Hole mobility in silicon inversion layers: Stress and surface orientation

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 8, 2007, Pages

  Sun, Guangyu ^a   Sun, Yongke ^a   Nishida, Toshikazu ^a   Thompson, Scott E ^a  

^a University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

MOSFET DEVICES; PHONON SCATTERING; QUANTUM CONFINEMENT; SILICONES; STRESS ANALYSIS; WAFER BONDING;

ARBITRARY STRESS; HOLE TRANSPORT; SURFACE ORIENTATION;

HOLE MOBILITY;

EID: 35649025330     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2795649     Document Type: Article

References (39)

1. T. Ghani, M. Armstrong, C. Auth, M. Bost, P. Charvat, G. Glass, T. Hoffmann, K. Johnson, C. Kenyon, J. Klaus, B. Mcintyre, K. Mistry, A. Murthy, J. Sandford, M. Silberstein, S. Sivakumar, P. Smith, K. Zawadzki, S. Thompson, and M. Bohr, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2003, 1161.
2. V. Chan, R. Rengarajan, N. Rovedo, W. Jin, T. Hook, P. Nguyen, J. Chen, E. Nowak, X.-D. Chen, D. Lea, A. Chakravarti, V. Ku, S. Yang, A. Steegen, C. Baiocco, P. Shafer, H. Ng, S.-F. Huang, and C. Wann, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2003, 381.
3. C. Chien-Hao, T. L. Lee, T. H. Hou, C. L. Chen, C. C. Chen, J. W. Hsu, K. L. Cheng, Y. H. Chiu, J. J. Tao, Y. Jin, C. H. Diaz, S. C. Chen, and M. S. Liang, Tech. Dig. VLSI Symp. 2004, 56.
4. Y. C. Liu, J. W. Pan, T. Y. Chang, P. W. Liu, B. C. Lan, C. H. Tung, C. H. Tsai, T. F. Chen, C. J. Lee, W. M. Wang, Y. A. Chen, H. L. Shih, L. Y. Tung, L. W. Cheng, T. M. Shen, S. C. Chiang, M. F. Lu, W. T. Chang, Y. H. Luo, D. Nayak, D. Gitlin, H. L. Meng, and C. T. Tsai, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2005, 836.
5. S. E. Thompson, G. Sun, K. Wu, J. Lim, and T. Nishida, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2004, 221.
6. S. E. Thompson, M. Armstrong, C. Auth, S. Cea, R. Chau, G. Glass, T. Hoffman, J. Klaus, Z. Ma, B. Mcintyre, A. Murthy, B. Obradovic, L. Shifren, S. Sivakumar, S. Tyagi, T. Ghani, K. Mistry, M. Bohr, and Y. El-Mansy, IEEE Electron Device Lett. 25, 191 (2004).
7. L. Smith, V. Moroz, G. Eneman, P. Verheyen, F. Nouri, L. Washington, M. Jurczak, O. Penzin, D. Pramanik, and K. D. Meyer, IEEE Electron Device Lett. 26, 652 (2005).
8. L. Washington, F. Nouri, S. Thirupapuliyur, G. Eneman, P. Verheyen, V. Moroz, L. Smith, X. Xu, M. Kawaguchi, T. Huang, K. Ahmed, M. Balseanu, Li-Qun Xia, M. Shen, Y. Kim, R. Roovachers, K. D. Meyer, and R. Schreutelkamp, IEEE Electron Device Lett. 27, 511 (2006).
9. M. Yang, M. Ieong, L. Shi, K. Chan, V. Chan, A. Chou, E. Gusev, K. Jenkins, D. Boyd, Y. Ninomiya, D. Pendleton, Y. Supris, D. Heenan, J. Ott, K. Guarini, C. D'Emic, M. Cobb, P. Mooney, B. To, N. Rovedo, J. Benedict, R. Mo, and H. Ng, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2003, 453.
10. M. Yang, E. Gusev, M. Ieong, O. Gluschenkov, D. Boyd, K. Chan, P. Kozlowski, C. D'Emic, R. Sicina, P. Jamison, and A. Chou, IEEE Electron Device Lett. 24, 339 (2003).
11. T. Mizuno, N. Sugiyama, T. Tezuka, Y. Moriyama, S. Nakaharai, and S. Takagi, IEEE Trans. Electron Devices 52, 367 (2005).
