Three-dimensional geometry of nanometer-scale AIN pits: A new template for quantum dots?

Advanced Materials

Volumn 20, Issue 1, 2008, Pages 134-137

  Liu, Fude ^a,c   Collazo, Ramon ^a   Mita, Seiji ^a   Sitar, Zlatko ^a   Duscher, Gerd ^a,b  

^a North Carolina State University   (United States)

^b OAK RIDGE NATIONAL LABORATORY   (United States)

^c NATIONAL RENEWABLE ENERGY LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM COMPOUNDS; GALLIUM NITRIDE; HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MASS TRANSFER;

GROWTH MECHANISM; THREADING DISLOCATIONS;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 38549161496     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200701288     Document Type: Article

References (25)

1. L. F. Eastman, U. K. Mishra, IEEE Spectrum 2002, 39, 28.
2. Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto, Nature 2006, 441, 325.
3. S. A. Wolf, D. D. Awschalom, R. A. Buhrman, J. M. Daughton, S, Molnár, M. L. Roukes, A. Y. Chtchelkanova, D. M. Treger. Science 2001,294,1448.
4. J. Bai, T. Wang, P. J. Parbrooka, I. M. Rossa, A. G. Cullis, J. Crystal Growth 2006, 289, 63.
5. Y. A, Xi, K. X. Chen, F. Mont, J. K. Kim, C. Wetzel, E. F. Schuberta, W. Liu, X. Li, J. A. Smart, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 103106.
6. R. F. Egerton, Physical Principles of Electron Microscopy, Spinger, New York, NY 2005.
7. M. Stutzmann. O. Ambacher, M. Eickhoff, U. Karrer, A. L. Pimenta, R. Neuberger, J. Schalwig, R. Dimitrov, P. J. Schuck, R. D. Grober, Phys. Status Solidi B 2001, 228, 505.
8. K. Hoshino, S. Kako, Y. Arakawa, Phys. Status Solidi B 2003, 240, 322.
9. A. F. Wright, J. Appl. Phys. 2002, 92, 2575.
10. F. J. Fälth, H. J. Kim, M. Heuken, T. G. Andersson, Phys. Scr. 2002, T101, 78.
11. D. A. Stocker, E. F. Schubert, J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2654.
12. N. Kuwano, R. Tajima, S. Bohyama, H. Miyake, K. Hiramatsu. T. Shibata, Phys. Status Solidi A 2004, 201, 2755.
13. T. L. Song, S. J. Chua, E. A. Fitzgerald, P. Chen, S. Tripathy, J. Vac. Sci. Technol. A 2004, 22, 287.
14. D. Zhuang, J. H. Edgar, B. Strojek, J. Chaudhuri, Z. Rek, J. Crystal Growth 2004, 262, 89.
15. P. D. Neilist, M. F. Chisholm, N. Dellby, O. L. Kirvanek, M. F. Mur- fitt, Z. S. Szilagyi, A. R. Lupini, A. Borisevich, W. H. Sides. Jr., S. J. Pennycook, Science 2004, 305, 1741.
16. Y. Kato, S. Kitamura, K. Hiramatsu, N. Sawaki, J. Crystal Growth 1994, 144, 133.
17. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, A. A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 1997, 36, L899.
18. T. S. Zheleva, O. -H. Nam, M. D. Bremser, R. F. Davis, Appl. Phys Lett. 1997, 71, 2472.
19. S. Founta, F. Rol, E. Bellet-Amalric, E. Sarigiannidou, B. Gayral, C. Moisson. H. Mariette, B. Daudin, Phys. Status Solidi B 2006, 243, 3968.
20. J. Coraux, B. Amstatt, J. A. Budagoski, E. Bellet-Amalric, J.-L. Rou- vière, V. Favre-Nicolin, M. G. Proietti, H. Renevier, B. Daudin, Phys. Rev. B 2006, 74, 195302.
21. J. Brown, F. Wu, P. M. Petroff, J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 690.
22. K. Hoshino, S. Kako, Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 1262.
23. B. Daudin, C. Adelmann, N. Gogneau, E. Sarigiannidou, E. Monroy, F. Fossard, J. L. Rouviere, Phys. E 2004, 21, 540.
24. Y. D. Wang, K. Y. Zang, S. J. Chua, J. Appl. Phys. 2006, 100, 054306.
25. M. S. Sander, L.-S. Tan, Adv. Fund. Mater. 2003, 13, 393.