Electrical characterization of nonvolatile phase-change memory devices using Sb-rich Ge-Sb-Te alloy films

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 46, Issue 11, 2007, Pages 7225-7231

  Yoon, Sung Min ^a   Choi, Kyu Jeong ^a   Lee, Nam Yeal ^a   Lee, Seung Yun ^a   Park, Young Sam ^a   Yu, Byoung Gon ^a  

^a Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

Author keywords

Ge2Sb2Te5 (GST); Nonvolatile memory; PRAM; Reliability; Switching

Indexed keywords

ENERGY DISPERSIVE SPECTROSCOPY; GERMANIUM ALLOYS; NONVOLATILE STORAGE; PHASE TRANSITIONS; SWITCHING; THRESHOLD VOLTAGE;

AMORPHOUS PHASE; ATOMIC RATIO; CONDUCTIVE METASTABLE FEE PHASE; ELECTRONIC SWITCHING;

PHASE CHANGE MEMORY;

EID: 35948962357     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.46.7225     Document Type: Article

References (29)

1. S. Kang, W. Y. Cho, B. H. Cho, K. J. Lee, C. S. Lee, H. R. Oh, B. G. Choi, Q. Wang, H. J. Kim, M. H. Park, Y. H. Ro, S. Kim, C. G. Ha, K. S. Kim, Y. R. Kim, D. E. Kim, C. K. Kwak, H. G. Byun, G. Jeong, H. Jeong, K. Kim, and Y. S. Shin: IEEE J. Solid-State Circuits 42 (2007) 210.
2. F. Bedeschi, R. Bez, C. Boffino, E. Bonizzoni, E. C. Buda, G. Casagrande, L. Costa, M. Ferrao, R. Gastaldi, O. Khouri, F. Ottogalli, F. Pellizer, A. Pirovano, C. Resta, G. Torelli, and M. Tosi: IEEE J. Solid-State Circuits 40 (2005) 1557.
3. J. H. Oh, J. H. Park, Y. S. Lim, H. S. Lim, Y. T. Oh, J. S. Kim, J. M. Shin, J. H. Park, Y. J. Song, K. C. Ryoo, D. W. Lim, S. S. Park, J. I. Kim, J. H. Kim, J. Yu, F. Yeung, C. W. Jeong, J. H. Kong, D. H. Kang, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, and K. Kim: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 2.6.
4. Y. Matsui, K. Kurotsuchi, O. Tonomura, T. Morikawa, M. Kinoshita, Y. Fujisaki, N. Matsuzaki, S. Hanzawa, M. Terao, N. Takaura, H. Moriya, T. Iwasaki, M. Moniwa, and T. Koga: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 30.1.
5. K. Lee, B. Cho, W. Cho, S. Kang, B. Choi, H. Oh, C. Lee, H. Kim, J. Park, Q. Wang, M. Park, Y. Ro, J. Choi, K. Kim, Y. Kim, W. Chung, H. Cho, K. Lim, C. Choi, I. Shin, D. Kim, K. Yu, C. Kwak, and C. Kim: Proc. IEEE Int. Solid State Circuit Conf. (ISSCC), 2007, p. 26.1.
6. S. Hanzawa, N. Kitai, K. Osada, A. Kotabe, Y. Matsui, N. Matsuzaki, N. Takaura, M. Moniwa, and T. Kawahara: Proc. IEEE Int. Solid State Circuit Conf. (ISSCC), 2007, p. 26.2.
7. S. M. Yoon, K. J. Choi, N. Y. Lee, S. Y. Lee, Y. S. Park, and B. G. Yu: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L99.
8. K. Nakayama, K. Kojima, F. Hayakawa, Y. Imai, A. Kitagawa, and M. Suzuki: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 6157.
9. M. H. R. Lankhorst, B. W. S. M. M. Ketelaars, and R. A. M. Wolters: Nat. Mater. 4 (2005) 347.
10. A. Pirovano, A. Redaelli, F. Pellizzer, F. Ottogalli, M. Tosi, D. lelmini, A. L. Lacaita, and R. Bez: IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 4 (2004) 422.
11. S. Privitera, E. Rimini, and R. Zonca: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 3044.
12. U. Russo, D. lelmini, A. Redaelli, and A. L. Lacaita: IEEE Trans. Electron Devices 53 (2006) 3032.
13. A. Redaelli, D. lelmini, U. Russo, and A. L. Lacaita: IEEE Trans. Electron Devices 53 (2006) 3040.
14. N. Yamada, E. Ohno, K. Nishiuchi, N. Akahira, and M. Takao: J. Appl. Phys. 69 (1991) 2849.
15. N. Yamada and T. Matsunaga: J. Appl. Phys. 88 (2000) 7020.
16. S. Senkader and C. D. Wright: J. Appl. Phys. 95 (2004) 504.
17. S. J. Ahn, Y. J. Song, C. W. Jeong, J. M. Shin, Y. Fai, Y. N. Whang, S. H. Lee, K. C. Ryoo, S. Y. Lee, J. H. Park, H. Horii, Y. H. Ha, J. H. Yi, B. J. Kuh, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, K. Kim, and B. I. Ryu: IEDM Tech. Dig., 2004, p. 37.2.
18. H. Horii, J. H. Yi, J. H. Park, Y. H. Ha, I. G. Beak, S. O. Park, Y. N. Hwang, S. H. Lee, Y. T. Kim, K. H. Lee, U. I. Chung, and J. T. Moon: Tech. Dig. Symp. VLSI Technology, 2003, p. 12B-5.
19. J. B. Park, G. S. Park, H. S. Baik, J. H. Lee, H. Jeong, and K. Kim: J. Electrochem. Soc. 154 (2007) H139.
20. K. Nakayama, T. Kitagawa, M. Ohmura, and M. Suzuki: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 564.
21. S. G. Aiberici, R. Zonca, and B. Pashmakov: Appl. Surf. Sci. 231-232 (2004) 821.
22. S. M. Yoon, K. J. Choi, N. Y. Lee, S. Y. Lee, Y. S. Park, and B. G. Yu: Appl. Surf. Sci. 254 (2007) 316.
23. S. Privitera, E. Rimini, C. Bongorino, R. Zonca, A. Pirovano, and R. Bez: J. Appl. Phys. 94 (2003) 4409.
24. W. K. Njoroge, H. W. Woltgens, and M. Wuttig: J. Vac. Sci. Technol. A 20 (2002) 230.
25. B. J. Kooi and J. Th. M. De Hosson: J. Appl. Phys. 92 (2002) 3584.
26. S. O. Ryu, S. M. Yoon, K. J. Choi, N. Y. Lee, Y. S. Park, S. Y. Lee, B. G. Yu, J. B. Park, and W. C. Shin: J. Electrochem. Soc. 153 (2006) G234.
27. K. J. Choi, S. M. Yoon, N. Y. Lee, S. Y. Lee, Y. S. Park, and B. G. Yu: submitted to Thin Solid Films.
28. J. H. Coombs, A. P. J. M. Jongenelis, W. van Es-Spiekman, and B. A. J. Jacobs: J. Appl. Phys. 78 (1995) 4918.
29. T. Nonaka, G. Ohbayashi, Y. Toriumi, Y. Mori, and H. Hashimoto: Thin Solid Films 370 (2000) 258.