The red σ2/kT spectral shift in partially disordered semiconductors

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 9, 2003, Pages 5404-5415

  Eliseev, P G ^a,b  

^a UNIVERSITY OF NEW MEXICO   (United States)

^b LEBEDEV PHYSICAL INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ABSORPTION SPECTROSCOPY; CARRIER CONCENTRATION; DISPERSION (WAVES); ELECTRONIC DENSITY OF STATES; INDIUM ALLOYS; LUMINESCENCE; NANOSTRUCTURED MATERIALS; SEMICONDUCTOR DOPING; SPECTRUM ANALYSIS; SURFACE ROUGHNESS; THERMAL EFFECTS;

REDSHIFT; SPECTRAL SHIFTS;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 0037986603     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1567055     Document Type: Article

References (56)

1. R. H. Parmenter, Phys. Rev. 97, 587 (1955).
2. E. O. Kane, Phys. Rev. 131, 79 (1963); E. O. Kane, Solid-State Electron. 28, 3 (1985).
3. E. O. Kane, Phys. Rev. 131, 79 (1963); E. O. Kane, Solid-State Electron. 28, 3 (1985).
4. L. V. Bonch-Bruevich, Sov. Phys. Solid State 4, 2660 (1963).
5. J. I. Pankove, Radiative Recombination in Semiconductors (Dunod, Paris, 1965), pp. 201-205.
6. M. Lax and B. I. Halperin, J. Phys. Soc. Jpn. 21, 218 (1966).
7. V. S. Bagaev, Y. N. Berozashvili, B. M. Vul, E. I. Zavaritskaya, L. V. Keldysh, and A. P. Shotov, Sov. Phys. Solid State 6, 1093 (1964); V. S. Bagaev, Y. N. Berozashvili, L. V. Keldysh, A. P. Shotov, B. M. Vul, and E. I. Zavaritskaya, Radiative Recombination in Semiconductors (Dunod, Paris, 1965), pp. 149-153.
8. V. S. Bagaev, Y. N. Berozashvili, B. M. Vul, E. I. Zavaritskaya, L. V. Keldysh, and A. P. Shotov, Sov. Phys. Solid State 6, 1093 (1964); V. S. Bagaev, Y. N. Berozashvili, L. V. Keldysh, A. P. Shotov, B. M. Vul, and E. I. Zavaritskaya, Radiative Recombination in Semiconductors (Dunod, Paris, 1965), pp. 149-153.
9. I. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996).
10. T. Matsuoka, Appl. Phys. Lett. 71, 105 (1997).
11. R. Singh, D. Doppalapudi, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 70, 1089 (1997).
12. H. Sato, T. Sugahara, Y. Naoi, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 2013 (1998).
13. P. Ruterana, G. Nouet, W. Van der Stricht, I. Moerman, and L. Considine, Appl. Phys. Lett. 72, 1742 (1998).
14. M. Shimotomai and A. Yoshikawa, Appl. Phys. Lett. 73, 3256 (1998).
15. P. G. Eliseev, A. I. Krasilnikov, M. A. Manko, and I. Z. Pinsker, Phys. Status Solidi 23, 587 (1967).
16. M. Kondow, S. Minagawa, Y. Inoue, and T. Nishino, Appl. Phys. Lett. 54, 1760 (1989).
17. P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997).
18. P. G. Eliseev and M. A. Manko, Sov. Phys. Semicond. 2, 1 (1968).
19. H. B. Webb and E. W. Williams, Semicond, and Semimetals, edited by R. K. Willardson and A. C. Beer (Academic, New York, 1972), Vol. 8, pp. 181-320.
20. P. G. Eliseev, M. Osinski, J. Lee, T. Sugahara, and S. Sakai, J. Electron. Mater. 29, 332 (2000).
21. M. Gurioli, A. Vinattieri, J. Martinez-Pastor, and M. Colocci, Phys. Rev. B 50, 11817 (1994).
22. Y. P. Varshni, Physica (Amsterdam) 34, 149 (1967).
23. L. Vina, S. Logothetidis, and M. Cardona, Phys. Rev. B 30, 1979 (1984).
24. B. D. Little, W. Shan, J. J. Song, Z. C. Feng, M. Schurman, and R. A. Stall, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 823 (1997).
25. P. G. Eliseev, I. Ismailov, A. I. Krasilnikov, and M. A. Manko, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (S.-Peterburg) 1, 951 (1967).