12. H. Wang, S. Huang, C. Tsai, H. Lin, T. Lee, S. Chen, C. Diaz, M. Liang, and J. Sun, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2006, 309.
13. R. Oberhuber, G. Zandler, and P. Vogl, Phys. Rev. B 58, 9941 (1998).
14. M. V. Fischetti, Z. Ren, P. M. Solomon, M. Yang, and K. Rim, J. Appl. Phys. 94, 1079 (2003).
15. Q. Ouyang, M. Yang, J. Holt, S. Panda, H. Chen, H. Utomo, M. Fischetti, N. Rovedo, J. Li, N. Klymko, H. Wildman, T. Kanarsky, G. Costrini, D. M. Fried, A. Bryant, J. A. Ott, M. Ieong, and C. Sung, Tech. Dig. VLSI Symp. 2005, 28.
16. J. M. Luttinger and M. Kohn, Phys. Rev. 97, 869 (1955).
17. G. L. Bir and G. E. Pikus, Symmetry and Strain-Induced Effects in Semiconductors (Wiley, New York, 1974).
18. C. Chao and S. L. Chuang, Phys. Rev. B 46, 4110 (1992).
19. Y. Taur and T. H. Ning, Fundamentals of Modern VLSI Devices (Cambridge Univeresity Press, Cambridge, 1998), Chap., p. 194.
20. B. K. Ridley, Quantum Processes in Semiconductors (Oxford Science, Oxford, 1999).
21. K. Matsuda, H. Nakatsuji, and Y. Kamakura, Tech. Proc. Nanotech. Conf. and Trade Show, 186 (2003).
22. F. Gamiz, J. B. Roldan, J. A. Lopez-Villanueva, P. Cartujo-Cassinello, and J. E. Carceller, J. Appl. Phys. 86, 6854 (1999).
23. C. S. Smith, Phys. Rev. 94, 42 (1954).
24. D. Colman, R. T. Bate, and J. P. Mize, J. Appl. Phys. 39, 1923 (1968).
25. T. Sato, Y. Takeishi, and H. Hara, Jpn. J. Appl. Phys. 8, 588 (1969).
26. T. Sato, Y. Takeishi, and H. Hara, Phys. Rev. B 4, 1950 (1971).
27. S. Takagi, A. Toriumi, M. Iwase, and H. Tango, IEEE Trans. Electron Devices 41, 2363 (1994).
28. T. Mizuno, N. Sugiyama, T. Tezuka, Y. Moriyama, S. Nakaharai, T. Maeda, S. Takagi, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2003, 809.
29. M. M. Chowdhury and J. G. Fossum, IEEE Electron Device Lett. 27, 482 (2006).
30. M. L. Green, D. Brasen, K. W. Evans-Lutterodt, L. C. Feldman, K. Krisch, W. Lennard, H. Tang, and L. Manchanda, Appl. Phys. Lett. 65, 848 (1994).
31. K. Lee, J. Choi, S. Sim, and C. Kim, IEEE Trans. Electron Devices 38, 1905 (1991).
32. S. E. Thompson, G. Sun, Y. Choi, and T. Nishida, J. Appl. Phys. 53, 1010 (2006).
33. Y. Sun, S. E. Thompson, and T. Nishida, J. Appl. Phys. 101, 104503 (2007).
34. M. Lundstrom and Z. Ren, IEEE Trans. Electron Devices 49, 133 (2002).
35. O. Weber and S. Takagi, Tech. Dig. VLSI Symp. 2007, 130.
36. V. P. Trivedi, J. G. Fossum, and F. Gamiz, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2004, 763.
37. K. Shin, W. Xiong, C. Cho, C. Cleavelin, T. Schulz, K. Schruefer, P. Patruno, L. Smith, and Tsu-Jae King Liu, IEEE Electron Device Lett. 27, 671 (2006).
38. N. Collaert, A. De Keersgieter, K. G. Anil, R. Rooyachers, G. Eneman, M. Goodwin, B. Eyckens, E. Sleeckx, J.-F. de Marneffe, K. De Meyer, P. Absil, M. Jurczak, and S. Biesemans, IEEE Electron Device Lett. 26, 820 (2005).
39. N. Collaert, R. Rooyackers, A. De Keersgieter, F. E. Leys, I. Cayrefourcq, B. Ghyselen, R. Loo, M. Jurczak, and S. Biesemans, IEEE Electron Device Lett. 28, 646 (2007).