Nanoscale observations on the degradation phenomena of phase-change nonvolatile memory devices using Ge2Sb2Te5

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 46, Issue 4-7, 2007, Pages

  Yoon, Sung Min ^a   Choi, Kyu Jeong ^a   Lee, Nam Yeal ^a   Lee, Seung Yun ^a   Park, Young Sam ^a   Yu, Byoung Gon ^a  

^a Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

Author keywords

Ge2Sb2Te5 (GST); Nonvolatile memory; PRAM; Reliability; TEM

Indexed keywords

ENERGY DISPERSIVE SPECTROSCOPY; GERMANIUM COMPOUNDS; NONVOLATILE STORAGE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

DRIFT PHENOMENON; OPERATIONAL FAILURE MODES; SWITCHING SPEED;

PHASE CHANGE MEMORY;

EID: 34547916807     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.46.L99     Document Type: Article

References (10)

1. Y. J. Song, K. C. Ryoo, Y. N. Whang, C. W. Jeong, D. W. Lim, S. S. Park, J. I. Kim, S. Y. Lee, J. H. Kong, S. J. Ahn, S. H. Lee, J. H. Park, J. H. Oh, Y. T. Oh, J. S. Kim, J. M. Shin, J. H. Park, Y. Fai, G. H. Koh, G. T. Jeong, R. H. Kim, H. S. Lim, I. S. Park, H. S. Jeong, and K. Kim: Tech. Dig. Symp. VLSI Technology, 2006, 15.1.
2. F. Pellizzer, A. Benvenuti, B. Glexiner, Y. Kim, B. Johnson, M. Magistretti, T. Marangon, A. Pirovano, R. Bez, and G. Atwood: Tech. Dig. Symp. VLSI Technology, 2006, 15.1.
3. H. Oh, B. Cho, W. Y. Cho, S. Kang, B. Choi, H. Kim, K. Kim, D. Kim, C. Kwak, H. Byun, G. Jeong, H. Jeong, and K. Kim: IEEE J. Solid-State Circuits 41 (2006) 122.
4. N. Matsuzaki, K. Kurotsuchi, Y. Matsui, O. Tonomura, N. Yamamoto, Y. Fujisaki, N. Kitai, R. Takemura, K. Osada, S. Hanzawa, H. Moriya, T. Iwasaki, T. Kawahara, N. Takaura, M. Terao, M. Matsuoka, and M. Moniwa: IEDM, Tech. Dig., 2005, 31.1.
5. K. Nakayama, T. Kitagawa, M. Ohmura, and M. Suzuki: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 564.
6. A. Pirovano, A. Redaelli, F. Pellizzer, F. Ottogalli, M. Tosi, D. Ielmini, A. L. Lacaita, and R. Bez: IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab. 4 (2004) 422.
7. M. H. R. Lankhorst, B. W. S. M. M. Ketelaars, and R. A. M. Wolters: Nat. Mater. 4 (2005) 347.
8. K. Nakayama, K. Kojima, Y. Imai, T. Kasai, S. Fukushima, A. Kitagawa, M. Kumeda, Y. Kakimoto, and M. Suzuki.: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 404.
9. F. Yeung, S. J. Ahn, Y. N. Whang, C. W. Jeong, Y. J. Song, S. Y. Lee, S. H. Lee, K. C. Ryoo, J. H. Park, J. M. Shin, W. C. Jeong, Y. T. Kim, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, and K. Kim: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 2691.
10. S. M. Yoon, N. Y. Lee, S. O. Ryu, K. J. Choi, Y. S. Park, S. Y. Lee, B. G. Yu, M. J. Kang, S. Y. Choi, and M. Wuttig: IEEE Electron Device Lett. 27 (2006) 445.