Deep traps responsible for hysteresis in capacitance-voltage characteristics of AlGa/NGaN heterostructure transistors

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 23, 2007, Pages

  Polyakov, A Y ^a   Smirnov, N B ^a   Govorkov, A V ^a   Markov, A V ^a   Dabiran, A M ^b   Wowchak, A M ^b   Osinsky, A V ^b   Cui, B ^b   Chow, P P ^b   Pearton, S J ^c  

^a INSTITUTE OF RARE METALS   (Russian Federation)

^b SVT ASSOCIATES   (United States)

^c J Crayton Pruitt Family Department of Biomedical Engineering   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; CAPACITANCE; DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY; ELECTRON TUNNELING; GATES (TRANSISTOR); VOLTAGE CONTROL;

BUFFERS; SCHOTTKY GATE; TRANSISTOR STRUCTURES;

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS;

EID: 36849030684     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2823607     Document Type: Article

References (22)

1. M. S. Shur and M. A. Khan, in GaN and Related Materials II, edited by, S. J. Pearton, (Gordon and Breach, New York, 1999), Vol. 7, pp. 47-92.
2. H. Miyamoto, Phys. Status Solidi C 3, 2254 (2006).
3. J. Kuzmik, J.-F. Carlin, M. Gonshorek, A. Kostopoulos, G. Konstantinidis, G. Pozzovivo, S. Golka, A. Georgakilas, N. Granjean, G. Strasser, and D. Pogany, Phys. Status Solidi A 204, 2019 (2007).
4. M. A. Mastro, J. R. LaRoche, N. D. Bassim, and C. R. Eddy, Jr., Microelectron. J. 36, 705 (2005).
5. X. Hu, A. Koudyumov, G. Smith, J. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 79, 2832 (2001).
6. B. Luo, J. W. Johnson, J. Kim, R. M. Mehandru, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, C. Monier, and J. Han, Appl. Phys. Lett. 80, 1661 (2002).
7. A. Kawano, S. Kishimoto, Y. Ohno, K. Maezawa, T. Mizutani, H. Ueno, T. Ueda, and T. Tanaka, Phys. Status Solidi C 4, 2695 (2007).
8. P. B. Klein, J. A. Freitas, S. C. Binari, and A. E. Wickenden, Appl. Phys. Lett. 75, 4016 (1999).
9. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, A. V. Markov, T. G. Yugova, E. A. Petrova, A. M. Dabiran, A. M. Wowchak, A. V. Osinski, P. P. Chow, S. J. Pearton, K. D. Shcherbatchev, and V. T. Bublik, J. Electrochem. Soc. 154, H749 (2007).
10. D. L. Losee, J. Appl. Phys. 46, 2204 (1975).
11. D. V. Lang and R. A. Logan, J. Electron. Mater. 4, 1053 (1975).
12. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, M. G. Mil'vidskii, A. S. Usikov, B. V. Pushnyi, and W. V. Lundin, Solid-State Electron. 43, 1929 (1999).
13. A. Armstrong, C. Poblenz, U. K. Mishra, J. S. Speck, and S. A. Ringel, Phys. Status Solidi B 244, 1867 (2007).
14. D. C. Look, Z.-Q. Fang, and B. Claffin, J. Cryst. Growth 281, 143 (2005).
15. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, Z.-Q. Fang, D. C. Look, S. S. Park, and J. H. Han, J. Appl. Phys. 92, 5241 (2002).
16. I.-H. Lee, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, A. V. Markov, and S. J. Pearton, Phys. Status Solidi C 3, 2087 (2006).
17. Y. Tokuda, Y. Matuoka, K. Yoshida, H. Ueda, O. Ishiguro, N. Sorjima, and T. Kachi, Phys. Status Solidi C 4, 2568 (2007).
18. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, A. A. Shlensky, and S. J. Pearton, J. Appl. Phys. 95, 5591 (2004).
19. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, V. I. Vdovin, A. V. Markov, A. A. Shlensky, K. R. Evans, D. Hanser, J. M. Zavada, and S. J. Pearton, J. Vac. Sci. Technol. B 25, 686 (2007).
20. A. Armstrong, A. R. Arehart, B. Moran, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, J. S. Speck, and S. A. Ringel, J. Appl. Phys. 84, 374 (2004).
21. F. D. Auret, S. A. Goodman, F. K. Koschnick, J.-M. Spaeth, B. Beaumont, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 73, 3745 (1998).
22. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, A. V. Markov, S. J. Pearton, N. G. Kolin, D. I. Merkurisov, V. M. Boiko, C.-R. Lee, and I.-H. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B 25, 436 (2007).