Nitrogen incorporation during metal organic chemical vapor deposition of ZnO films using a remote Ar/N2 plasma

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 2, 2006, Pages

  Volintiru, I ^a   Creatore, M ^a   Van Helvoort, W H ^b   Linden, J L ^b   Van De Sanden, M C M ^a  

^a EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

^b TNO   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GRAIN BOUNDARIES; MASS SPECTROMETRY; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; NITROGEN; OXYGEN; THIN FILMS;

NITROGEN-CONTAINING ZINC OXIDE FILMS; OXYGEN/DIETHYLZINC MIXTURES; THERMAL PLASMA;

ZINC OXIDE;

EID: 33746075197     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2221391     Document Type: Article

References (29)

1. J. Hu and R. G. Gordon, J. Appl. Phys. 71, 880 (1992).
2. H. Sato, T. Minami, S. Takata, T. Mouri, and N. Ogawa, Thin Solid Films 220, 327 (1992).
3. B. Sang, A. Yamada, and M. Konagai, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 49, 19 (1997).
4. A. Kobayashi, O. F. Sankey, and J. D. Dow, Phys. Rev. B 28, 946 (1983).
5. K. Minegishi, Y. Koiwai, Y. Kikuchi, K. Yano, M. Kasuga, and A. Shimizo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1453 (1997).
6. T. M. Barnes, K. Olson, and C. A. Wolden, Appl. Phys. Lett. 86, 112112 (2005).
7. F. X. Xiu, Z. Yang, L. J. Mandalapu, D. T. Zhao, J. L. Liu, and W. P. Beyermann, Appl. Phys. Lett. 87, 152101 (2005).
8. K. K. Kim, H. S. Kim, D. K. Huang, J. H. Lim, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 83, 63 (2003).
9. Z. Z. Ye, F. Zhuge, J. G. Lu, Z. H. Zhang, L. P. Zhu, B. H. Zhao, and J. Y. Huang, J. Cryst. Growth 265, 127 (2004).
10. C. H. Park, S. B. Zhang, and Su-Huai Wei, Phys. Rev. B 66, 073202 (2002).
11. Y. Yan, S. B. Zhang, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 86, 5723 (2001).
12. M. C. M. van de Sanden, J. M. de Reigt, and D. C. Schram, Phys. Rev. E 47, 2792 (1994).
13. W. M. M. Kessels, M. C. M. van de Sanden, and D. C. Schram, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2153 (2000).
14. W. M. M. Kessels, F. J. H. van Assche, J. Jong, D. C. Schram, and M. C. M. van de Sanden, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 96 (2004).
15. R. Groenen, J. L. Linden, H. R. M. van Lierop, A. D. Kuypers, and M. C. M. van de Sanden, Appl. Surf. Sci. 173, 40 (2001).
16. M. C. M. van de Sanden, R. J. Severens, W. M. M. Kessels, R. F. G. Meulenbroeks, and D. C. Schram, J. Appl. Phys. 84, 2426 (1998).
17. S. E. Rodil, A. C. Ferrari, J. Robertson, and S. Muhl, Thin Solid Films 420-421, 122 (2002).
18. A. Bousetta, M. Lu, A. Bousaoula, and A. Schultz, Appl. Phys. Lett. 65, 696 (1994).
19. A. Laskarakis, S. Logothetidis, and M. Gioti, Phys. Rev. B 64, 125419 (2001).
20. B. Bouchet-Fabre, C. Gaudet, M. Lacerda, S. Charvet, K. Zellama, and D. Ballutaud, J. Appl. Phys. 95, 3427 (2004).
21. E. Bustarret, M. Bensouda, M. C. Habrard, J. C. Bruyere, S. Poulin, and S. C. Gujrathi, Phys. Rev. B 38, 8171 (1998).
22. W. A. Langford and M. J. Rand, J. Appl. Phys. 49, 2473 (1978).
23. B. M. Keyes, G. M. Gedvilas, X. Li, and T. J. Coutts, J. Cryst. Growth 281, 297 (2005).
24. T. M. Barnes, J. Leaf, S. Hand, C. Fry, and C. A. Wolden, J. Appl. Phys. 96, 7036 (2004).
25. N. H. Nickel, F. Friedrich, J. F. Rommeluëre, and P. Galtier, Appl. Phys. Lett. 87, 211905 (2005).
26. Y. Yan, S. B. Zhang, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 86, 5723 (2001).
27. C. Agashe, O. Kluth, J. Hüpkes, U. Zastrow, and B. Rech, J. Appl. Phys. 95, 1911 (2004).
28. S. Ghosh, A. Sarkar, S. Chandhuri, and A. K. Pal, Thin Solid Films 205, 64 (1991).
29. S. Limpijumnong, X. Li, Su-Huai Wei, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 86, 211910 (2005).