26. P. G. Eliseev, I. Ismailov, A. I. Krasilnikov, and M. A. Manko, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (S.-Peterburg) 1, 953 (1967).
27. P. G. Eliseev, I. Ismailov, M. A. Manko, A. I. Krasilnikov, and V. P. Strakhov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (S.-Pelerburg) 1, 1315 (1967).
28. Y. Ishitani, S. Minagawa, and T. Tanaka. J. Appl. Phys. 75, 5326 (1994).
29. Y. Ishitani, S. Minagawa, T. Kita, T. Nishino, H. Yaguchi, and Y. Shiraki, J. Appl. Phys. 80, 4592 (1996).
30. C. H. Qui, C. Hoggatt, W. Melton, M. W. Leksono, and J. I. Pankove, Appl. Phys. Lett. 66, 2712 (1995).
31. K. P. O'Donnel, R. W. Martin, and P. G. Middleton, Phys. Rev. Lett. 82, 237 (1999).
32. I. V. Akimova, P. G. Eliseev, M. A. Osinski, and P. Perlin, Quantum Electron. 26, 1039 (1996).
33. Y. Narukawa, S. Saijou, Y. Kawakami, S. Fujita, T. Mukai, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 74, 558 (1999).
34. S. F. Chichibu, et al., Appl. Phys. Lett. 74, 1460 (1999).
35. L. Bergman, M. Dutta, M. A. Strosco, S. M. Komirenko, R. Nemanich, C. J. Eiting, D. J. H. Lambert, H. K. Kwon, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 76, 1969 (2000).
36. K. L. Teo et al., Appl. Phys. Lett. 73, 1697 (1998).
37. M. E. Aumer, S. F. Le Boeuf, B. F. Moody, S. M. Bedair, K. Nam, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 80, 3099 (2002).
38. V. Yu. Davydov et al., Proceedings of the 10th International Symposium, St. Petersburg, Russia 2002, pp. 78-81.
39. Y. H. Cho, G. H. Gainer, J. B. Lam, J. J. Song, W. Yang, and W. Jhe, Phys. Rev. B 61, 7203 (2000).
40. C. H. Chen, L. Y. Huang, Y. F. Chen, H. X. Jiang, and J. Y. Lin, Appl. Phys. Lett. 80, 1397 (2002).
41. M. S. Skolnick, P. R. Tapster, S. J. Bass, A. T. Pitt, and N. Apsley, Semicond. Sci. Technol. 1, 29 (1986).
42. M. S. Shkolnik, P. R. Tapster, S. J. Bass, N. Apsley, A. T. Pitt, N. G. Chew, A. G. Cullis, S. P. Aldred, and C. A. Warwick, Appl. Phys. Lett. 48, 1455 (1986).
43. S. T. Davey, E. G. Scott, B. Wakefield, and G. J. Davies, Semicond. Sci. Technol. 3, 365 (1988).
44. H. Nashiki, I. Suemune, H. Kumano, H. Suzuki, T. Obinata, K. Vesugi, and J. Nakahara, Appl. Phys. Lett. 70, 2350 (1997).
45. S. Guha, Q. Cai, M. Chandrasekhar, H. R. Chandrasekhar, H. Kim, A. D. Alvarenga, R. Vogelgesang, A. K. Ramdas, and M. R. Melloch, Phys. Rev. B 58, 7222 (1998).
46. I. M. Lifshitz, Adv. Phys. 13, 483 (1964).
47. S. D. Baranovskii and A. L. Efros, Sov. Phys. Semicond. 12, 1328 (1978).
48. A. L. Efros and M. E. Raikh, in Optical Properties of Mixed Crystals, edited by R. J. Elliot and I. P. Ipatova (Elsevier, New York, 1988).
49. V. G. Karpov, Phys. Rev. B 50, 18106 (1994).
50. V. I. Litvinov, Appl. Phys. Lett. 77, 2210 (2000).
51. E. F. Schubert, E. O. Goebel, Y. Horikoshi, K. Ploog, and H. J. Quisser, Phys. Rev. B 30, 813(1984).
52. H. P. D. Schenk, M. Leroux, and P. de Mierry, J. Appl. Phys. 88, 1525 (2000).
53. T. Takeuchi et al., Appl. Phys, Lett. 73, 1691 (1998).
54. L.-H. Peng, C.-W. Chuang, and L.-H. Lou, Appl. Phys. Lett. 74, 795 (1999).
55. P. Riblet, H. Hirayama, A. Kinoshita, A. Hirata, T. Sugano, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 75, 2241 (1999).
56. O. V. Bogdankevich, A. S. Darznek, and P. G. Eliseev, Semiconductor Lasers (Nauka, Moscow, 1976), p. 89 (in Russian).