Temperature-dependent photoluminescence spectra of GaAsSb/AlGaAs and GaAsSbN/GaAs single quantum wells under different excitation intensities

Brazilian Journal of Physics

Volumn 37, Issue 4, 2007, Pages 1212-1219

  Lourenco S A ^a   Dias, I F L ^a   Duarte, J L ^a   Laureto, E ^a   Aquino, V M ^a   Harmand, J C ^b  

^a STATE UNIVERSITY OF LONDRINA   (Brazil)

^b CNRS   (France)

Author keywords

Diluted III N V semiconductors; Excitan localization; Photoluininescece; Quantum wells

Indexed keywords

EID: 38949200045     PISSN: 01039733     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1590/S0103-97332007000800004     Document Type: Article

References (55)

1. H. Saito, T. Makimoto, and N. Kobayashi, J. Cryst. Growth, 195, 416 (1998).
2. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and Sarah R. Kurtz, J. Appl. Phys. 86, 2349 (1999).
3. M. Kondow, T. Kitatani, S. Nakatsuka, M. C. Larson, K. Nakahara, Y. Yazawa, M. Okay, and K. Uomi, IEEE, J. Setect. Topics in Q. Electron. 3, 719 (1997).
4. J. F. Geisz and D. J. Friedman, Semicond. Sci. Technol. 17, 769 (2002).
5. J. C. Harmand, G. Ungaro, J. Ramos, E. V. K. Rao, G. Saint-Girons, R. Taissier, G. Lê Roux, L. Largeau, and G. Patriarche, J. Cryst. Growth 227, 553 (2001).
6. K. Nakahara, M. Kondow, T. Kitatani, M. C. Larson, and K. Uomi, IEEE. Photon. Technol. Lett. 10, 487 (1998).
7. S. Sato, Y. Osawa, T. Saitoh, and I. Fujimura, Electronics. Lett. 33 (1997) 1386.
8. V. M. Ustinov and A. E. Zhukov, Semicond. Sci. Technol. 15, R41(2000).
9. G. Ungaro, G. Le Roux, R. Teissier and J. C. Harmand, Eletronics Lett. 35, 1246 (1999).
10. I. A. Buyanova, W. M. Chen, G. Pozina, J. P. Bergman, B. Monemar, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 75, 501 (1999).
11. A. Polimeni, M. Capizzi, M. Geddo, M. Fischer, M. Reinhardt, and A. Forchel, Appl. Phys. Lett. 77, 2870 (2000).
12. S. A. Lourenço, I. F. L. Dias, L. C. Poças, J. L. Duarte, J. B. B. de Oliveira, and J. C. Harmand, J. Appl. Phys. 93, 4475 (2003)
13. L. Grenouillet, C. Bru-Chevallier, G. Guillot, P. Gilet, P. Duvaut, C. Vannuffel, A. Million, and A. Chenevas-Paule, Appl. Phys. Lett. 76, 2241 (2000).
14. H. P. Xin, K. L. Kavanagh, Z. Q. Zhu, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 74, 2337 (1999).
15. M. A. Pinault and E. Tounie, Appl. Phys. Lett. 78, 1562 (2001).
16. T. K. Ng, S. F. Yoon, W. K. Loke, S. Wicaksono, J. Cryst. Growth 270, 351 (2004).
17. S. Shirakata, M. Kondow, and T. Kitatani, Appl. Phys. Lett. 80, 2087 (2002).
18. X. D. Luo, Z. Y. Xu, Z. Pan, L. H. Li, and Y. W. Lin, Appl. Phys. Lett. 79, 958 (2001).
19. J. C. Harmand, A. Caliman, E. V. K. Rao, L. Largeau, J. Ramos, R Teissier, L. Travers, G. Ungaro, B. Theys, and I. F. L. Dias, Semicond. Sci. Thechnol. 17, 77 8(2002).
20. Djamel Ouadjaout, Yves Marfaing, Phys. Rev. B 46, 7908 (1992).
21. A. Aït-Ouali, J. L. Brebner, R. Y. -F. Yip, and R. A. Masut, J. Appl. Phys. 86, 6803 (1999), and references therein.
22. S. A. Lourenço, I. F. L. Dias, J. L. Duarte, E. Laureto, D. O. Toginho Filho, E. A. Meneses, and J. R. Leite, Eur. Phys. J. B 21, 11 (2001), and references therein.
