Dielectric functions (1 to 5 eV) of wurtzite MgxZn1-xO(x≤0.29) thin films

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 14, 2003, Pages 2260-2262

  Schmidt, R ^a   Rheinlander B ^a   Schubert, M ^a   Spemann, D ^a   Butz, T ^a   Lenzner, J ^a   Kaidashev, E M ^a   Lorenz, M ^a   Rahm, A ^a   Semmelhack, H C ^a   Grundmann, M ^a  

^a UNIVERSITY OF LEIPZIG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIELECTRIC PROPERTIES; ELLIPSOMETRY; FILM GROWTH; LIGHT POLARIZATION; PULSED LASER DEPOSITION; THERMAL EFFECTS; THIN FILMS;

WURTZITE;

MAGNESIUM COMPOUNDS;

EID: 0345373812     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1565185     Document Type: Article

References (25)

1. A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masabuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, and Y. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
2. W. I. Park, G.-C. Yi, and H. M. Jang, Appl. Phys. Lett. 79, 2022 (2001).
3. D. Zhao, Y. Liu, D. Shen, Y. Lu, J. Zhang, and X. Fan, J. Cryst. Growth 234, 427 (2002).
4. A. Ohtomo, K. Tamura, K. Saikusa, K. Takashi, T. Makino, Y. Segawa, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 75, 2635 (1999).
5. G. E. Jellison, Jr. and L. A. Boatner, Phys. Rev. B 58, 3586 (1998).
6. D. M. Roessler and W. C. Walker, Phys. Rev. 159, 733 (1967).
7. S. Choopun, R. D. Vispute, W. Yang, R. P. Sharma, T. Venkatesan, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 80, 1529 (2002).
8. C. W. Teng, J. F. Muth, Ü. Özgürm, M. J. Bergmann, H. O. Everitt, A. K. Sharma, C. Jin, and J. Narayan, Appl. Phys. Lett. 76, 979 (2000).
9. A. K. Sharma, J. Narayan, J. F. Muth, C. W. Teng, C. Jin, A. Kvit, R. M. Kolbas, and O. W. Holland, Appl. Phys. Lett. 75, 3327 (1999).
10. J. H. Kang, Y. R. Park, and K. J. Kim, Solid State Commun. 115, 127 (2000).
11. M. Lorenz, E. M. Kaidashev, H. v. Wenckstern, R. Schmidt, R. Pickenhain, J. Lenzner, D. Spemann, and M. Grundmann (unpublished).
12. C. Bundesmann, M. Schubert, D. Spemann, T. Butz, M. Lorenz, E. M. Kaidashev, and M. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 81, 2376 (2002).
13. H. Yao and C. H. Yan, J. Appl. Phys. 85, 6717 (1999).
14. B. Segall, Phys. Rev. 163, 1674 (1967).
15. H. Yoshikawa and S. Adachi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 6237 (1997).
16. A. D. Rakic and M. L. Majewski, J. Appl. Phys. 80, 5909 (1996).
17. K. Postava, H. Sueki, M. Aoyama, T. Yamaguchi, Ch. Ino, and Y. Igasaki, J. Appl. Phys. 87, 7820 (2000).
18. P. L. Washington, H. C. Ong, J. Y. Dai, and R. P. H. Chang, Appl. Phys. Lett. 72, 3261 (1998).
19. R. Matz and H. Lüth, Appl. Phys. 18, 1123 (1979).
20. R. Klucker, H. Nelkowski, Y. S. Park, M. Skibowski, and T. S. Wagner, Phys. Status Solidi B 45, 265 (1971).
21. W. Y. Liang and A. D. Joffe, Phys. Rev. Lett. 20, 59 (1968).
22. M. A. Kanehisa and R. J. Elliott, Phys. Rev. B 35, 2228 (1987).
23. K. Suzuki, N. Akita, K. Inagi, A. Nishihata, N. Takojima, and S. Dairaku, J. Cryst. Growth 138, 199 (1994).
24. K. Oettinger, D. M. Hofmann, Al. L. Efros, B. K. Meyer, M. Salk, and K. W. Benz, J. Appl. Phys. 71, 4523 (1992).
25. M. Schubert, B. Rheinländer, E. Franke, H. Neumann, J. Hahn, M. Röder, and F. Richter, Appl. Phys. Lett. 70, 1819 (1997).