Characterization of ZnO:N films prepared by annealing sputtered zinc oxynitride films at different temperatures

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 11, 2007, Pages

  Zhang, J P ^a   Zhang, L D ^a   Zhu, L Q ^a   Zhang, Y ^a   Liu, M ^a   Wang, X J ^a   He, G ^b  

^a INSTITUTE OF SOLID STATE PHYSICS   (China)

^b UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CHARACTERIZATION; FILMS; SPUTTER DEPOSITION; TEMPERATURE DISTRIBUTION; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

NITROGEN ACTIVATION; ZINC OXYNITRIDE FILMS;

ZINC OXIDE;

EID: 37149037688     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2817255     Document Type: Article

References (37)

1. Y. Nakano, T. Morikawa, T. Ohwaki, and Y. Taga, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2198489 88, 172103 (2006).
2. C. H. Park, S. B. Zhang, and S. -H. Wei, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.66.073202 66, 073202 (2002).
3. I. Volintiru, M. Creatore, W. H. van Helvoort, J. L. Linden, and M. C. M. van de Sanden, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2221391 89, 022110 (2006).
4. B. S. Li, J. Mater. Res. 18, 8 (2003). 0884-2914
5. Y. Yan, S. B. Zhang, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.86.5723 86, 5723 (2001).
6. J. G. Ma, Y. C. Liu, R. Mu, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.1641057 22, 94 (2004).
7. Z. Y. Xiao, Y. C. Liu, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, Semicond. Sci. Technol. 0268-1242 10.1088/0268-1242/20/8/027 20, 796 (2005).
8. B. Yao, Z. Z. Zhang, X. H. Wang, Z. P. Wei, B. H. Li, Y. M. Lv, X. W. Fan, L. X. Guan, G. Z. Xing, C. X. Cong, and Y. P. Xie, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2208414 99, 123510 (2006).
9. T. M. Barnes, K. Olson, and C. A. Wolden, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1884747 86, 112112 (2005).
10. N. Y. Yuan, J. H. Li, L. N. Fan, X. Q. Wang, and Y. Zhou, J. Cryst. Growth 290, 156 (2006). 0022-0248
11. A. Kaschner, U. Haboeck, M. Strassburg, M. Strassburg, G. Kaczmarczyk, A. Hoffmann, C. Thomsen, A. Zeuner, H. R. Alves, D. M. Hofmann, and B. K. Meyer, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1461903 80, 1909 (2002).
12. G. T. Du, Y. Ma, Y. T. Zhang, and T. P. Yang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2132528 87, 213103 (2005).
13. M. Futsuhara, K. Yoshioka, and O. Takai, Thin Solid Films 0040-6090 10.1016/S0040-6090(97)00910-3 322, 274 (1998).
14. Y. Nakano, T. Morikawa, T. Ohwaki, and Y. Taga, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2139852 87, 232104 (2005).
15. D. Niu, R. W. Ashcraft, and G. N. Parsons, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1477268 80, 3575 (2002).
16. S. Limpijumnong, X. Li, S. -H. Wei, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1931823 86, 211910 (2005).
17. C. L. Perkins, S. -H. Lee, X. N. Li, S. E. Asher, and T. J. Coutts, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1847728 97, 034907 (2005).
18. M. Futsuhara, K. Yoshioka, and O. Takai, Thin Solid Films 0040-6090 10.1016/S0040-6090(97)00646-9 317, 322 (1998).
19. J. Y. Feng, C. P. Long, Y. Zheng, F. W. Zhang, and Y. D. Fan, J. Cryst. Growth 147, 333 (1995). 0022-0248
20. S. J. Jiao, Z. Z. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, B. Yap, J. Y. Zhang, B. H. Li, D. X. Zhao, X. W. Fan, and Z. K. Tang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2166686 88, 031911 (2006).
21. P. Fons, H. Tampo, A. V. Kolobov, M. Ohkubo, S. Niki, J. Tominaga, R. Carboni, F. Boscherini, and S. Friedrich, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.96.045504 96, 045504 (2006).
22. J. Torres, C. C. Perry, S. J. Bransfield, and D. H. Fairbrother, J. Phys. Chem. B 1089-5647 10.1021/jp027802w 107, 5558 (2003).
23. M. Joseph, H. Tabata, H. Saeki, K. Ueda, and T. Kawai, Physica B 302-303, 140 (2001). 0921-4526
24. W. Z. Xu, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, L. P. Zhu, B. H. Zhao, L. Jiang, J. G. Lu, H. P. He, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2199588 88, 173506 (2006).
25. C. -C. Yang, C. -C. Lin, C. -H. Peng, and S. -Y. Chen, J. Cryst. Growth 285, 96 (2005). 0022-0248
26. F. K. Shan, G. X. Liu, W. J. Lee, G. H. Lee, I. S. Kim, and B. C. Shin, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1939078 86, 221910 (2005).
27. R. Asahi, T. Morikawa, T. Ohwaki, K. Aoki, and Y. Taga, Science 0036-8075 10.1126/science.1061051 293, 269 (2001).
28. G. He, L. D. Zhang, G. H. Li, M. Liu, L. Q. Zhu, S. S. Pan, and Q. Fang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1927716 86, 232901 (2005).
29. Z. Song, B. R. Rogers, and N. D. Theodore, J. Vac. Sci. Technol. A 0734-2101 10.1116/1.1690252 22, 711 (2004).
30. A. Fontcuberta i Morral, P. Roca i Cabarrocas, and C. Clerc, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.69.125307 69, 125307 (2004).
31. H. T. Fan, X. M. Teng, S. S. Pan, C. Ye, G. H. Li, and L. D. Zhang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2136351 87, 231916 (2005).
32. M. Liu, Q. Fang, G. He, L. Q. Zhu, and L. D. Zhang, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2432379 101, 034107 (2007).
33. Y. S. Park and J. R. Schneider, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1656731 39, 3049 (1968).
34. R. Schmidt, B. Rheinländer, M. Schubert, D. Spemann, T. Butz, J. Lenzner, E. M. Kaidashev, M. Lorentz, A. Rahm, H. C. Semmelhack, and M. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1565185 82, 2260 (2003).
35. S. Venkataraj, O. Kappertz, R. Jayavel, and M. Wuttig, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1498963 92, 2461 (2002).
36. N. R. Aghamalyan, I. A. Gambaryan, E. Kh. Goulanian, R. K. Hovsepyan, R. B. Kostanyan, S. I. Petrosyan, E. S. Vardanyan, and A. F. Zerrouk, Semicond. Sci. Technol. 0268-1242 10.1088/0268-1242/18/6/322 18, 525 (2003).
37. S. Heitsch, G. Zimmermann, D. Fritsch, C. Sturm, R. Schmidt-Grund, C. Schulz, H. Hochmuth, D. Spemann, G. Benndorf, B. Rheinländer, Th. Nobis, M. Lorenz, and M. Grundmann, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2719010 101, 083521 (2007).