and J. M. Francou, J. Phys. (France) III 5, 467 (1995).
18. M. Rahman, N. P. Johnson, M. A. Foad, A. R. Long, M. C. Holland, and D. W. Wilkinson, Appl. Phys. Lett. 61, 2335 (1992).