23. B. Q. Sun, D. S. Jiang, Z. Pan, L. H. Li, and R. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 77, 4148 (2000).
24. S. Shirakata, M. Kondow, and T. Kitatani, Appl. Phys. Lett. 79, 54 (2001).
25. I. A. Buyanova,W. M. Chen, B. Monemar, H. P. Xin, and C.W. Tu, Mater. Sci. Eng. B 75, 166 (2000).
26. M. Grassi, A. F. Fragano, A. Patané, M. -Capazi, E. Runge, and R. Zimmermann, Phys. Rev. B 61, 10985 (2000), and references therein.
27. C. Delalande, M. H. Meynadier, and M. Voos, Phys. Rev. B 31, 2497 (1984).
28. M. Gurioli, A. Vinattieri, J. Martinez-Pastor, and M. Colocci, Phys. Rev. B 50, 11817 (1994).
29. Y. P. Varshni, Physica 34, 194 (1967).
30. F. Saidi, F. Hassen, H. Maaref, L. Auvray, H. Dumont, Y. Monteil, Mater. Sci. Eng. C 21, 245 (2002).
31. T. Mattila, S. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 83, 2010 (1999).
32. X. Liu, M. -E. Pistol, and L. Samuelson, Phys. Rev. B 42, 7504 (1990).
33. P. Leroux-Hugon and H. Mariette, Phys. Rev. B 30, 1622 (1984).
34. S. Francouer, S. A. Nikishin, C. Jin, Y. Qiu, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 75, 1538 (1999).
35. T. Makimoto, H. Saito, T. Nishida, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 70, 2984 (1997).
36. P. C. Kent and A. Zunger, Phys. Rev Lett. 86, 2613 (2001).
37. Y. Zhang, B. Fluegel, A. Mascarenhas, H. P. Xin, and C. W. Tu, Phys. Rev. B 62, 4493 (2000);
38. 63, 085205 (2001).
39. S. -H. Wei, and A Zunger, Phys. Rev. Lett. 76, 664 (1996).
40. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999).
41. J. D. Perkins, A. Mascarenhas, Y. Zhang, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 3312 (1999).
42. A. M. Mintairov, T. H. Kosel, J. L. Merz, P. A. Blagnov, A. S. Vlasov, V. M. Ustinov, and R. E. Cook, Phys. Rev. Lett. 87, 277401 (2001).
43. K. Matsuda, T. Saiki, M. Takahashi, A. Moto, and S. Takagishi, Appl. Phys. Lett. 78, 1508 (2001).
44. H. P. Xin and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 76, 1267 (2000);
45. 77, 2180 (2000).
46. E. Laureto, E. A. Meneses, W. Carvalho Jr, A. A. Bernussi, E. Ribeiro, E. C. F. da Silva, and J. B. B. de Oliveira, Braz. J. Phys. 32, 314 (2002); complementary measurements of PL as a function of temperature and excitation intensity were obtained by us for the InGaP/GaAs system. These complementary measurements are not shown here.
47. Q. Li, S. J. Xu, W. C. Cheng, M. H. Xie, and S. Y. Tong, Appl. Phys. Lett. 79, 1810 (2001).
48. Q. Li, S. J. Xu, M. H. Xie, and S. Y. Tong, J. Phys.: Condens. Matter 17, 4853 (2005).
49. P. G. Eliseev, J. A. Phys. 93, 5404 (2003).
50. R. Pässler, Phys. Status. Solidi. 200, 155 (1997).
51. Z. Y. Xu, Z. D. Lu, Z. L. Yuan, X. P. Yang, B. Z. Zheng, J. Z. Xu, W. K. Ge, Y. Wang, J. Wang, L. L. Chang, Superlattice and Microstruct, 23, 381, (1998).
52. R. Cingolani and K. Ploog, Adv. Phys. 40, 535 (1991).
53. N. A. Poklonski and. A. I. Siaglo, Phys. Solid. State, 43, 157 (2001).
54. S. A. Lourenço, M. A. T. da Silva, I. F. L. Dias, J. L. Duarte, E. Laureto, A. A. Quivy, and T. E. Lamas, J. Appl. Phys. 101, 113536 (2007).
55. J. L. Duarte, L. C. Poças, E. Laureto, I. F. L. Dias, E. M. Lopes, S. A. Lourenço, and J. C. Harmand (to be submitted).